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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
2024-09-25
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由于GaN是直接躍遷型半導(dǎo)體，少數(shù)載流子壽命較短，因此通過電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲(chǔ)充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場競爭者。
2024-09-03
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OBC設(shè)計(jì)不斷升級，揭秘如何適應(yīng)更高功率等級和電壓
消費(fèi)者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車(EV)必須延長續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車相媲美。解決這個(gè)問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運(yùn)行能效。為應(yīng)對電子元件導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗造成的巨大功率損耗，汽車制造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續(xù)航里程。
2024-08-22
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不斷改進(jìn) OBC 設(shè)計(jì)，適應(yīng)更高的功率等級和電壓
消費(fèi)者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車 (EV) 必須延長續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車相媲美。解決這個(gè)問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運(yùn)行能效。
2024-08-08
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第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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觀眾登記開啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見，20+重磅活動(dòng)與數(shù)千新品引爆AI+技術(shù)生態(tài)
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會(huì)展中心（福田）開幕。展會(huì)為電子產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇以及AI時(shí)代到來準(zhǔn)備好了全棧技術(shù)和產(chǎn)品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲(chǔ)、智能傳感、RISC-V技術(shù)與生態(tài)、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進(jìn)封裝等。
2024-07-18
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì)迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間變化會(huì)產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點(diǎn)現(xiàn)有的碳化硅襯底制造廠，意法半導(dǎo)體將打造一個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)園，實(shí)現(xiàn)公司在同一個(gè)園區(qū)內(nèi)全面垂直整合制造及量產(chǎn)碳化硅的愿景。新碳化硅產(chǎn)業(yè)園的落地是意法半導(dǎo)體的一個(gè)重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域加速電氣化，提高能效。
2024-06-08
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吉利汽車與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。
2024-06-06
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。
2024-04-07
- 意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
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