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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設(shè)計與優(yōu)化
碳化硅(SiC)具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良的材料特性,在中高壓功率半導(dǎo)體器件制造中得到了廣泛的應(yīng)用。目前,肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經(jīng)成功地應(yīng)用于電力領(lǐng)域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管(SBD)結(jié)構(gòu)。后來,這種結(jié)構(gòu)演變成一種結(jié)勢壘肖特基(JBS)具有低反向泄漏電流。最新的結(jié)構(gòu)被稱為合并PN肖特基(MPS),表現(xiàn)出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業(yè)設(shè)備逆變器的絕佳CP:智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向—模塊化、復(fù)合化和集成化(PIC),在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
2020-09-09
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致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來越快,使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn),在某些情況下幾乎不可能實現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面,通過這一技術(shù),設(shè)計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅(qū)動器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動配置!
在設(shè)計開關(guān)模式電源時,主要品質(zhì)因數(shù)(FOM)包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型,需要考慮諸多因素。例如,增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本,但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù),因此與MOSFET和IGBT相比,GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大?在電力電子上又有哪些應(yīng)用?
據(jù)預(yù)測,采用 SiC 的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動器和汽車等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會隨之而來。 到 2021 年,SiC 功率器件市場總額預(yù)計將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場,如太陽能,SiC 器件已投入運行,盡管事實上這些模塊的價格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力,即使價格更高也心甘情愿地被接受?
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)和丹佛斯宣布,公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應(yīng)大功率IGBT和二極管,應(yīng)用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費類和大眾市場設(shè)計迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高,對熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求,對活動和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定,還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測。
2020-06-10
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固態(tài)繼電器和固態(tài)調(diào)壓器的區(qū)別
固態(tài)繼電器是由微電子電路,分立電子器件,電力電子功率器件組成的無觸點開關(guān)。用隔離器件實現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號,達(dá)到直接驅(qū)動大電流負(fù)載。
2020-06-09
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效率媲美氮化鎵的超級硅MOSFET
半導(dǎo)體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用,特別是近幾年來,隨著社會電子產(chǎn)業(yè)化及萬物互聯(lián)的應(yīng)用需求,更進(jìn)一步加速了電子化水平的進(jìn)程;也對電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn),如:高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命等方面。
2020-04-23
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射頻大功率器件TRL校準(zhǔn)件的設(shè)計與制作
以LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)為代表的射頻大功率器件已經(jīng)在民用通信市場以其優(yōu)異的性能和低廉的價格而得到越來越廣泛的應(yīng)用,對于這種射頻大功率器件的器件水平和能力評估也越來越受到關(guān)注。
2020-04-20
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致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡單經(jīng)濟(jì)的評價方法。對于電源產(chǎn)品設(shè)計,大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。
2020-03-10
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