- 可承受高達(dá)200V的峰值電壓
- 適用于50V DC信號高達(dá)250MHz的應(yīng)用
- 醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備
意法半導(dǎo)體（ST）推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運行時間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
經(jīng)制程升級后，意法半導(dǎo)體最新的射頻功率MOSFET晶體管可承受高達(dá)200V的峰值電壓，比同類競爭產(chǎn)品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率晶體管的使用壽命，從而降低設(shè)備的停機時間和經(jīng)營成本。先進(jìn)的制程還能提高M(jìn)OSFET的增益、能效及大功率特性，進(jìn)而提高設(shè)備性能，并簡化設(shè)計。
此外，新產(chǎn)品采用最新的陶瓷封裝和意法半導(dǎo)體的塑膠氣室（STAC）封裝技術(shù)，這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性，進(jìn)一步降低設(shè)備維護(hù)成本。
SD4931和SD4933分別是150W和300W N溝道射頻功率MOSFET晶體管，適用于50V DC信號高達(dá)250MHz的應(yīng)用。采用意法半導(dǎo)體的強化垂直硅制程和配備倒螺栓安裝凸緣的密閉陶瓷封裝是這個系列器件的兩大優(yōu)勢。
STAC4932B和STAC4932F采用意法半導(dǎo)體的倒螺栓無凸緣的STAC封裝，適合100V脈沖/額定功率1000W以上的射頻應(yīng)用，如光驅(qū)和核磁共振影像（MRI）。擁有高散熱率和高能效的 STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET晶體管能夠輸出大功率的高頻信號，最大限度地提升應(yīng)用可靠性，延長設(shè)備的使用壽命。
主要特性：
擊穿電壓（V（BR）DSS） 》 200V
最大結(jié)溫200°C
可承受20:1的全部相位負(fù)載失匹率（SD4931/4933）
輸出功率 （POUT）：
在175MHz時，最低150W，14.8dB增益（SD4931）
在30MHz時，最低300W，24dB增益（SD4933）
在123MHz時，最低1000W（正常1200W），26dB增益 （STAC4932B/F）
采用陶瓷封裝的STAC4932B現(xiàn)已量產(chǎn)；采用STAC封裝的STAC4932F預(yù)計于今年6月量產(chǎn)。
