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基于同步整流技術(shù)的反激變換器
本文詳細(xì)分析了同步整流反激變換器的工作原理和該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了100V~375VDC 輸入,12V/4A 輸出的同步整流反激變換器,工作于電流斷續(xù)模式,控制芯片選用UC3842,對(duì)設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)論述。
2011-08-30
同步整流 反激變換器 開關(guān)電源 電源
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探究變頻器的電磁兼容與電磁干擾抑制問(wèn)題
隨著國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的強(qiáng)制執(zhí)行,再加上科研過(guò)程中不斷出現(xiàn)新的電磁干擾問(wèn)題,使得變頻器的電磁兼容問(wèn)題成為亟待解決的問(wèn)題。本文從分析pwm變頻器傳導(dǎo)干擾機(jī)理入手,總結(jié)了目前傳導(dǎo)干擾的抑制措施,具有參考意義。總的來(lái)說(shuō),變頻器的電磁兼容設(shè)計(jì)還處于初期階段,還需要我們付出長(zhǎng)期不懈的努力。相信在未來(lái)...
2011-08-30
變頻器 電磁兼容 電磁干擾 EMC EMI PWM
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屋頂光伏發(fā)電“十二五”擬增九倍
據(jù)權(quán)威人士透露,根據(jù)正在擬定的《可再生能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》,光伏發(fā)電裝機(jī)目標(biāo)被確定為到2015年達(dá)1000萬(wàn)千瓦,到2020年達(dá)5000萬(wàn)千瓦。值得注意的是,到2015年,屋頂光伏電站規(guī)模為300萬(wàn)千瓦,到2020年則達(dá)2500萬(wàn)千瓦。截至2010年,屋頂光伏電站的裝機(jī)規(guī)模約30萬(wàn)千瓦。
2011-08-30
屋頂光伏 光伏 太陽(yáng)能
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利用示波器有效輔助開關(guān)電源設(shè)計(jì)Q/A
本文通過(guò)問(wèn)答的形式,介紹如何利用示波器有效輔助開關(guān)電源的設(shè)計(jì)。
2011-08-29
示波器 開關(guān)電源 紋波 電磁干擾 EMI
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單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵...
2011-08-29
柵驅(qū)動(dòng) IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
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太陽(yáng)能電池模塊2011年銷售額將與上年持平
據(jù)美國(guó)IHS iSuppli預(yù)測(cè),全球2011年的太陽(yáng)能電池模塊銷售額將與2010年的346億美元持平。雖然太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的設(shè)置量本身增加,但是受模塊價(jià)格在2011年上半年暴跌的影響,銷售額增長(zhǎng)乏力。
2011-08-29
太陽(yáng)能 太陽(yáng)能電池 太陽(yáng)能電池系統(tǒng) 太陽(yáng)能電池模塊
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ASSP XOTM系列:Pericom推出特定應(yīng)用電壓控制的晶體振蕩器
全球領(lǐng)先的高速連接、時(shí)鐘和信號(hào)調(diào)節(jié)芯片及晶振解決方案供應(yīng)商百利通半導(dǎo)體公司(Pericom,納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼:PSEM)日前宣布:擴(kuò)展其特定應(yīng)用晶體振蕩器(ASSP XOTM)系列,推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器(VCXO)產(chǎn)品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎(chǔ)設(shè)施、寬帶接入和以太網(wǎng)市...
2011-08-29
Pericom 晶體 ASSP VCXO
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同步整流以及電荷保持驅(qū)動(dòng)技術(shù)
目前,越來(lái)越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達(dá)到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET 進(jìn)行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。
2011-08-29
整流 電荷 變壓器 開關(guān)管
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖
在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,因此,總是要在柵極加上一個(gè)電壓。
2011-08-26
PMOS開關(guān)管 開關(guān)管 MOSFET 二極管
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