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滿足市場(chǎng)對(duì)下一代碳化硅器件的需求

發(fā)布時(shí)間:2023-11-23 來源:安森美 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來充滿了激動(dòng)人心的可能性,但同時(shí)也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如,雖然太陽能可以提供無限的能源,但要想成功商業(yè)化,設(shè)計(jì)人員必須提供更高的功率和效率,同時(shí)不增加成本或尺寸。

 

在汽車領(lǐng)域,目前電動(dòng)汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及,但由于人們擔(dān)心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時(shí)間和續(xù)航里程有限等問題,電動(dòng)汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下,設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量,包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件,并不斷降低成本。

 

碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)

 

硅基半導(dǎo)體器件自問世以來一直是功率應(yīng)用的主流。性能的提高加上電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涞膭?chuàng)新,確保效率水平持續(xù)提升,從而滿足大多數(shù)應(yīng)用的要求。

 

然而,面對(duì)不斷提升的性能需求,硅基半導(dǎo)體進(jìn)一步改進(jìn)的空間有限,促使在新應(yīng)用中更多采用寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體,如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。

 

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圖 1:多種應(yīng)用可受益于 SiC 器件的特性

 

SiC 功率半導(dǎo)體本身具有較高的電子遷移率和飽和速度,可在較高頻率下以相對(duì)較低的損耗運(yùn)行,從而減小了開關(guān)應(yīng)用中體積龐大的磁性器件的尺寸和成本。

 

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圖 2:SiC 為電力系統(tǒng)帶來諸多優(yōu)勢(shì)

 

WBG 器件還具有較低的導(dǎo)通損耗,有助于提高效率。這使得充電器能夠更快地為電池充電,并降低了散熱要求,使得散熱器可以更小、更便宜。由于 SiC 能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫 (Tj) 下工作,因此進(jìn)一步降低了對(duì)散熱器的需求。

 

為了進(jìn)一步提高效率,應(yīng)用正在轉(zhuǎn)向更高電壓,以減小電流,從而降低損耗。例如,在過去幾年中,太陽能應(yīng)用中的直流母線電壓已從 600 V 升至 1500 V。同樣,電動(dòng)汽車中的 400 VDC 總線(基于電池電壓)已升至 800 V 甚至 1000 V。

 

在此之前,750 V 額定值的硅基功率半導(dǎo)體幾乎可以滿足所有應(yīng)用的需要。不過,為了確保有足夠的耐壓能力實(shí)現(xiàn)安全可靠的運(yùn)行,額定電壓為 1200 V 或 1700 V 的器件還是有必要的。幸運(yùn)的是,SiC 的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是能夠在這些高電壓下工作。

 

基于 SiC 技術(shù)的最新開關(guān)器件

 

為滿足汽車和太陽能等關(guān)鍵應(yīng)用對(duì)更高擊穿電壓的需求,安森美 (onsemi) 最近推出了 1700V M1 平面 EliteSiC MOSFET 器件,非常適合需要快速開關(guān)、高效率運(yùn)行的應(yīng)用。

 

作為首批商用器件之一,NTH4L028N170M1 具有 1700 V 的 VDSS,擴(kuò)展 VGS 為 -15/+25 V,RDS (ON) 典型值僅為 28 mÙ,因此適用于目前在用的最高電池電壓。由于能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下連續(xù)運(yùn)行,因此無需使用風(fēng)扇(可能不夠可靠)或散熱器等散熱措施。在某些應(yīng)用中,完全不需要額外的散熱。

 

NTH4L028N170M1 的另一個(gè)有用特性是 TO-247-4L 封裝內(nèi)的開爾文源連接,可改善功耗并降低柵極引腳上的噪聲。

 

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圖 3:安森美的新型 1700 V EliteSiC MOSFET

 

為支持新型 MOSFET,安森美還發(fā)布了 D1 系列 1700 V SiC 肖特基二極管,包括 NDSH25170A 和 NDSH10170A。高額定電壓可使設(shè)計(jì)受益于反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)之間的額外電壓裕量,從而提高可靠性。此外,D1 肖特基二極管有著較低的最大正向電壓 (VFM) 值和出色的反向漏電流,即使在高溫條件下也能確??煽康母邏哼\(yùn)行。

 

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圖 4:安森美的新型 1700 V 肖特基二極管

 

新型二極管采用 TO-247-2 封裝或裸片形式,以適應(yīng)各種應(yīng)用的機(jī)械限制。

 

保障 SiC 器件的供應(yīng)

 

鑒于 SiC 器件在太陽能和電動(dòng)汽車等大批量、高增長(zhǎng)應(yīng)用中的性能和受歡迎程度,全球供應(yīng)鏈的緊張情況也就不足為奇了。在某些情況下,這限制了太陽能裝置或電動(dòng)汽車的交付數(shù)量,因此在進(jìn)行器件選擇過程中,制造商的供應(yīng)能力至關(guān)重要。

 

安森美最近收購了 GT Advanced Technology (GTAT),因此,我們成為具有端到端能力的大型 SiC 供應(yīng)商,包括晶錠批量生長(zhǎng)、襯底制備、外延、器件制造、出色的集成模塊和分立式封裝解決方案。

 

為滿足市場(chǎng)對(duì) SiC 器件的持續(xù)需求,安森美的路線圖是在 2024 年之前大幅提高襯底、器件和模塊的產(chǎn)能,并制定了更加雄心勃勃的中期計(jì)劃。

 

 

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