SGM6612A采用固定頻率峰值電流拓?fù)浼軜?gòu)來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓，能夠以最小的輸出電容提供出色的線性和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。中等或重載條件下，SGM6612A采用脈寬調(diào)制（Pulse Width Modulation，PWM）模式；輕負(fù)載條件下，SGM6612A進(jìn)入自動(dòng)脈沖頻率調(diào)制（Pulse Frequency Modulation，PFM）模式以提高效率。

 

圖1 SGM6612A功能框圖

 

一顆出色的模擬芯片該具備怎樣的性能？

 

從圖1可以看出，SGM6612A所需要的外部器件很少，并且還提供一個(gè)單獨(dú)的DISDRV引腳來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載輸出端的外部FET，在設(shè)備關(guān)斷或輸出短路時(shí)能完全斷開(kāi)輸入與輸出的連接。啟動(dòng)時(shí)，通過(guò)內(nèi)部55μA吸入電流源來(lái)控制外部P-FET開(kāi)關(guān)。如果電感電流達(dá)到了短路保護(hù)電流限制閾值（典型值20A），或者輸出電壓降低到了正常輸出值的70%，SGM6612A將進(jìn)入自動(dòng)切斷短路保護(hù)（Hiccup）模式并提供90ms的短路保護(hù)，并在短路條件解除后自動(dòng)恢復(fù)。此外，該裝置還提供輸出過(guò)壓保護(hù)、電感限流保護(hù)和熱關(guān)機(jī)保護(hù)機(jī)制。

 

圖2 輸出短路保護(hù)

 

圖3-圖8展示了SGM6612A（左）與競(jìng)品（右）在不同條件下的性能對(duì)比：

 

圖3 電感3.3μH、輸出16V時(shí)不同負(fù)載的效率曲線對(duì)比

 

不同輸入電壓下（設(shè)定16V），不同輸出負(fù)載下的輸出電壓（Output Voltage vs. Load），SGM6612A有更好的負(fù)載調(diào)整率。

 

圖4 不同輸入電壓、不同輸出負(fù)載下的輸出電壓對(duì)比

 

在輸入電壓6V至14V、輸出電壓16V、開(kāi)關(guān)頻率500kHz條件下，P-FET連接在電路中，3A滿載輸出電流下的各項(xiàng)實(shí)測(cè)值。

 

01 輸出1A負(fù)載的紋波電壓時(shí)，SGM6612A紋波電壓都在輸出值的0.5%以內(nèi)

 

圖5 輸出1A負(fù)載的紋波電壓對(duì)比

 

02 負(fù)載變化瞬態(tài)響應(yīng)

 

圖6 負(fù)載變化瞬態(tài)響應(yīng)

 

03 輸出短路時(shí)的芯片響應(yīng)

 

圖7 輸出短路時(shí)的芯片響應(yīng)

 

04 輸出短路釋放后的實(shí)際響應(yīng)

 

圖8 輸出短路釋放后的實(shí)際響應(yīng)

 

上述測(cè)試數(shù)據(jù)可以看出，SGM6612A支持最高2.2MHz的可編程電阻開(kāi)關(guān)頻率；采用峰值電流控制拓?fù)湟员Ｗo(hù)器件在升壓運(yùn)行階段不會(huì)過(guò)載；具有短路保護(hù)功能和過(guò)壓保護(hù)功能；在輕載條件下自動(dòng)強(qiáng)制PFM模式，通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率，最高效率可達(dá)95%。

 

特征

 

●   輸入電壓范圍：2.7V至16V

●   輸出電壓范圍：4.5V至20V

●   高達(dá)10A可編程電阻器電流限制

●   集成兩個(gè)14mΩ低導(dǎo)通電阻內(nèi)部FET

●   在輸入電壓7.2V、輸出電壓16V、輸出電流2A時(shí)，效率高達(dá)95%

●   電阻器開(kāi)關(guān)頻率可編程，高達(dá)2.2MHz

●   用于負(fù)載斷開(kāi)的門(mén)驅(qū)動(dòng)器

●   自動(dòng)切斷短路保護(hù)功能

●   過(guò)電壓保護(hù)

●   輕載自動(dòng)PFM模式

●   綠色TQFN-3×3.5-13L封裝

 

 

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