硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎?意法半導(dǎo)體超結(jié)MDmesh案例研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-01 來源:Filippo Di Giovanni 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來,半導(dǎo)體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進(jìn)展,改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術(shù)進(jìn)步,在封城隔離期間我們就無不可能遠(yuǎn)程辦公,與外界保持聯(lián)系??傊瑳]有半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步,人類就無法享受科技奇跡。
舉個(gè)例子,處理器芯片運(yùn)算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力,在芯片單位面積上擠進(jìn)更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律,晶體管密度每18個(gè)月左右就提高一倍,這個(gè)定律控制半導(dǎo)體微處理器迭代50多年?,F(xiàn)在,我們即將到達(dá)原子學(xué)和物理學(xué)的理論極限,需要新的技術(shù),例如,分層垂直堆疊技術(shù)。
同時(shí),我們也正處于另一場革命浪潮之中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導(dǎo)體正在快速發(fā)展,這些新材料具有獨(dú)特的物理性質(zhì),可以提高器件的能效和功率密度,能夠在更惡劣的熱環(huán)境內(nèi)安全工作。
意法半導(dǎo)體已經(jīng)量產(chǎn)STPOWER SiC MOSFET,這將有助于推進(jìn)電動(dòng)汽車(EV)應(yīng)用,引爆汽車大規(guī)模電動(dòng)化時(shí)代,最終實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛和綠色出行。
在本世紀(jì)初出現(xiàn)的超結(jié)MOSFET是一場高壓(即200V以上)硅基功率晶體管的技術(shù)革命。直到20世紀(jì)90年代末,芯片設(shè)計(jì)者還不得不接受這樣一個(gè)“公理”,即平面晶體管的品質(zhì)因數(shù)(導(dǎo)通電阻與芯片面積的乘積)與擊穿電壓BV成正比,比例最高到2.5。這個(gè)公理意味著,在給定的電壓下,要達(dá)到較低的導(dǎo)通電阻值,唯一的解決辦法就是增加芯片面積,而這一結(jié)果是小封裝應(yīng)用變得越來越難。通過使上述關(guān)系接近線性,超結(jié)技術(shù)拯救了高壓MOSFET。意法半導(dǎo)體將該技術(shù)命名為MDmesh,并將其列入STPOWER的子品牌。
超結(jié)晶體管的原理
超結(jié)晶體管的工作原理是利用一個(gè)簡化的麥克斯韋方程,例如,只有垂直軸y的一維坐標(biāo)系,該方程規(guī)定y軸上的電場斜率等于電荷密度r 除以介電常數(shù)e ,用符號表示:dE/dy=r/e。另一個(gè)方程是代表電壓V和y軸上的電場分量E的關(guān)系,即E=-dV/dy。換句話說,電壓V是E的積分,或用幾何術(shù)語表示,E曲線下的面積是y的函數(shù)。我們可以通過比較標(biāo)準(zhǔn)平面MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)和相同尺寸的超結(jié)MOSFET來了解它們的工作原理。本質(zhì)上,超結(jié)是在垂直漏極內(nèi)部延長基本晶體管的p體,實(shí)現(xiàn)一個(gè)p型柱。
在平面結(jié)構(gòu)(圖1左圖和圖表)中,從芯片表面開始沿y軸向下,我們看到p體,在到達(dá)A點(diǎn)前,場強(qiáng)斜率一直是正值。從A點(diǎn)到B點(diǎn)是電荷極性為負(fù)的漏極,因此,場強(qiáng)斜率從正變負(fù)。從B點(diǎn)到襯底,負(fù)電荷密度變得更大(n-),所以,場強(qiáng)斜率上升。圖中的綠色區(qū)域表示在關(guān)斷狀態(tài)下可以維持的電壓。在右邊的超結(jié)圖中,p型柱的加入改變了電場分布情況。事實(shí)上,從C點(diǎn)到A點(diǎn),電場分布保持恒定(體和柱的極性相同),然后,因?yàn)槁O和襯底的原因,場強(qiáng)變化與平面結(jié)構(gòu)相同,斜率變負(fù)。因此,在電場下方的區(qū)域更大,電壓V2得以維持,這就是P型柱的神奇之處?,F(xiàn)在,在給定的電壓下,我們就可以降低漏極電阻率和導(dǎo)通電阻。
圖1平面MOSFET(左)和超結(jié)MDmesh MOSFET(右)
技術(shù)演變過程
自從問世以來,MDmesh晶體管不斷地被改進(jìn)和完善,如今仍然有大量的變電設(shè)備在使用MDmesh晶體管。垂直p型柱的制造工藝已經(jīng)過大幅優(yōu)化,確保晶體管具有更好的制造良率和工作穩(wěn)健性。根據(jù)目標(biāo)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和應(yīng)用需求,現(xiàn)在工程師可以選用不同的專用產(chǎn)品系列,這種在技術(shù)層面的多用途和靈活性為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來更多的選擇。在400V至650V電壓范圍內(nèi),通用M2系列具有非常高的性價(jià)比,另外,還有應(yīng)用范圍覆蓋PFC、軟開關(guān)LLC和電橋拓?fù)涞哪蛪禾岣咧?700V的專用產(chǎn)品。
除此之外,意法半導(dǎo)體還引入鉑離子注入等壽命終止技術(shù)來提高寄生二極管的性能,減少反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr,提高dV/dt(DM系列)耐量。這些產(chǎn)品特性非常適用于電橋和大功率移相電路。MDmesh快速二極管款甚至可以與低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT媲美,而無需在封裝內(nèi)再增加一個(gè)二極管。冰箱壓縮機(jī)150W逆變器是一個(gè)提高能效的典型例子,如圖2所示。
圖2:MDmesh快速二極管款MOSFET與DPAK封裝IGBT在壓縮機(jī)逆變器應(yīng)用中的能效曲線比較圖。試驗(yàn)條件:0.23Nm (負(fù)載),220V/50Hz (輸入電壓)
應(yīng)用廣泛的MDmesh晶體管的出貨量已經(jīng)達(dá)到數(shù)十億顆。M6系列是為諧振變換器優(yōu)化的MDmesh產(chǎn)品,通過與早期的M2系列對比,意法半導(dǎo)體設(shè)計(jì)師在迭代改進(jìn)方面花了不少心血,如圖3所示。
圖3:從M2到M6:柵極電荷、閾值電壓和輸出電容三項(xiàng)指標(biāo)被全面改進(jìn)
在圖3中,從左到右,我們看到較低的柵極電荷、較高的閾值電壓和更加線性的電壓和輸出電容比,這些特性可以產(chǎn)生較高的開關(guān)頻率、較低的開關(guān)損耗,在較輕的負(fù)載下實(shí)現(xiàn)更高的能效。
超結(jié)晶體管基礎(chǔ)技術(shù)結(jié)合先進(jìn)的制造工藝,通過對dI/dt、dV/d等重要開關(guān)參數(shù)給與特別考慮,意法半導(dǎo)體創(chuàng)造了一種高性能的高壓MOSFET,如圖4的安全工作區(qū)圖所示。由于這些改進(jìn),DM6 MDmesh系列非常適合太陽能逆變器、充電站、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC)等應(yīng)用。
圖4 dI/dt與dV/dt安全工作區(qū)域
應(yīng)用領(lǐng)域
意法半導(dǎo)體的MDmesh晶體管的應(yīng)用非常廣泛,我們只能從中選擇幾個(gè)有代表性的用例展示產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)。
手機(jī)充電適配器是規(guī)模較大的MDmesh應(yīng)用領(lǐng)域,圖5是一個(gè)120W充電適配器。
圖5:手機(jī)充電適配器中的MDmesh
圖6描述了“定制型”M5系列和基本型M2系列在功率較高的1.5kW功率因數(shù)校正電路中的能效比較。兩個(gè)MOSFET具有相似的導(dǎo)通電阻(M5和M2的導(dǎo)通電阻分別為37和39 mOhm)和反向耐壓(650V)。
圖6:M5系列(藍(lán)線)如何在大功率條件下提高PFC能效
圖7所示是一個(gè)有趣的例子,在車載充電機(jī)OBC的3kW半橋LLC電路中,在Vin=380V-420V、Vout=48V、開關(guān)頻率f=250Hz-140kHz條件下,意法半導(dǎo)體最新的DM6系列 (STWA75N65DM6)與競品比較。
圖7 :3kW全橋LLC:關(guān)斷電動(dòng)勢與輸出功率比;能效比與輸出功率比
圖8是損耗分類分析圖,表明導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的優(yōu)化組合是達(dá)到最低損耗和最高能效的關(guān)鍵因素。
圖8:3kW全橋LLC變換器中各種損耗根源分析
此外,快速增長的5G技術(shù)也將受益于MDmesh技術(shù)創(chuàng)新。5G系統(tǒng)蜂窩小區(qū)密度連續(xù)提高,而基站卻不斷地小型化,從微蜂窩向微微蜂窩發(fā)展,在能效、產(chǎn)能、競爭力和性能方面占優(yōu)的MDmesh是中繼器電源芯片的絕佳選擇。
為了使5G系統(tǒng)的工作能效超過98%,PFC級和DC-DC變換器級的能效都必需達(dá)到99%。PFC的解決方案可以是MCU數(shù)控三角形電流模式(TCM)三通道交錯(cuò)無橋圖騰柱電路。TCM系統(tǒng)使變換器能夠執(zhí)行零電壓開關(guān)操作,從而顯著降低開關(guān)損耗??傮w上,最后得到一個(gè)平滑的能效曲線,能效在低負(fù)載時(shí)表現(xiàn)良好,此外,還可以使用尺寸更小的電感器、EMI擾濾波器和輸出電容。
MDmesh晶體管為5G無線系統(tǒng)的推出鋪平了道路。
擴(kuò)散焊接和封裝
擴(kuò)散焊接工藝是下一代MDmesh產(chǎn)品的另一個(gè)有趣的創(chuàng)新技術(shù)。
在標(biāo)準(zhǔn)焊接工藝(軟釬焊)中,金屬間化合物(IMP)的形成是鍵合的基礎(chǔ),IMP包括界面上的金屬間化合物薄層和各層中間未反應(yīng)焊料。熱循環(huán)后標(biāo)準(zhǔn)軟焊點(diǎn)失效機(jī)理分析發(fā)現(xiàn),在未反應(yīng)焊料體積內(nèi)出現(xiàn)疲勞裂紋擴(kuò)大現(xiàn)象。
硬度和脆性是所有金屬間化合物的兩個(gè)重要性質(zhì),這兩個(gè)性質(zhì)會(huì)降低材料的延伸性。眾所周知,在熱機(jī)械應(yīng)力作用下,脆性會(huì)導(dǎo)致設(shè)備失效,從而降低電子設(shè)備的可靠性。
此外,在焊料層中有大小不同的空隙,這不僅會(huì)降低芯片和引線框架之間的熱連接可靠性,而且還可能產(chǎn)生“熱點(diǎn)”,即局部溫度非常高的微觀體積。另一個(gè)要考慮的效應(yīng)是MOSFET參數(shù)與溫度關(guān)系緊密,例如,隨著溫度升高,導(dǎo)通電阻變大,而閾值電壓降低。雖然前一種趨勢具有穩(wěn)定作用,但后一種趨勢可能對器件有害,尤其是在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間。
為了克服這些問題,業(yè)界正在開發(fā)一種結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)焊接與擴(kuò)散焊接特性的等溫?cái)U(kuò)散焊接新工藝。
本質(zhì)上,這種工藝是通過在界面生長IMP來使低熔點(diǎn)材料(例如Sn-Cu焊膏)和高熔點(diǎn)材料(例如來自襯底的Cu)發(fā)生的一種反應(yīng)。
與傳統(tǒng)焊接不同,這種焊接工藝是在焊接過程中,不限于冷卻后,通過等溫凝固方法形成焊點(diǎn)。
形成熔點(diǎn)非常高的合金相這一優(yōu)點(diǎn)還有助于產(chǎn)生優(yōu)異的機(jī)械穩(wěn)健性。因?yàn)殡娏Ψ庋b產(chǎn)品的結(jié)溫會(huì)達(dá)到200°C,新擴(kuò)散焊接技術(shù)可以改善芯片與基板的連接性能,確保工作溫度不超過會(huì)焊接工藝溫度,導(dǎo)致晶體管過早失效。
通過改善熱性能,新焊接工藝解決了軟釬焊的一些缺點(diǎn),所以,芯片的電氣性能更好。這種焊接工藝與新的封裝概念是完美組合,例如,TO-LL(TO無引腳)等SMD表面貼裝器件具有非常好的封裝面積與熱阻比率,還配備了開爾文引腳,關(guān)斷能效更高,因此,可以用M6解決硬開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì)問題與或用導(dǎo)通電阻更低的MD6系列設(shè)計(jì)電橋電路。
圖9:TO-LL封裝與SMD封裝對比
為了更全面地介紹這個(gè)封裝,圖9展示了一個(gè)叫做ACEPACK™ SMIT(貼裝隔離正面散熱)的創(chuàng)新的分立電源模塊,如圖9所示。這種模壓引線框架封裝包含一個(gè)DBC(直接鍵合銅)基板,可以安裝多個(gè)分立芯片,實(shí)現(xiàn)各種拓?fù)?。ACEPACK SMIT的0.2 °C/W低熱阻率令人印象深刻,背面陶瓷確保最小絕緣電壓達(dá)到3400VRMS(UL認(rèn)證)。
圖10:ACEPACK SMIT封裝
圖11:ACEPACK SMIT內(nèi)部配置的靈活性
MDmesh的未來
經(jīng)過20多年的發(fā)展,STPOWER MDmesh技術(shù)不斷進(jìn)步,與意法半導(dǎo)體創(chuàng)新性的寬帶隙半導(dǎo)體一起,繼續(xù)為市場帶來各種類型的功率晶體管。圖12所示是不斷迭代的MDmesh晶體管與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓比值及其物理學(xué)理論極限,其中M9和K6現(xiàn)已量產(chǎn)。為了解釋的更清楚,K5和K6代表非常高的電壓(從800V到1700伏)技術(shù)。
圖12:MDmesh導(dǎo)通電阻演變
為了滿足不同應(yīng)用的需求,MDmesh產(chǎn)品經(jīng)過多次升級換代,圖13是從第一代MOSFET到TrenchFET的迭代圖。
下一步計(jì)劃是什么呢?在推出MD6之后,意法半導(dǎo)體新的目標(biāo)的是將溝槽柵極結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用到超級結(jié)中,這會(huì)讓MDmesh又向前邁出一大步,然后將溝槽柵極結(jié)構(gòu)擴(kuò)展到SiC等未來的開創(chuàng)性技術(shù)。通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)整和優(yōu)化,寬帶隙技術(shù)有望在現(xiàn)有的硅技術(shù)上全面改進(jìn)性能,這個(gè)性能征程勢必會(huì)帶來更多的驚喜!
圖13: MDmesh里程碑: 走向溝槽柵極技術(shù)
編輯注:
Filippo Di Giovanni 是意法半導(dǎo)體功率晶體管事業(yè)部的戰(zhàn)略營銷、創(chuàng)新和大項(xiàng)目經(jīng)理,常駐意大利卡塔尼亞。作為技術(shù)營銷經(jīng)理,他幫助推出了第一款帶狀MOSFET,并在 90 年代末協(xié)調(diào)參與了“超結(jié)”高壓 MOSFET(MDmeshTM) 的開發(fā),見證了硅功率半導(dǎo)體的突破。
2012年,他負(fù)責(zé)開發(fā)首批 1,200V 碳化硅 (SiC) MOSFET,為意法半導(dǎo)體取得當(dāng)今市場領(lǐng)導(dǎo)者,和各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域(包括不斷增長的電動(dòng)汽車市場)的主要供應(yīng)商(之一)的地位做出了貢獻(xiàn)。
Di Giovanni 博士的研發(fā)經(jīng)歷還包括研究用于功率轉(zhuǎn)換和射頻領(lǐng)域的硅基氮化鎵(GaN-on-Si) HEMT。他經(jīng)常受邀參加各種功率轉(zhuǎn)換相關(guān)的會(huì)議和研討會(huì),他還負(fù)責(zé)與ST 的重要行業(yè)合作伙伴共同開發(fā)硅基氮化鎵。
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
特別推薦
- 儲能系統(tǒng):如何輕松安全地管理電池包
- 貿(mào)澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索智能家居的聯(lián)網(wǎng)需求和所需的技術(shù)
- 貿(mào)澤電子、Silicon Labs和Arduino聯(lián)手贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽比賽現(xiàn)已開放報(bào)名
- Nexperia優(yōu)化齊納二極管產(chǎn)品組合,以解決過沖和噪聲現(xiàn)象
- 大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于炬芯科技產(chǎn)品的藍(lán)牙音箱方案
- 德承強(qiáng)固型嵌入式工控機(jī) 搶攻Edge AI應(yīng)用市場
- Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
技術(shù)文章更多>>
- 從幾大典型場景,看安森美賦能邊緣智能應(yīng)用的高性能“產(chǎn)品力”
- 【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
- 深入探討適用于低功耗工業(yè)電機(jī)控制的CANopen協(xié)議
- 是德科技掀起新革命:通用示波器正式邁入14bit ADC時(shí)代
- DigiKey與 Lippincott 合作品牌煥新項(xiàng)目榮獲2025年度 Graphis 設(shè)計(jì)大賽金獎(jiǎng)
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索