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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實性取決于各個器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說得好，“垃圾進，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
2024-05-09
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SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體展，華為 華天 長電 上海華力等頭部企業(yè)6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會展有限公司聯(lián)合中國通信工業(yè)協(xié)會、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、成都集成電路行業(yè)協(xié)會、東莞巿集成電路行業(yè)協(xié)會舉辦的SEMI-e第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會（簡稱：SEMI-e）將在深圳會展中心4.6.8號館盛大召開，聚焦半導(dǎo)體行業(yè)的各個細(xì)分領(lǐng)域，展示以設(shè)計、芯片、晶圓制造與封裝，半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件，先進材料，第三代半導(dǎo)體/IGBT，汽車半導(dǎo)體/車規(guī)級先進封裝技術(shù)為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，全面展示了半導(dǎo)體行業(yè)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新亮點、新趨勢，構(gòu)建起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流融合的新生態(tài)。展出面積60,000平方米，800家超高質(zhì)量展商齊聚，打造華南半導(dǎo)體領(lǐng)域最具有影響力和代表性的行業(yè)盛會。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項技術(shù)更進一步。這些器件基于獨特的“共源共柵結(jié)構(gòu)”電路配置，將一個常開型SiC JFET器件與一個硅基MOSFET共同封裝，形成一個集成的常關(guān)型SiC FET器件。在接下來的段落中，我們將詳細(xì)闡述 Qorvo 研發(fā)的 SiC FET（共源共柵結(jié)構(gòu)FET）相較于同類SiC MOSFET的顯著優(yōu)勢。
2024-04-15
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如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)？
電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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【第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體等四場熱門盛會6月齊聚深圳，論壇議程搶先看！】
深圳，這座中國科技創(chuàng)新的璀璨明珠，即將在2024年6月26日至28日迎來一場科技盛宴。SEMI-e第六屆深圳國際半導(dǎo)體暨應(yīng)用展覽會（SEMI-e)即將于深圳國際會展中心（寶安新館）4.6.8號館開啟，并分別舉辦2024中國汽車半導(dǎo)體大會、第五屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰技術(shù)論壇以、第六屆深圳半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會及第二屆人工智能——算力/算法/存儲大會暨展示會，四場熱門盛會齊聚一堂，聚焦半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域: 汽車半導(dǎo)體、IGBT、Al算力、算法、存儲、電源及儲能、Mini/Micro-LED 等各種最新應(yīng)用解決方案。
2024-03-18
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如何測量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機/逆變器。隨著電機/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢，而開始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測量。下一代隔離調(diào)制器大大提高了CMTI能力，并改善了其本身的精度。
2024-03-11
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機驅(qū)動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時間是2us。
2024-02-01
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門極驅(qū)動正壓對功率半導(dǎo)體性能的影響
無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型層強度越強，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導(dǎo)通損耗除了受這個門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越薄的導(dǎo)通損耗越小，所以同等芯片面積下寬禁帶的器件導(dǎo)通損耗要小得多。而相同材料下耐壓越高的器件就會越厚，導(dǎo)通損耗就會變大。這種由芯片厚度引起的導(dǎo)通損耗不受門極電壓影響，所以器件耐壓越高，門極電壓即使進一步增大對導(dǎo)通損耗貢獻(xiàn)是有限的。
2024-01-29
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IGBT如何進行可靠性測試？
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場，公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。
2024-01-24
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計（如開關(guān)頻率和死區(qū)時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據(jù)，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
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