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高功率的前端PD接口控制器的設(shè)計(jì)電路

發(fā)布時(shí)間:2012-12-26 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】Microsemi的前端PD接口控制器提供通信市場(chǎng)上的最高水平的功率,內(nèi)置0.3Ω隔離開(kāi)關(guān)和浪涌電流限制器,此裝置可實(shí)現(xiàn)更廣泛的覆蓋率為PoE通信應(yīng)用,包括戶外IP攝像機(jī)和顯示器。


Microsemi公司宣布其新的先進(jìn)的前端電源設(shè)備(PD)接口控制器(IC),應(yīng)用于高功率HDB ASE-T和四對(duì)電源的以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用程序。該P(yáng)D70210/PD70211代表唯一的解決辦法,可在市場(chǎng)上是符合的Power-over-HDBaseT技術(shù)(禱)和接收多達(dá)95瓦(W),使用一個(gè)內(nèi)部的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。此裝置可實(shí)現(xiàn)更廣泛的覆蓋率為PoE通信應(yīng)用,包括戶外IP攝像機(jī)和顯示器。

PD70210/PD70211的PoE PD IC提供了一個(gè)解決方案,特別適用于高功率應(yīng)用中不斷增長(zhǎng)的寬帶市場(chǎng)。據(jù)市場(chǎng)研究公司Infonetics,小電池市場(chǎng)有望達(dá)到3.31億美元,由2012年年底,與預(yù)期的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為62%至230億美元,2016年。Microsemi的新設(shè)備是其PD-960x的中跨家人提供了一個(gè)完整的終端到終端的HDBaseT技術(shù)解決方案兼容。

圖題:Microsemi的前端PD接口控制器設(shè)計(jì)電路
圖題:Microsemi的前端PD接口控制器設(shè)計(jì)電路

“Microsemi的前端PD接口控制器提供通信市場(chǎng)上的最高水平的功率可今天禱言的應(yīng)用和提高我們的結(jié)束-到-結(jié)束的解決方案,以一個(gè)越來(lái)越高的結(jié)束段的市場(chǎng),”說(shuō)阿米爾Asvadi,副總裁和Microsemi模擬混合信號(hào)集團(tuán)的經(jīng)理。“有了這個(gè)新的解決方案,我們的客戶可以使用PoE技術(shù)在一個(gè)更廣泛的陣列的應(yīng)用程序,都為今天的最新的功率器件,以及為下一代產(chǎn)品,將要求提高水平的動(dòng)力。”

不同于非標(biāo)的替代品,Microsemi的IEEE802.3at-2009具有相同的安全機(jī)制,檢測(cè)的數(shù)據(jù)和備用線對(duì)分開(kāi),確?;ゲ僮餍?。Microsemi的前端PD IC提供符合IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)的IEEE802.3at和HDBaseT技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和電源使用的HDBaseT或其他two-pair/four-pair的配置。作為其類型的第一個(gè)解決方案,該設(shè)備支持95W在一個(gè)IC內(nèi)部FET和高效率的運(yùn)作。

其他主要功能包括:

先進(jìn)的分類模塊支持兩個(gè)事件,三事件,事件和六事件分類
內(nèi)置0.3Ω隔離開(kāi)關(guān)和浪涌電流限制器
鑒定對(duì)電纜的接收功率
DC / DC輸入電容快速放電
芯片上的熱保護(hù)
內(nèi)部電涌保護(hù)器
適用于室內(nèi)和室外PoE和治療禱言的應(yīng)用
內(nèi)置同步電流模式PWM控制器(PD70211)

 

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