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Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開(kāi)關(guān)
Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開(kāi)關(guān)賓夕法尼亞、MALVERN — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開(kāi)關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具有低功率損耗和低開(kāi)關(guān)噪聲的性能,有利于改善信號(hào)完整性和提高系統(tǒng)精度
2011-10-17
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光伏組件減產(chǎn)力度不足 明年供給仍過(guò)剩
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)SolarbuzzQuarterly最新發(fā)布的報(bào)告,太陽(yáng)能組件生產(chǎn)過(guò)剩導(dǎo)致全球光伏廠商價(jià)格壓力增大,組件出廠價(jià)格年度降幅達(dá)33%。Solarbuzz的初步統(tǒng)計(jì)表明全球光伏市場(chǎng)需求第三季度環(huán)比僅增長(zhǎng)不到1%,但是較去年同期增長(zhǎng)20%。歐洲區(qū)域占據(jù)全球市場(chǎng)58%的份額,遠(yuǎn)低于去年同期的78%。在規(guī)模較大的光伏市場(chǎng)區(qū)域中,美國(guó)與中國(guó)是第三季度增長(zhǎng)速度最快的國(guó)家。
2011-10-17
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E系列:Vishay推出超低最大導(dǎo)通電阻600V和650V n溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。
2011-10-14
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Newport:Maxim推出智能電表參考設(shè)計(jì)平臺(tái)
Maxim Integrated Products, Inc 推出Newport智能電表參考設(shè)計(jì)平臺(tái)。該平臺(tái)集成了最新的計(jì)量、安全和電力線通信(G3-PLC)技術(shù),為電力行業(yè)提供多種智能電網(wǎng)的評(píng)估途徑,為制造商提供簡(jiǎn)單易用的智能電表設(shè)計(jì),縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
2011-10-14
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【圖文】各種LED散熱技術(shù)對(duì)比分析
伴隨著高功率 LED技術(shù)迭有進(jìn)展,LED尺寸逐漸縮小,熱量集中在小尺寸芯片內(nèi),且熱密度更高,致使LED面臨日益嚴(yán)苛的熱管理考驗(yàn)。為降低 LED熱阻,其散熱必須由芯片層級(jí)(Chip LevEL)、封裝層級(jí)(Package Level)、散熱基板層級(jí) (Board Level)到系統(tǒng)層級(jí)(System Level),針對(duì)每一個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì),以獲得最佳的散熱(圖1)。本文詳細(xì)對(duì)比各種LED散熱技術(shù),能有效指導(dǎo)LED燈具的散熱設(shè)計(jì)。
2011-10-14
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EP II :TE推出新一代單排Economy Power 連接器用于家電
TE Connectivity (TE)推出了新一代的單排Economy Power (EP)連接器。新的EP II 互連系統(tǒng)包括新設(shè)計(jì)的插頭塑殼、新型壓接式端子以及專(zhuān)用柱式插座。在高達(dá)600伏、10安培的交流電流下,該互連系統(tǒng)不但可被用于標(biāo)準(zhǔn)大型家電和其他家用電器,而且還可用于擁有更高電壓要求的其他應(yīng)用。
2011-10-13
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Arcolectric與BioCote公司建立伙伴關(guān)系開(kāi)發(fā)獨(dú)特的抗菌開(kāi)關(guān)系列
Arcolectric與BioCote公司建立伙伴關(guān)系開(kāi)發(fā)獨(dú)特的抗菌開(kāi)關(guān)系列英國(guó)羅姆福德/美國(guó)/中國(guó),近日 –Elektron Technology有限公司與BioCote有限公司簽署了一項(xiàng)合作伙伴協(xié)議,以開(kāi)發(fā)世界第一款抗菌電子器件。
2011-10-12
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
2011-10-11
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MAX14821:Maxim推出尺寸最小的IO-Link物理層收發(fā)器用于工業(yè)控制
Maxim Integrated Products, Inc 推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的IO-Link?物理層(PHY)收發(fā)器MAX14821。MAX14821采用2.5mm x 2.5mm WLP封裝,與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比可節(jié)省60%以上的空間,適合微小尺寸產(chǎn)品設(shè)計(jì)。附加的數(shù)字輸出、輸入以及內(nèi)部?jī)陕返蛪翰罹€性穩(wěn)壓器,為復(fù)雜的傳感器模塊提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。該IO-Link收發(fā)器專(zhuān)門(mén)針對(duì)工業(yè)控制器、傳感器模塊和執(zhí)行器之間的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信進(jìn)行優(yōu)化。
2011-10-11
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TD-LTE系統(tǒng)干擾分析
隨著新技術(shù)的不斷出現(xiàn)以及移動(dòng)通信理念的變革,為了把握新一輪的技術(shù)浪潮,保持在移動(dòng)通信領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,2004年底3GPP啟動(dòng)了關(guān)于3G演進(jìn),即LTE的研究與標(biāo)準(zhǔn)化工作。隨著LTE R8、R9標(biāo)準(zhǔn)的凍結(jié),LTE正日益成為業(yè)界的熱點(diǎn)。
2011-10-11
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SP03A:Littelfuse推出高防護(hù)能力瞬態(tài)抑制二極管數(shù)組用于以太網(wǎng)
Littelfuse公司日前推出瞬態(tài)抑制二極管數(shù)組(SPA TM 系列)的最新產(chǎn)品── SP03A 系列,可保護(hù)以太網(wǎng)和T3/E3數(shù)據(jù)線路免受雷擊引起的瞬變現(xiàn)象,其防護(hù)能力高達(dá)150A(tp=8/20μs)。
2011-10-10
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電動(dòng)車(chē)鋰電池液體冷卻方法推薦
對(duì)電動(dòng)車(chē)來(lái)說(shuō),關(guān)于電池組的熱管理最為靠譜的方法是類(lèi)似于以下的方法。從可靠性的角度,我將評(píng)估一下tesla的18650圓柱形電池的制造可靠性,和其內(nèi)部連接的熔絲的可靠性。Tesla的電池組從本質(zhì)上來(lái)看,不具備低成本的可能。這是因?yàn)楸旧?8650電池造價(jià)較低,但是為了保證小電池之間的串并級(jí)聯(lián),要付出很多的安全性的考慮。
2011-10-10
- 中國(guó)家電、消費(fèi)電子、智能終端制造業(yè)供應(yīng)鏈展覽會(huì)
- 使用微型模制電感器可節(jié)省空間、降低損耗并提高電源完整性和效率
- IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)
- Teledyne e2v一站式成像模塊實(shí)現(xiàn) 200萬(wàn)像素視覺(jué)和3D深度數(shù)據(jù)
- Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
- Diodes 公司推出兩款符合汽車(chē)規(guī)格的霍爾效應(yīng)芯片系列
- Vishay推出無(wú)線充電Tx和Rx線圈,耐潮能力達(dá)90 % RH,節(jié)省空間
- 優(yōu)化電源管理芯片 擁抱汽車(chē)電氣化新時(shí)代
- 貿(mào)澤電子以鉆石贊助商身份閃耀亮相Silicon Labs Works With 2024開(kāi)發(fā)者大會(huì)
- 貿(mào)澤電子任命宋金利為大中華區(qū)服務(wù)與銷(xiāo)售副總裁
- 電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)-SiC模塊篇
- 意法半導(dǎo)體超級(jí)傳感器助Sphere打造沉浸式體驗(yàn),開(kāi)啟全新電影時(shí)代
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