【導(dǎo)讀】瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場(chǎng)和客戶(hù)認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。
碳化硅MOS 芯片具有優(yōu)異的高頻特性，在高頻應(yīng)用中，傳統(tǒng)的TO-247封裝會(huì)制約其高頻特性。瑞森半導(dǎo)體因應(yīng)客戶(hù)需求及為進(jìn)一步提升碳化硅MOS性能，特開(kāi)發(fā)出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產(chǎn)品。
1. TO-247 四引腳封裝和三引腳封裝差異
四引腳封裝TO-247與三引腳封裝TO-247相比較，外形上明顯多了一引腳，增加的引腳為驅(qū)動(dòng)器源極引腳。腳位排列由TO-247 三引腳封裝的G-D-S變?yōu)镈-S(P)-S(D)-G,其中第二引腳 S(P)接負(fù)載端，三引腳S(D)接驅(qū)動(dòng)端。
對(duì)于傳統(tǒng)三引腳TO-247封裝。其反電動(dòng)勢(shì)VLS（＝LS*dID/dt）由源極電源線(xiàn)的電感分量L和漏極電流斜率dI dID/dt產(chǎn)生，電壓VGS的是施加在芯片的柵極和源極漏極。這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將實(shí)際施加的電壓從設(shè)定的柵極電壓降低，且開(kāi)關(guān)速度特別是開(kāi)通速度將會(huì)減慢。
通過(guò)增加用于柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子，可以分離電源線(xiàn)中的電流和柵極驅(qū)動(dòng)線(xiàn)中的電流，以減小柵源電壓電感的影響。四引腳的封裝的TO-247-4L將驅(qū)動(dòng)側(cè)的源端直接連接在芯片的位置，與負(fù)載側(cè)的源線(xiàn)分離，這樣使其不易受到驅(qū)動(dòng)電壓的影響。從而提高了碳化硅MOS的高速開(kāi)關(guān)性能。
2. 四引腳封裝(TO-247-4L)優(yōu)勢(shì)
四引腳封裝的TO-247-4L碳化硅MOS,可充分發(fā)揮出碳化硅MOS 本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與傳統(tǒng)三引腳封裝TO-247相比,開(kāi)關(guān)損耗可降低約 30-35%,能進(jìn)一步降低電路的損耗。
導(dǎo)通損耗：與沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色虛線(xiàn)）相比，有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品（紅色虛線(xiàn)）導(dǎo)通時(shí)的ID上升速度更快。通過(guò)比較，可以看出TO-247封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色線(xiàn)）的開(kāi)關(guān)損耗為 2700J，而TO-247-4L封裝產(chǎn)品（紅色線(xiàn)）為1700J，開(kāi)關(guān)損耗減少約35%，減幅顯著。
關(guān)斷損耗：關(guān)斷時(shí)的波形可以看出，TO-247封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色實(shí)線(xiàn)）的開(kāi)關(guān)損耗為2100J，TO-247-4L封裝產(chǎn)品（紅色實(shí)線(xiàn)）為1450J，開(kāi)關(guān)損耗降低約30%。
3. 瑞森半導(dǎo)體碳化硅MOS系列產(chǎn)品
瑞森半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，目前已擁有完整系列碳化硅MOS產(chǎn)品，各型號(hào)產(chǎn)品同時(shí)具備TO-247-3L及TO-247-4L 兩種封裝，給客戶(hù)提供更多選擇。
瑞森半導(dǎo)體一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。 未來(lái)會(huì)繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新型元器件的開(kāi)發(fā), 同時(shí)提供包括碳化硅產(chǎn)品在內(nèi)的解決方案,為進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻(xiàn)力量。
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