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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅(qū)動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計（如開關(guān)頻率和死區(qū)時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據(jù)，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
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?碳化硅助力實現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應用于服務器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應用的增長， 也使設(shè)計工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢，并拓寬其應用領(lǐng)域。
2024-01-03
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泰克助力汽車測試及質(zhì)量監(jiān)控實現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關(guān)損耗是一項嚴峻挑戰(zhàn)，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關(guān)參數(shù)，并評估其動態(tài)行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
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從 L1~L5 自動駕駛芯片發(fā)生了哪些變化？
汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統(tǒng)燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車電動化、智能化的演進，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過了 2000 顆/輛，未來隨著電車智能化的升級，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
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OBC PFC車規(guī)功率器件結(jié)溫波動與功率循環(huán)壽命分析
隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網(wǎng)與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設(shè)備，也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅(qū)電控逆變器， 電源類OBC產(chǎn)品復雜度高，如何實現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優(yōu)化與平衡，一直是OBC不斷技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。
2023-11-26
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上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案
作為一種電源轉(zhuǎn)換器，車載逆變電源能夠?qū)δ茈姵刂绷麟娹D(zhuǎn)換為220V的交流電，給筆記本電腦、數(shù)碼相機、無人機等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦波兩種類型，修正弦波車載逆變電源價格便宜，但輸出波形質(zhì)量較差，適用于小功率用電設(shè)備；純正弦波車載逆變電源可提供高質(zhì)量交流電，適用于大部分用電設(shè)備，工作穩(wěn)定，但價格較貴。
2023-11-23
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商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設(shè)計的關(guān)鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。
2023-11-16
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Transphorm氮化鎵器件將DAH Solar SolarUnit的傳統(tǒng)優(yōu)勢發(fā)揮到極致
DAH Solar的世界首個集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用了Transphorm氮化鎵平臺，該集成型光伏系統(tǒng)已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產(chǎn)出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統(tǒng)，同時還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。與目前常用的硅基解決方案相比，氮化鎵器件能做到更高的開關(guān)頻率和功率密度。更值得一提的是，系統(tǒng)中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅(qū)動器配對，從而幫助 DAH Solar 縮短了設(shè)計時間。
2023-10-16
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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數(shù)字。比如在中國，根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。
2023-10-09
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