針對(duì)不同安規(guī)，漏電流要求也不一樣，在設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意

 

32.反激拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，變壓器B值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動(dòng)作將會(huì)失控，如下，上圖為正常，下圖為飽和。

 

 

 

變壓器的磁飽和一定要確認(rèn)，重重之重，這是首條安全性能保障，包括過(guò)流點(diǎn)的磁飽和、開(kāi)機(jī)瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。

 

33.結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，散熱片使用螺絲固定參考以下表格設(shè)計(jì)，實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)增加0.5-1mm余量，參考如下表格：

 

 

BOM表上寫(xiě)的螺絲規(guī)格一定要對(duì)，不然量產(chǎn)時(shí)會(huì)讓你難受

 

34.結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，AC PIN焊線(xiàn)材的需使用勾焊，如果不是則要點(diǎn)白膠固定。

 

理由：安規(guī)要求

 

經(jīng)常被第三方機(jī)構(gòu)退回樣品，整改

 

35.傳導(dǎo)整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用

 

 

36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個(gè)參考的方向，有些情況并不是能直接套用，最主要的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。

 

 

37.關(guān)于PCB碰到的問(wèn)題，如圖，為什么99SE畫(huà)板覆銅填充的時(shí)候填不滿(mǎn)這個(gè)位置？像是有死銅一樣

 

 

 

D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖

 

 

 

把它放到頂層絲印后，完美解決。

 

 

 

38.變壓器銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo)，線(xiàn)屏蔽主要針對(duì)輻射，當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候，有可能你的輻射會(huì)差，這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線(xiàn)屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會(huì)快很多。

 

EMI整改技巧之一

 

39.測(cè)試輻射的時(shí)候，多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會(huì)有驚喜。

 

EMI整改技巧之二

 

40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對(duì)輻射影響也是很大的。

 

一個(gè)慘痛案例，一款過(guò)了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過(guò)層層排查、一個(gè)個(gè)元件對(duì)換。最終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問(wèn)題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對(duì)不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。

 

41.一個(gè)冷知識(shí)，如何測(cè)量PCB的銅箔厚度？

 

方法：在PCB板上找一條光滑且長(zhǎng)的線(xiàn)條，測(cè)量其長(zhǎng)度L，再測(cè)寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測(cè)得壓降U

 

依據(jù)電阻率公式得出以下公式：

 

 

例：取一段PCB銅箔，長(zhǎng)度L為40mm，寬度為10mm，其通過(guò)1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少u(mài)m？

 

 

42.一款36W適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對(duì)比，整改花費(fèi)時(shí)間3周。

 

變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→Np2

PCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地

注：變壓器所有出線(xiàn)沒(méi)有交叉

 

圖一（115Vac）

 

圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂(lè)觀(guān)；

 

130-200M主要原因在于PCB布局問(wèn)題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來(lái)，圖忘記保存了。

 

為了節(jié)約成本，公司并不讓我這樣做，因?yàn)樘状胖橛绊懥顺杀?，?dāng)即NG掉此PCB布局，采用圖一a方式PCB關(guān)鍵布局走線(xiàn)。

 

變壓器繞法不變：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→Np2

PCB關(guān)鍵布局：Y電容地→變壓器地→大電容地

注：變壓器內(nèi)部的初級(jí)出線(xiàn)及次級(jí)出線(xiàn)有交叉

 

圖一a （115Vac）

 

圖一a可以看出，改變PCB布局后130M-200M已經(jīng)完全被衰減，但是30-130M沒(méi)有圖一效果好，可能變壓器出線(xiàn)無(wú)交叉好一些。仔細(xì)觀(guān)察，此IC具有抖頻功能，傳導(dǎo)部分頻段削掉了一些尖峰；

 

圖一b（230Vac）

 

圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測(cè)試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線(xiàn)（紅色線(xiàn)）

 

圖一b-1（230Vac）

 

原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來(lái)一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示；

 

圖一b-2（230Vac）

 

變壓器屏蔽改成線(xiàn)屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2；

 

圖一b-3（115Vac）

 

115Vac輸入測(cè)試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火啊！看來(lái)這招不行；

 

圖一b-4（115Vac）

 

變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。

 

圖一b-5（230Vac）

 

115Vac輸入測(cè)試，測(cè)試通過(guò)。
 

結(jié)論：

一：變壓器出線(xiàn)需做到不交叉；

二：Y電容回路走線(xiàn)越短越好先經(jīng)過(guò)變壓器地再回到大電容地，不與其它信號(hào)線(xiàn)交叉；

 

43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，僅僅是調(diào)整了肖特基吸收就把30-40M壓下來(lái)。

 

115Vac低壓30M紅色頂線(xiàn)

 

230Vac高壓30M紅色也頂線(xiàn)

 

調(diào)整肖特基吸收后：

 

115Vac低壓，走勢(shì)圖非常漂亮

 

230Vac高壓，走勢(shì)圖非常漂亮

 

44.安規(guī)距離一覽表。

 

 

45.剛?cè)腴T(mén)使用CAD、PADS上容易遇到的問(wèn)題。

 

a..PADS畫(huà)好的PCB導(dǎo)出為DXF文件，CAD打開(kāi)后是由雙線(xiàn)組成的空心線(xiàn)段，如圖：

 

 

剛開(kāi)始不會(huì)時(shí)，是用L命令一根一根的描，狂汗  。。

使用多次后，解決方法是使用X命令就可以變成單根線(xiàn)

 

b..CAD圖檔線(xiàn)框轉(zhuǎn)PADS做PCB外框圖方法：

step1．在CAD里面刪掉沒(méi)有的線(xiàn)，只剩下板框，其它線(xiàn)也可以不刪。

step2．在鍵盤(pán)上敲PE，回車(chē)，鼠標(biāo)點(diǎn)中其中一邊，再敲Y，回車(chē)，再敲J，回車(chē)，拖動(dòng)鼠標(biāo)把整個(gè)板框選中，回車(chē)，按Esc鍵退出此模式。

step3．比例調(diào)整，SC 按空格，選取整個(gè)板框，按空格，任意地方單擊鼠標(biāo)一下, 比例: 39.37 ，按空格。

 

46.在畫(huà)PCB定義變壓器腳位時(shí)，要考慮到變壓器的進(jìn)線(xiàn)和出線(xiàn)是否會(huì)交叉，因?yàn)楦骼@組之間的繞線(xiàn)在邊界處存在有45-90度的交叉，需在交叉出線(xiàn)處加一個(gè)套管到pin腳。

 

 

47.PCB的熱點(diǎn)區(qū)域一定要遠(yuǎn)離輸入、輸出端子，防止噪聲源串到線(xiàn)上導(dǎo)致EMI變差，在不得已而為之時(shí)，可增加地線(xiàn)或其它屏蔽方式進(jìn)行隔離，如下圖增加了一條地線(xiàn)進(jìn)行有效隔離。

 

 

需注意這條地線(xiàn)的安全距離。

 

48.驅(qū)動(dòng)電阻盡量靠近MOS、電流采樣的電阻盡量靠近芯片，避免產(chǎn)生其它看不到的后果。

 

PCB布局鐵律

 

49.分享一個(gè)輻射整改案例，一個(gè)長(zhǎng)條形散熱片有2個(gè)腳，2只腳都接地，輻射硬是整不過(guò)，后來(lái)把其中一只腳懸空，輻射頻段變好。后面分析原因是2只腳接地會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)回路。

 

這個(gè)整改花了很多錢(qián)

 

50.配有風(fēng)扇的電源，PCB布局要考慮風(fēng)路。

 

一定要讓風(fēng)跑出去

 

51.棒型電感兩條腿之間，切記，切記，切記，禁止走弱信號(hào)走線(xiàn)，否則發(fā)生的意外你都找不到原因。

 

切記，以前在這上面吃了大虧

 

52.變壓器磁芯形狀選用小結(jié)

 

a..EE，EI，EF，EEL類(lèi)，常用來(lái)制作中小功率的變壓器，成本低，工藝簡(jiǎn)單

 

b..EFD，EPC類(lèi)，常用來(lái)制作對(duì)高度有限制的產(chǎn)品，適合做中小功率類(lèi)

 

c..EER，ERL，ETD類(lèi)，常用來(lái)制作大中型功率的變壓器，特別適合用來(lái)制作多路輸出的大功率主變壓器，且變壓器漏感較小，比較容易符合安規(guī)

 

d..PQ，EQ，LP類(lèi)，該磁芯的中間柱較一般的磁芯要大，產(chǎn)品漏感較小，適合做小體積大功率的變壓器，輸出組數(shù)不能過(guò)多

 

e..RM，POT類(lèi)，常用來(lái)制作通訊類(lèi)或中小功率高頻變壓器，本身的磁屏蔽很好，容易滿(mǎn)足EMC特性

 

f..EDR類(lèi)，一般常用于LED驅(qū)動(dòng)，產(chǎn)品厚度要求薄，變壓器制做工藝復(fù)雜

 

53.某些元器件或?qū)Ь€(xiàn)之間可能有較高電位差，應(yīng)加大它們之間的距離，以免放電引出意外短路。

 

如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對(duì)應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm

 

54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。

 

之前碰到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?/div>