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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
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DigiKey開售Kingston的內存產品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發(fā)階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-29
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DDR5 時代來臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數據挖掘的狂潮中，我們對數據處理的渴求呈現出前所未有的指數級增長。面對這種前景，內存帶寬成了數字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數據傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現了顯著的進步。
2023-10-20
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為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應用需求？
消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。
2023-09-25
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。
2022-12-30
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SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術
泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經受進一步處理。SPARC 將泛林無與倫比的等離子技術與化學和工藝工程相結合，實現了先進邏輯和 DRAM 集成設計的進一步發(fā)展。
2022-10-09
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貿澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協議，提供工業(yè)級存儲產品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協議。Innodisk（宜鼎國際）是工業(yè)級嵌入式閃存與DRAM存儲產品和技術的知名供應商，專注于企事業(yè)單位以及工業(yè)、醫(yī)療與航空航天等行業(yè)。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3設計（一）DDR3基礎掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。雙倍速率（double-data-rate），是指時鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數據傳輸；同步，是指DDR3數據的讀取寫入是按時鐘同步的；動態(tài)，是指DDR3中的數據掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數據；隨機，是指可以隨機操作任一地址的數據。
2022-05-12
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SRII推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應用領域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產中，正在推動新的架構、材料和性能的改進。
2022-01-26
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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產品后，美光實現的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業(yè)界的競爭力。
2021-01-27
- 貿澤電子上線機器人資源中心：賦能工程師探索智能自動化未來
- 工程師必知的振蕩器動態(tài)相位噪聲優(yōu)化四重奏
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