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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關(guān)損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開關(guān)頻率。設(shè)計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現(xiàn)更高的輸出功率。
2012-06-21
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率
2012-06-18
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Fairchild推出低功耗點火IGBT器件，可將VSAT降低多達(dá)20%
為了滿足現(xiàn)今和新興點火系統(tǒng)對排放和高燃油效率的嚴(yán)苛要求，汽車設(shè)計人員需要更高性能的點火線圈驅(qū)動器技術(shù)。為幫助設(shè)計人員滿足這些要求，飛兆半導(dǎo)體公司推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅(qū)動器可將VSAT降低多達(dá)20%，而不會顯著降低自箝位感性負(fù)載開關(guān)的能量。這項優(yōu)化特性減低了功耗和工作結(jié)溫，并降低了對散熱器的要求。
2012-06-04
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IR 600V車用COOLiR IGBT開關(guān)速度比肩MOSFET
國際整流器公司 (IR)推出600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，能夠以MOSFET一樣快的開關(guān)速度運行，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、電池充電器等。
2012-05-30
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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因為新產(chǎn)品可實現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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IR針對EV|HEV推出600V超高速開關(guān)、耐用高頻IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開關(guān)速度運行，同時在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、電池充電器等。
2012-05-23
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BM6103FV-C:羅姆推出業(yè)內(nèi)最小車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。
2012-05-22
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業(yè)界最小！羅姆開發(fā)出車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器
羅姆株式會社開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù)，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動器，是業(yè)界最小(截至2012年5月22日,根據(jù)羅姆的調(diào)查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護(hù)功能和品質(zhì)要求，可減少設(shè)計時的工作量。
2012-05-22
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。
2012-05-21
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大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案
隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點，而越來越多地應(yīng)用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過流保護(hù)電路的設(shè)計。專用驅(qū)動模塊都帶有過流保護(hù)功能。一些分立的驅(qū)動電路也帶有過電流保護(hù)功能。在工業(yè)應(yīng)用中，一般都是利用這些瞬時過電流保護(hù)信號，通過觸發(fā)器時序邏輯電路的記憶功能，構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路，以避免保護(hù)電路在過流時的頻繁動作，實現(xiàn)可取的過流保護(hù)。本文分析了大功率可控整流電壓型逆變器中封鎖驅(qū)動及整流拉逆變式雙重保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。
2012-05-17
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實現(xiàn)兆瓦級太陽能與風(fēng)力發(fā)電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發(fā)售為實現(xiàn)低碳社會，有效利用可再生能源的太陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等兆瓦級大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)正在不斷增加，對功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的小型化和高效化要求也日益提高。想要實現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)一步小型化、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。
2012-05-10
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UCC2751x：德州儀器推出緊湊型高速單通道柵極驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開關(guān)損耗。
2012-04-25
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 單結(jié)晶體管符號和結(jié)構(gòu)
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