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如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求

發(fā)布時(shí)間:2020-06-10 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求,對(duì)活動(dòng)和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定,還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測。
  
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求,對(duì)活動(dòng)和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定,還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測。
 
在這些情況下,有效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于電源轉(zhuǎn)換器控制電路或轉(zhuǎn)換器的核心器件,以及功率開關(guān)器件及其支持組件。這些器件主要用于實(shí)現(xiàn)選定的電源拓?fù)?,以所需的電壓和電流提供穩(wěn)定的直流輸出。轉(zhuǎn)換器可以包含集成功率器件(例如 MOSFET),抑或作為碳化硅 (SiC) 功率器件等外部分立功率器件的控制器和驅(qū)動(dòng)器。有些轉(zhuǎn)換器為整個(gè)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的直流電源軌,另一些的功能則不甚顯著,但仍起著至關(guān)重要的作用,充當(dāng)具有特殊通斷屬性的柵極驅(qū)動(dòng)器。
 
本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌约霸O(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浼捌湎嚓P(guān)元器件之前必須考慮的因素。此外,還介紹了 ROHM Semiconductor 推出的相關(guān)元器件及其有效應(yīng)用。
 
電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)溥x擇
選擇電源轉(zhuǎn)換器以開發(fā)滿足工業(yè)應(yīng)用苛刻要求的電源時(shí),設(shè)計(jì)人員必須在多個(gè)選項(xiàng)和利弊權(quán)衡與項(xiàng)目優(yōu)先考慮因素之間取得平衡。實(shí)現(xiàn)方法眾多,但最常用的是先估算電源所需功率(以 W 為單位),并考慮是否需要輸入和輸出隔離(圖 1 和圖 2)。這兩個(gè)因素可劃出電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞目赡苓x擇。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 1:電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員可用的拓?fù)浔姸啵@些拓?fù)渫c所需的輸出功率范圍兩相對(duì)應(yīng)。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 2:每個(gè)轉(zhuǎn)換器拓?fù)涠伎梢杂脴?biāo)記了架構(gòu)核心的簡化電路圖來表示;這些拓?fù)淇砂锤綦x型(下)和非隔離型(上)分為兩類。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
請(qǐng)注意,上述均為開關(guān)模式電源 (SMPS) 拓?fù)?,而非線性模式電源。線性電源的能效較低,僅為 20% 至 40%,只有迫切需要極低輸出噪聲的利基市場應(yīng)用才可接受。工業(yè)設(shè)備則鮮少要求如此之低的功率相關(guān)噪聲。
 
事實(shí)上,確定“合適”的方法往往無法簡單敲定,畢竟影響決定的因素有很多,例如:
 
基本性能:包括輸入和輸出調(diào)節(jié)以及瞬態(tài)響應(yīng)
穩(wěn)健性:在某些情況下,有些方法對(duì)電應(yīng)力和熱應(yīng)力的耐受性更強(qiáng)
工作模式:包括連續(xù)電源、脈沖電源和高間歇性電源
超出電源額定功率的要求
解決方案成本
隔離需求
能效:詞雖簡短,含義頗深
 
幾乎所有工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器都需要進(jìn)行交流線路隔離,通常使用變壓器實(shí)現(xiàn)升壓/降壓,確保用戶安全和系統(tǒng)性能。不過,即便使用初級(jí)側(cè)變壓器,某些轉(zhuǎn)換器仍需要內(nèi)部輸入/輸出隔離(有時(shí)稱為浮動(dòng)輸出),可用于轉(zhuǎn)換器運(yùn)行、多個(gè)電源軌之間的電氣隔離或高壓軌自舉。輸入/輸出隔離可通過外加變壓器或光耦合器來實(shí)現(xiàn)。
 
能效要求決定了許多設(shè)計(jì)選擇
圍繞工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器的討論全都將能效作為首要關(guān)注點(diǎn)。電池供電設(shè)備的能效與運(yùn)行時(shí)間密切相關(guān),AC/DC 轉(zhuǎn)換器則有所不同,影響其能效的因素包括:
 
運(yùn)行成本:許多工業(yè)應(yīng)用的功率要求可達(dá)數(shù)百甚至數(shù)千瓦,而且多數(shù)應(yīng)用都須全天候運(yùn)行,這就顯得尤為重要。
 
散熱:由于空氣流通受限或缺乏主動(dòng)式冷卻,許多設(shè)備的環(huán)境溫度可能很高。過熱會(huì)使元器件產(chǎn)生應(yīng)力,縮短故障間隔,需要更換停機(jī)時(shí)間并增加成本。電源轉(zhuǎn)換器能效低會(huì)加重環(huán)境熱負(fù)荷。
 
監(jiān)管問題:許多標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)定中的最低能效均由應(yīng)用、功率水平和區(qū)域決定。此外,這些標(biāo)準(zhǔn)還定義了允許的最小功率因數(shù),因而電源轉(zhuǎn)換器和電源中可能需要添加功率因數(shù)校正 (PFC) 功能。
 
簡單的數(shù)學(xué)計(jì)算即可說明為何略微提高能效也至關(guān)重要且極富效用。試想一下,將電源轉(zhuǎn)換器能效由 65% 提高至 70%——看似只提高了 5 個(gè)百分點(diǎn)。從另一個(gè)角度來看:無功功率由 35% 降至 30%。改進(jìn)雖同樣是 5 個(gè)百分點(diǎn),但是就無功功率而言,共降低了 5/35,即約 14%。因此,將能效由 65% 提高至 70%,可使無功功率降低約 14%,從而降低成本和熱負(fù)荷,避免可能需要的額外冷卻。這是一項(xiàng)顯著改進(jìn),會(huì)直接反映在熱設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行成本中。
 
實(shí)現(xiàn)更高的能效
在 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,不存在所謂“魔彈式”能效提高法,設(shè)計(jì)人員費(fèi)盡心機(jī)往往也只能略微提高能效。但是,通過幾種大小策略組合反而有效:
 
選擇合適的轉(zhuǎn)換器核心拓?fù)?,確定最適合該方法和功率水平的開關(guān)頻率;該頻率通常在 100 kHz 至 1 MHz 之間。
優(yōu)化電路:所有基本設(shè)計(jì)中都有許多細(xì)節(jié)會(huì)產(chǎn)生無功功率,電源設(shè)計(jì)人員已經(jīng)找到了相應(yīng)方法,在一定或很大程度上使其最小化;每個(gè)方面可能只有些許改進(jìn),但積少成多。
使用本質(zhì)上有助于提高能效的有源和無源元件;對(duì)于功率器件 (MOSFET) 和某些二極管,則表示要改用基于 SiC 工藝技術(shù)的元器件。
憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的卓越性能,如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件最可行的候選材料。相較于硅器件,SiC 器件具有眾多優(yōu)勢,因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦?,包括?/div>
 
臨界電場擊穿電壓更高,因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄,大幅減小導(dǎo)通電阻。
導(dǎo)熱率更高,因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。
帶隙更寬,因而高溫下的漏電流較小。因此,SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。
作為與硅器件的粗略“數(shù)量級(jí)”比較,基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍,開關(guān)速度約是其 10 倍,25℃ 時(shí)的導(dǎo)通電阻只有其一半或更小。同時(shí),工作溫度最高可達(dá) 200℃(硅器件為 125℃),因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理得以簡化。
 
SiC 開關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14,1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET,RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性,相對(duì)于施加的脈沖寬度能夠迅速達(dá)到最大值(圖 3)。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 3:ROHM 的 SCT3105KRC14 1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET,良好的熱特性即使在脈沖驅(qū)動(dòng)下也能迅速達(dá)到平衡。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
分立式與集成式電源設(shè)計(jì)
功率水平較低時(shí),一種做法是選擇整合了轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器與相關(guān)功率開關(guān)器件的 IC。該做法的優(yōu)勢在于穩(wěn)壓器與功率器件的互連有助于優(yōu)化電路,而不可避免的寄生效應(yīng)特征也在規(guī)格書中有所描述。此外,如圖中 ROHM 的 BD9G341AEFJ-E2 所示,這款內(nèi)置 150 mΩ 功率 MOSFET 的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器最大限度地減少了對(duì)外部元器件的需求(圖 4)。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 4:ROHM 的 BD9G341AEFJ-E2 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器集成了 MOSFET 與控制器,實(shí)現(xiàn)了該解決方案幾乎所有特性,同時(shí)還將所需外部電路的數(shù)量和復(fù)雜性降至最低。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
這款小型 HTSOP-J8 器件尺寸為 4.9 × 6.0 × 1.0 mm,非常適合工業(yè)分布式電源應(yīng)用。該器件的輸入電壓范圍為 12 V 至 76 V,輸出電流可達(dá) 3 A。電流模式架構(gòu)提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)和簡單的相位補(bǔ)償設(shè)置,開關(guān)頻率范圍為 50 kHz 至 750 kHz,支持用戶設(shè)置。
 
隨著功率水平(以及電壓和電流)提高,功率器件封裝的重要性隨之提升,單獨(dú)使用分立器件的難度也相應(yīng)增大。在這種情況下,兩個(gè)或多個(gè)功率器件的預(yù)封裝模塊是更受青睞的選擇。例如,ROHM 的 BSM300D12P2E001 是一款 1200 V、300 A 的半橋模塊,具有兩個(gè) SiC 雙擴(kuò)散 MOSFET (DMOSFET) 和 SiC 肖特基勢壘二極管(圖 5)。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 5:ROHM 的 BSM300D12P2E001 模塊包含兩個(gè)相連的 SiC DMOSFET 和 SiC 肖特基勢壘二極管,從而簡化了常用半橋配置下 MOSFET 的匹配要求,并實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的性能。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
在單個(gè)模塊中整合 MOSFET 及其二極管可優(yōu)化整個(gè)組件的性能,該模塊尺寸約為 152 mm 長 × 62 mm 寬 × 17 mm 高,看似一塊細(xì)長的磚(圖 6)。此外,該模塊還包括獨(dú)立溫度傳感器(NTC 熱敏電阻),可監(jiān)控器件散熱情況,同時(shí)其結(jié)構(gòu)有助于熱管理——此電壓和電流組合下的重要考慮因素,因?yàn)樵撃K可輕松實(shí)現(xiàn)器件與電路板或散熱器的物理連接,具備機(jī)械完整性并確保與電源線的穩(wěn)固連接。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 6:ROHM 的 BSM300D12P2E001 半橋模塊封裝減輕了接線、物理安裝和散熱方面的顧慮。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
驅(qū)動(dòng)器對(duì)轉(zhuǎn)換器的有效運(yùn)行至關(guān)重要
無論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷,都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)節(jié):柵極驅(qū)動(dòng)電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動(dòng)態(tài)因素。柵極驅(qū)動(dòng)器可用于連接控制處理器輸出的相對(duì)簡單的低電平信號(hào)與開關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負(fù)載要求相對(duì)應(yīng)。
 
對(duì)于半橋或全橋等常用配置下的一對(duì)開關(guān)器件,驅(qū)動(dòng)器模塊還須確保高端和低端器件不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通,即使只是瞬間,因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致電源軌接地。此外,在某些功率器件應(yīng)用中,功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進(jìn)行電氣隔離,同時(shí)仍需為其提供相應(yīng)的性能。
 
為了滿足這些要求,一些功率器件供應(yīng)商推出了驅(qū)動(dòng)器 IC,專用于其提供的某個(gè)或多個(gè)開關(guān)器件。例如,Tamura/ROHM 的 2DU180506MR02 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 的特性和功能與上述 ROHM 半橋模塊互補(bǔ),可降低驅(qū)動(dòng)該模塊的難度,并且添加了各種保護(hù)模式(圖 7)。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 7:Tamura/ROHM 的 2DU180506MR02 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 旨在為控制處理器與 ROHM 的 BSM300D12P2E001 半橋模塊提供完整接口。(圖片來源:Tamura)
 
該柵極驅(qū)動(dòng)器模塊封裝高度僅為 24 mm,安裝于 65 mm × 100 mm 的電路板上。該電路板的連接器可用于直流電源、處理器接口和電源模塊驅(qū)動(dòng)器。此外,該柵極驅(qū)動(dòng)器還提供至關(guān)重要的監(jiān)控功能,幾乎所有功率器件都有這方面的需求,尤其是面向大功率工業(yè)應(yīng)用的器件。這些功能包括過載保護(hù)、過熱保護(hù)(連接功率模塊的熱敏電阻)、欠壓鎖定和柵極驅(qū)動(dòng)故障指示燈。
 
其他半橋柵極驅(qū)動(dòng)器則更為通用。ROHM 的 BM60212FV 是一款 1200 V 高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,適用于 N 溝道 MOSFET 和 IGBT(圖 8)。該器件使用無鐵芯變壓器來提供磁隔離,從而實(shí)現(xiàn)高端所需的電平轉(zhuǎn)換。但是,由于內(nèi)部其他功能并未隔離,因此仍歸類為非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 8:ROHM 的 BM60212FV 高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 在高端驅(qū)動(dòng)路徑的電平轉(zhuǎn)換電路中使用磁隔離;低端路徑未隔離。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
這款小型器件采用 SSOP-20W 封裝,尺寸為 6.5 × 8.1 × 2.0 mm,兼容 3 V 和 5 V 驅(qū)動(dòng)信號(hào),具有欠壓鎖定等功能。請(qǐng)注意,該 IC 通過了 AEC-Q100 認(rèn)證,即符合嚴(yán)苛的汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)。盡管“通過汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)鑒定”而非“工業(yè)級(jí)”,但是一些設(shè)計(jì)人員更傾向于在 BOM 中指明通過了 AEC-Q100 認(rèn)證的器件,藉此強(qiáng)調(diào)其產(chǎn)品可靠性可滿足工業(yè)應(yīng)用的苛刻環(huán)境條件。這些環(huán)境條件包括電涌和 EMI/RFI、極端溫度的熱應(yīng)力以及熱循環(huán)和振動(dòng)導(dǎo)致的機(jī)械故障。
 
電流測量
在許多電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,需要了解從輸出端流向負(fù)載的電流,而且這在幾乎所有工業(yè)應(yīng)用中都至關(guān)重要。在某些情況下,需要利用該電流值為轉(zhuǎn)換器提供反饋以實(shí)現(xiàn)閉環(huán)性能;在工業(yè)環(huán)境中,還需監(jiān)控負(fù)載以及電機(jī)失速或故障等情況。連續(xù)實(shí)時(shí)測量電流的一種方式是檢測負(fù)載串聯(lián)的電阻兩端的電壓。通常稱之為分流電阻器,但是在這種情況下該電阻器的作用并非如此。
 
從概念上說,這種電流測量方式只是單純應(yīng)用歐姆定律而已。然而,在大電流工業(yè)轉(zhuǎn)換器設(shè)備等實(shí)際應(yīng)用中,卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。首先,設(shè)計(jì)人員必須確定適當(dāng)?shù)碾娮柚?。此時(shí)就需要進(jìn)行權(quán)衡:電阻器阻值較大則 IR 壓降更大,可藉此提高分辨率和抗噪性,但同時(shí)耗散功率也更大,以致降低負(fù)載的軌電壓,并且可能對(duì)控制器/負(fù)載回路的穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響。
 
一般而言,開始時(shí)最好選用在最大電流下使其兩端電壓降約為 100 mV 的電阻值。經(jīng)數(shù)學(xué)計(jì)算可知,檢測電阻值僅為毫歐級(jí),與其他電路功能中常用的數(shù)千歐甚至更大的阻值形成鮮明對(duì)比。
 
確定電阻值后,設(shè)計(jì)人員就必須選擇特定的物理元器件。鑒于電流值的大小,相較于大多數(shù)其他電阻器,檢測電阻器的額定功率必須相對(duì)較大。此外,不只是室溫下可提供高精度,而必須采用相應(yīng)的材料和制造技術(shù)以確保較小的電阻溫度系數(shù) (TCR)。TCR 較小時(shí),即使環(huán)境溫度升高或因自熱引起的溫度升高,阻值也不會(huì)明顯變化。
 
ROHM 的 PSR400ITQFF0L50 分流電阻器正是一個(gè)典型范例,充分展示了這類看似簡單的無源元件之復(fù)雜性。這款 4 W 金屬元器件的阻值僅為 500 µΩ(1 mΩ 的一半)±1%(圖 9)。
 
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
圖 9:ROHM 的 PSR400ITQFF0L50 等電流檢測電阻器是精密無源元件,采用專用材料和技術(shù)制造,標(biāo)稱值僅為毫歐級(jí)且 TCR 非常小。(圖片來源:ROHM Semiconductor)
 
PSR400ITQFF0L50 看起來只是一塊彎曲的金屬板,然而物亦不可貌相。這款 5.2 × 10 mm 的元器件由銅和金屬氫化物精心混合制成,TCR 僅為 ±175 ppm/℃。該系列的其他電流檢測電阻器中,TCR 較之更大或更小者均有。相比之下,常用低成本標(biāo)準(zhǔn)電阻器的 TCR 約為 ±2000 至 ±4000 ppm/℃,是這些超小阻值金屬板型大功率分流電阻器的十至二十倍。
 
在大電流下使用分流電阻器時(shí),必須認(rèn)真考慮物理安裝、散熱以及電氣連接。對(duì)于毫歐級(jí)電阻器,開爾文連接所需的四線都必須具有極小的電阻。此外,還須具有物理連接端子,以便產(chǎn)生有效讀數(shù)且不受連接電阻影響。
 
總結(jié)
鑒于應(yīng)用環(huán)境的壓力,工業(yè)電源和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員在實(shí)現(xiàn)性能、成本、空間和可靠性要求方面均面臨著一系列獨(dú)特的挑戰(zhàn)。功率水平較高時(shí),還需要考慮能效、散熱和封裝。此外,柵極驅(qū)動(dòng)器和電流檢測問題也需要解決。
 
在充分考慮應(yīng)用要求的情況下,上述工業(yè)電源核心構(gòu)件(包括分立器件、集成器件和模塊化功率器件)可輕松應(yīng)對(duì)工業(yè)級(jí)電源和轉(zhuǎn)換器的挑戰(zhàn)。
 

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