【導(dǎo)讀】該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制,并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通,在選取MOSFET時(shí)應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。
功率MOSFET的寄生導(dǎo)通
實(shí)際上,功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通(不希望發(fā)生的事件)的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高,造成的損失也更大。寄生導(dǎo)通通常會(huì)損壞MOSFET,且之后很難查出故障的根源。寄生導(dǎo)通機(jī)制取決于漏源和柵源電壓間的電容分壓比例 。
圖1是一個(gè)基本的半橋配置,該半橋是H橋或三相橋的一部分。如果半橋上管的MOSFET導(dǎo)通了,為了避免直通和因過流而可能出現(xiàn)的MOSFET故障,必須關(guān)斷半橋下管的一個(gè)MOSFET。
圖1 MOSFET半橋及其感性負(fù)載
此時(shí),可通過下列公式(1)計(jì)算出柵極和源極間的電壓:
因此,即便驅(qū)動(dòng)電路試圖關(guān)斷半橋下管的MOSFET,即驅(qū)動(dòng)電路將柵極和源極間的電壓置為0(UGS=0V),但由于漏源電壓發(fā)生變化,且分壓線路包含米勒電容(CGD)和柵源電容,所以MOSFET仍然有導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。電容分壓器是最快的分壓器,對(duì)漏源之間出現(xiàn)的所有瞬態(tài)電壓反應(yīng)極快,并對(duì)其中的高頻瞬態(tài)電壓(即du/dt高的UDS )反應(yīng)尤其快。在柵極和源極之間安裝一個(gè)電阻在一定程度上可以防范寄生導(dǎo)通,但作用很小且對(duì)高du/dt值無作用。
下面的例子闡述了這些電壓到底有多高,多快:
圖2是具有寄生元件的逆變器橋臂的半橋配置。電路布局,幾何約束或MOSFET連接線所造成的寄生電感,電阻和電容是無法避免的。另一方面,逆變器所在的電路具有最高的di/dt值(典型值約為1A/ns),而電機(jī)的相電流和電源線里的電流變化相對(duì)平穩(wěn)。
圖2 具有寄生電感(綠色部分)的逆變器半橋基本設(shè)計(jì)圖
MOSFET里的二極管恢復(fù)脈沖常常在半橋里產(chǎn)生最高的di/dt。寄生電感和高di/dt感應(yīng)同時(shí)出現(xiàn)或多或少會(huì)產(chǎn)生高感應(yīng)電壓尖峰,并在半橋里產(chǎn)生大量地高頻噪聲。根據(jù)寄生電感的尺寸,在12V應(yīng)用中會(huì)出現(xiàn)過壓和欠壓尖峰,范圍是1-2V和幾十伏。除了產(chǎn)生高頻噪聲,這些電壓尖峰還會(huì)危害MOSFET,橋式驅(qū)動(dòng)器和其它的ECU元件。此外,它們還會(huì)使功率MOSFET意外導(dǎo)通。
為避免寄生導(dǎo)通,如何選取MOSFET
再看公式(1):
為了防止寄生導(dǎo)通,UGS/UDS比必須盡量小,UDS/UGS 比必須盡量大,CGS/CGD比也必須盡量大。因此,建議:
為了對(duì)寄生導(dǎo)通反應(yīng)低敏,CGS/CGD 比必須盡量大,大于15(或者最小大于10)。
下面的例子說明了如何從數(shù)據(jù)手冊摘錄所需的值(本例中的器件為用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的 IPB80N04S3-03, OptiMOS-T 40V功率MOSFET):
由于:
可以計(jì)算出:CGD_typ=240pF 且CGS_typ=5360pF。CGS/CGD 比是22.3,這個(gè)值完全可以防止寄生導(dǎo)通。
圖3 數(shù)據(jù)手冊中的電容值
為了獲知這些電容值和電源電壓大小之間的關(guān)系,數(shù)據(jù)手冊還提供了柵漏電容和柵源電容與漏源電壓之間的關(guān)系,圖4是它們之間關(guān)系的曲線圖。
圖5比較了MOSFET在不同的大電流應(yīng)用中(如安全關(guān)鍵電子助力轉(zhuǎn)向,或電子液壓助力轉(zhuǎn)向,或發(fā)電機(jī))的Cgs/Cgd比??梢钥闯鍪褂肐PB160N04S3-H2后,不會(huì)發(fā)生寄生導(dǎo)通了,而使用其它兩個(gè)MOSFET,仍然可能發(fā)生寄生導(dǎo)通。
圖4 柵漏電容和柵源電容與漏源電壓的典型關(guān)系
圖5 MOSFET在不同的大電流應(yīng)用中CGS/CGD 的比
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