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匯總常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時需要一定的動態(tài)驅動功率。本文匯總了一些常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術，給大家分享分享！
2014-03-04
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LTE 發(fā)射機 ACLR 性能的測量技術
現代無線服務提供商正致力于不斷擴大帶寬，為更多用戶提供互聯網協(xié)議（IP）服務。長期演進技術（LTE）是對當前部署的 3GPP 網絡進行增強并創(chuàng)造更多更重要應用的新一代蜂窩技術。LTE 的體系結構復雜同時還在不斷演進當中，這為網絡和用戶設備的設計與測試帶來了新的挑戰(zhàn)。其中，在空中接口上的一個關鍵挑戰(zhàn)就是如何在信號傳輸過程中進行功率管理。
2013-09-26
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Diodes直流-直流轉換器，有效節(jié)省LED照明元件成本和空間
Diodes公司為LED照明及通用功率管理應用，推出支持升、降壓和電壓反向電路拓撲的微型直流-直流轉換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝，只需少量外部元件，就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24
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充分發(fā)揮MOSFET優(yōu)點的電機保護電路設計
如何設計出可靠和合理的驅動與保護電路，對于充分發(fā)揮MOSFET功率管的優(yōu)點，起著至關重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和關鍵。文中用IR2130驅動模塊為核心，設計了功率MOSFET驅動保護電路應用與無刷直流電機控制系統(tǒng)中，同時也闡述了本電路各個部分的設計要求。該設計使系統(tǒng)功率驅動部分的可靠性大大的提高。
2013-03-16
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如何檢修步進電機驅動器
維修人員在檢查步進電機驅動器時，發(fā)現一功率管已損壞，但由于沒有資料，弄不清該管的作用，所以在這里介紹下檢修步進電機驅動器燒MOS管的原因。
2013-03-08
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一種WEDM用雙管正激交錯并聯結構的DC/DC變換器設計
本文討論了一種WEDM用雙管正激交錯并聯結構的DC/DC變換器設計方案，其采用并聯結構，功率管工作在同樣頻率下，但輸出電壓頻率提高了一倍。
2013-01-09
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呼吸式功率管理，減低損耗很有效
由于通信電源和UPS初始容量設計時，同時考慮了最大負載、蓄電池充電容量和備份容量，導致了實際運行負載往往處于輕載和超輕載狀態(tài)，這種狀態(tài)下，電源轉換設備的效率往往較低，因此增加了自身的損耗?！昂粑健?span id="zm4zutw" class='red'>功率管理通過跟蹤負載的變化，控制功率模塊的開通與休眠，使系統(tǒng)盡量在最佳效率點附近進行工作。
2012-12-26
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電子負載儀簡介
電子負載，顧名思義，是用電子器件實現的“負載”功能，其輸出端口符合歐姆定律。具體地說，電子負載是通過控制內部功率器件MOSFET或晶體管的導通量，使功率管耗散功率，消耗電能的設備。
2012-11-30
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采用多管并聯和能量回饋技術的單端反激電路在低壓供電的逆變電源中的應用
目前，由電池供電的逆變電源一般由兩級組成，前級DC/DC電路將電池電壓變換成直流約350V電壓，后級DC/AC電路將直流350V電壓變換為交流220V電壓。在這類逆變電源中，輸入電流較大，功率管導通壓降高，損耗大，電源效率很難提高。對于中小功率而言，單端反激電路具有一定優(yōu)勢，本文就采用多管并聯和能量回饋技術的單端反激電路在低壓供電的逆變電源中的應用做一些探討。
2012-11-12
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80W甲類功率放大器的設計
這部功放的輸入級是一對場效應管，優(yōu)點是輸入阻抗高，動態(tài)范圍大和噪聲低。輸入級還加有高頻濾波網絡，以便將一些不必要的高頻噪音濾掉，提高信噪比?，F今大功率功放使用的電源電壓都比較高，輸出管驅動電流也比較大，推動級的功耗相當可觀。這也就是高級功放的推動級選用中功率及大功率管井加散熱器的原因。
2012-10-25
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HiFi功率放大器設計BOM
這個簡單的低成功率放大器?？梢?種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會提供一個清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
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Microsemi提供用于極端溫度環(huán)境的FPGA和cSoC產品
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司宣布，其現場可編程門陣列(FPGA) 和SmartFusion?可定制系統(tǒng)級芯片(SoC) 解決方案現已具備在150至200攝氏度下工作的極端工作溫度范圍特征，這些器件已經部署在向下鉆探(down-hole drilling)產品、航天系統(tǒng)、航空電子設備，以及其它要求在極端低溫和高溫環(huán)境中提供高性能和最大可靠性的應用中。
2012-06-21
- 意法半導體與高通達成無線物聯網戰(zhàn)略合作
- 艾邁斯歐司朗ALIYOS? LED-on-foil技術重新定義汽車照明 兼顧前沿設計與便捷功能性
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