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飛兆新型四路MOSFET，功耗降低10倍
飛兆半導(dǎo)體最新推出的FDMQ86530L60V四路MOSFET采用其GreenBridge技術(shù)，改進(jìn)了傳導(dǎo)損耗和傳統(tǒng)二極管整流橋的效率，將功耗降低了10倍，該器件采用4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝，實(shí)現(xiàn)了最小尺寸、最大熱性能和最高效率。
2013-05-07
MOSFET 二極管 飛兆 整流濾波
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面向數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和高速收發(fā)的低功耗，高性能μModule 穩(wěn)壓器
凌力爾特公司近日推出的μModule (微型模塊) 穩(wěn)壓器LTM8028因其低功耗、低噪聲、1mv輸出波紋等特點(diǎn)而被很多的電源制造廠家（特別是制造線性穩(wěn)壓器）重點(diǎn)關(guān)注。同時(shí)它的高度性能整合技術(shù)也引領(lǐng)著線性電源發(fā)展的潮流
2013-05-06
穩(wěn)壓器 低功耗 高性能
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TE新產(chǎn)品，性能更優(yōu)的三重鎖扣式電源連接器
TE Connectivity 近日推出三重鎖扣式電源（PTL）連接器產(chǎn)品系列。該新產(chǎn)品擁有可選配連接器鎖扣自鎖（CPA）裝置、可選配端子鎖插片（TPA）裝置、最高溫度為150°C（302°F）的耐高溫外殼以及最新的無倒刺觸點(diǎn)設(shè)計(jì)。這與同類產(chǎn)品相比具有更優(yōu)化的性能，相信這種新產(chǎn)品的出現(xiàn)不僅滿足家電行業(yè)的需求，還...
2013-05-06
電源連接器 TE 三重鎖
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LTE供電設(shè)備可以大幅度抑制噪聲
為了應(yīng)對(duì)無線通信服務(wù)的高速化數(shù)據(jù)傳輸、縮短等待時(shí)間、有效頻率等問題，提出了LTE無線通信方式，并且開始被世界各國(guó)所使用。本文將通過噪聲對(duì)策的事例，介紹對(duì)LTE通信規(guī)范產(chǎn)生影響的噪音對(duì)策以及必要的EMC對(duì)策元器件的選擇方法。
2013-05-03
LTE 抑制噪聲
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IGBT市場(chǎng)能否迎來“第二春”
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得IGBT市場(chǎng)一度被看好。但隨著各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，IGBT市場(chǎng)還能再度增長(zhǎng)嗎？
2013-05-03
IGBT 電力電子
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實(shí)例解析:如何設(shè)計(jì)LED路燈電源
LED路燈是一種固態(tài)冷光源，具有環(huán)保無污染、耗電少、光效高、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，已經(jīng)逐漸成為道路照明節(jié)能改造的最佳選擇。本文實(shí)例分析四種LED路燈電源設(shè)計(jì)方法，并對(duì)其優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析，以便大家選擇合適的設(shè)計(jì)方法。
2013-04-30
LED LED電源 LED路燈
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CCFF,一種優(yōu)化PFC能效的創(chuàng)新技術(shù)
歐盟的IEC61000-3-2諧波含量標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了功率大于25 W的照明應(yīng)用的總諧波失真性能，最大限制相當(dāng)于總諧波失真(THD)< 35%，功率因數(shù)(PF)>0.94。因此提高產(chǎn)品能效顯得十分重要。創(chuàng)新的電流控制頻率反走(CCFF)技術(shù)使模擬功率因數(shù)校正(PFC)控制器能夠在完整負(fù)載范圍內(nèi)提供高能效，并且還可以完成快速瞬...
2013-04-25
CCFF PFC LED驅(qū)動(dòng)
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第三講：LED驅(qū)動(dòng)電源功率因數(shù)如何提高?
隨著LED應(yīng)用的逐漸普及，21世紀(jì)逐步進(jìn)入以LED為代表的新型固體光源時(shí)代。LED的發(fā)展離不開高功率、長(zhǎng)壽命、低成本的驅(qū)動(dòng)電源，市場(chǎng)上的LED驅(qū)動(dòng)電源往往功率因數(shù)不達(dá)標(biāo)。因此，如何提高LED驅(qū)動(dòng)電源的功率因數(shù)具有很強(qiáng)的理論意義與現(xiàn)實(shí)意義。
2013-04-24
LED LED驅(qū)動(dòng)電源 功率因數(shù)
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Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴(kuò)大至150V，為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的同步整流。
2013-04-24
MOSFET 整流 Vishay
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