如果要恒流,只要將電感的峰值電流和谷值電流定死就行。如圖2,對(duì)于低邊Buck型結(jié)構(gòu),開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí),電流按照藍(lán)線(xiàn)方向流動(dòng),電感電流逐漸上升,如果檢測(cè)Rcs上的電壓達(dá)到一定值(即電感電流達(dá)到一定值)時(shí)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷,那么峰值電流就定下來(lái)了。假設(shè)這個(gè)閾值為Vthh,那么峰值電流大小為:
網(wǎng)友討論:Buck型LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2015-05-04 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】在進(jìn)行一款產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí),設(shè)計(jì)者們永遠(yuǎn)在追求高性?xún)r(jià)比和效率最大化。在LED照明設(shè)計(jì)當(dāng)中,想要實(shí)現(xiàn)上述兩點(diǎn)并不難,如果對(duì)輸出功率要求不高,那么BUCK電路將是最高性?xún)r(jià)比的首選。在相同的功率級(jí)別之下,使用BUCK電路產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)管應(yīng)力是最低的,直流母線(xiàn)電壓就是實(shí)際承受的最大電壓。
由于這種特性的存在,電路僅需提供一般的耐壓,開(kāi)關(guān)管就能夠完成通用范圍輸入,其次,Buck型電路的磁性器件也是結(jié)構(gòu)最為簡(jiǎn)單的,通常情況下只要一個(gè)繞組。當(dāng)然還有很多其他的優(yōu)點(diǎn),本篇文章就不過(guò)多進(jìn)行介紹。
本篇文章以BP2822和DU8623為例來(lái)討論Buck型LED驅(qū)動(dòng)電路,希望能夠?qū)Υ蠹矣兴鶐椭?/div>
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如果要恒流,只要將電感的峰值電流和谷值電流定死就行。如圖2,對(duì)于低邊Buck型結(jié)構(gòu),開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí),電流按照藍(lán)線(xiàn)方向流動(dòng),電感電流逐漸上升,如果檢測(cè)Rcs上的電壓達(dá)到一定值(即電感電流達(dá)到一定值)時(shí)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷,那么峰值電流就定下來(lái)了。假設(shè)這個(gè)閾值為Vthh,那么峰值電流大小為:
圖1 常見(jiàn)的Buck型結(jié)構(gòu)
圖1是幾種常見(jiàn)的Buck型結(jié)構(gòu)。第一種是高邊驅(qū)動(dòng)NMOS的方式。這種Buck型電路是在低壓DCDC中見(jiàn)得最多的。他的優(yōu)點(diǎn)是輸入輸出是共地的,并且公共端是系統(tǒng)電位最低點(diǎn)。在高壓Buck中,我們很少見(jiàn)到這種方式,原因在于高邊NMOS需要自舉升壓浮動(dòng)驅(qū)動(dòng),高壓的驅(qū)動(dòng)電路太占芯片的面積了。
第二種是高邊驅(qū)動(dòng)PMOS,這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)和第一種相同,也不需要自舉升壓驅(qū)動(dòng),但卻是比較少見(jiàn),原因在于PMOS的多子為空穴,遷移率低,造成PMOS的性能較差,另外,這種驅(qū)動(dòng)要以輸入為參考,同樣會(huì)比較復(fù)雜。
第三種是高壓Buck型LED驅(qū)動(dòng)器中最為多見(jiàn)的,今天要說(shuō)的兩個(gè)IC都是這種結(jié)構(gòu)。它的優(yōu)點(diǎn)很明顯:控制電路不需要承受高壓就能很好地完成對(duì)功率管的驅(qū)動(dòng),因此IC的成本可以做到很低。而在LED以外的應(yīng)用中,我們幾乎不會(huì)這樣用,原因很簡(jiǎn)單,這種結(jié)構(gòu)的公共端是電源輸入正端,不符合我們的習(xí)慣。
說(shuō)完上面這些,就來(lái)看看這些電路是如何來(lái)恒流的。首先,要搞清楚恒流的概念,恒的是負(fù)載的平均電流,對(duì)于Buck拓?fù)?,也就是電感的平均電流。?duì)于任何一種拓?fù)?,一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感的電流都是先升到峰值,再降到谷值的,這個(gè)谷值可能大于0(連續(xù)模式),也可能等于0(斷續(xù)模式或者臨界模式)或者小于0(這種情況只會(huì)在同步整流的結(jié)構(gòu)中出現(xiàn))。如果是連續(xù)模式或者臨界模式,那么電感的平均電流就等于峰值電流加上谷值電流除以2,即:
Io_avg=IL_avg=(IL_peak+IL_valley)/2
圖2
如果要恒流,只要將電感的峰值電流和谷值電流定死就行。如圖2,對(duì)于低邊Buck型結(jié)構(gòu),開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí),電流按照藍(lán)線(xiàn)方向流動(dòng),電感電流逐漸上升,如果檢測(cè)Rcs上的電壓達(dá)到一定值(即電感電流達(dá)到一定值)時(shí)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷,那么峰值電流就定下來(lái)了。假設(shè)這個(gè)閾值為Vthh,那么峰值電流大小為:
IL_peak=Vthh/Rcs
圖3
接下來(lái)的開(kāi)關(guān)周期內(nèi),電感通過(guò)二極管D續(xù)流,如圖3所示。這就出現(xiàn)了一個(gè)問(wèn)題,此時(shí)的電流不再流經(jīng)開(kāi)關(guān)管,控制電路無(wú)法知道電流下降到何種程度了。
圖4
圖5
怎么辦?先看一下圖5。用過(guò)臨界模式PWM控制IC的應(yīng)該很快能夠看出來(lái),這種結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)在電感電流下降到0附近時(shí)重新打開(kāi)開(kāi)關(guān)管,也就是說(shuō),可以強(qiáng)迫電路工作在臨界工作模式。使用一個(gè)輔助繞組,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷期間,電感電流下降,輔助繞組感應(yīng)產(chǎn)生一個(gè)正電壓,當(dāng)電感電流下降為零時(shí),感應(yīng)電壓消失,觸發(fā)開(kāi)關(guān)管重新開(kāi)啟。D1這個(gè)二極管是用來(lái)阻斷開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí)輔助繞組上的反壓的,實(shí)際上我們可能看不到這個(gè)二極管,因?yàn)榭梢栽買(mǎi)C內(nèi)部A2的反相輸入端反向并接一個(gè)二極管到地,效果一樣的。
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這個(gè)電路使得電感電流波形非常接近上圖的臨界模式,也就實(shí)現(xiàn)了輸出的恒流:
Io_avg=IL_avg=(IL_peak+IL_valley)/2=IL_peak/2
這就是BP2822的工作模式。大家會(huì)問(wèn),為什么BP2822的應(yīng)用中沒(méi)有這個(gè)輔助繞組?確實(shí)沒(méi)有,這個(gè)繞組肯定讓電感的加工變得復(fù)雜,成本會(huì)略微上升。那么它是如何檢測(cè)電感電流下降到零的呢。大家可以先想一下反激工作在斷續(xù)模式下,開(kāi)關(guān)管漏極電壓在開(kāi)啟前上一個(gè)周期內(nèi)的波形是什么樣的。沒(méi)錯(cuò),會(huì)出現(xiàn)振蕩。那Buck型的會(huì)不會(huì)也有這樣現(xiàn)象呢?會(huì)。
假設(shè)電流在t時(shí)刻過(guò)零,則t-時(shí)刻有:
Vds=Vcoss=Vin
在t+時(shí),電感電流為零,C遠(yuǎn)大于Coss,C視為短路,則Coss與L構(gòu)成串聯(lián)諧振回路,諧振頻率為:
初始振蕩幅度為Vin。用saber仿一下,確實(shí)如此。
有這個(gè)振蕩,那就好辦了,只要檢測(cè)這個(gè)振蕩一開(kāi)始,我們就把開(kāi)關(guān)管重新開(kāi)啟,那么久非常接近臨界工作模式了。甚至,我們可以檢測(cè)到這種振蕩到達(dá)谷值時(shí)將開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟,那么就是我們所說(shuō)的準(zhǔn)諧振(QR)了。但是仍然有問(wèn)題。不涉及到IC的可能不知道,國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)集成功率管的IC都是將控制部分的裸片和一個(gè)外置的功率管裸片封裝到一起的,也就是單片封裝,而不是單片集成。那么,功率管漏端和控制IC基本都是沒(méi)有連接關(guān)系的,那又如何取得這個(gè)振蕩信號(hào)呢?
這一點(diǎn),還和驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)相關(guān)。為了減小IC功耗,BP2822這類(lèi)IC都是采用源極驅(qū)動(dòng)的方式。也就是說(shuō),芯片實(shí)際驅(qū)動(dòng)的是一個(gè)低壓的功率管,另外一個(gè)高壓功率管用來(lái)承受耐壓,下圖可以說(shuō)明這一結(jié)構(gòu)。圖中也順帶給出了,使用一個(gè)二極管和電容,就可以得到這個(gè)振蕩信號(hào)。但是,這個(gè)二極管和電容是需要承受高壓的,放在IC內(nèi)部是不現(xiàn)實(shí)的,放在芯片外部,無(wú)疑增加了外圍的復(fù)雜度。
圖6
圖7
究竟是如何檢測(cè)的呢?再看下圖6和圖7就知道了。下管的源漏寄生電容導(dǎo)致下管的漏端(即高壓管的源端)對(duì)地也會(huì)產(chǎn)生同樣波形的振蕩,這個(gè)振蕩是低壓的,檢測(cè)起來(lái)就方便了。
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