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BM6103FV-C:羅姆推出業(yè)內(nèi)最小車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器

發(fā)布時間:2012-05-22

產(chǎn)品特性:

  • 通過羅姆獨創(chuàng)的無鐵芯變壓器技術(shù),內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件
  • 將安裝面積減少了50%以上
  • 通過內(nèi)置所有的保護功能,實現(xiàn)安全設(shè)計
  • 支持SiC的高速開關(guān)
適用范圍:

  • 新一代電動汽車

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器“BM6103FV-C”,最適合作為電動汽車(EV)和混合動力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。

本產(chǎn)品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù),作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動器,是業(yè)界最小※的小型封裝,有助于逆變器電路的小型化。另外,與傳統(tǒng)的光耦方式相比,可大幅降低耗電量,而且由于具備了所有必要的保護功能和品質(zhì)要求,可減少設(shè)計時的工作量。
不僅如此,還支持作為新一代功率半導(dǎo)體備受期待的SiC(Silicon carbide:碳化硅)的功率MOSFET的高速開關(guān),非常有助于實現(xiàn)更加高效、更加低功耗的新一代電動汽車。

生產(chǎn)基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),預(yù)計從2012年6月份開始銷售樣品(樣品價格:1,000日元),從 2012年9月份開始以月產(chǎn)1萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。

近年來,隨著EV和HEV的不斷普及,為了進一步提高性能,對動力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面,一般每個車載用逆變器內(nèi)置6個柵極驅(qū)動器,為了實現(xiàn)逆變器電路的小型化,柵極驅(qū)動器的小型化勢在必行。此外,在車載特有的苛刻的驅(qū)動環(huán)境中,為實現(xiàn)確保安全性的逆變器電路,不僅需要各種保護功能,為了防止駕駛員觸電,作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件。在這種情況下,對于內(nèi)置絕緣元件、并且小型的柵極驅(qū)動器的需求日益高漲。

另一方面,有望內(nèi)置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時,解決其高速開關(guān)性能所導(dǎo)致的噪音也已成為重大課題。


   
此次羅姆采用獨創(chuàng)的微細加工技術(shù),開發(fā)出片上變壓器工藝,進而成功開發(fā)出小型并且內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動器。無需外置零件,同時通過采用小型封裝,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,安裝面積減少了約50%。不僅如此,由于內(nèi)置車載逆變器電路所需的全部保護功能,不僅有助于實現(xiàn)逆變器的小型化,還非常有助于減輕設(shè)計負擔(dān)。
另外,針對逆變器電路中內(nèi)置SiC元件、模塊時的噪音,通過與引以為豪的“業(yè)界最尖端”的羅姆自產(chǎn)SiC元件、模塊相結(jié)合進行開發(fā),以最佳的電路設(shè)計成功解決了這個問題,從而成為業(yè)界唯一支持SiC的內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器。

 
羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位,于2012年3月世界首家開始了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)。今后,羅姆繼續(xù)推進最大限度發(fā)揮SiC特性的柵極驅(qū)動器的開發(fā),同時,還將推進SiC-IPM(智能功率模塊)等的開發(fā),不斷完善SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容。
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<特點>

1)通過羅姆獨創(chuàng)的無鐵芯變壓器技術(shù),內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件
2) 小型封裝
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,SSOP-B20W( 6.5mm×8.1mm H=Max 2.01mm)將安裝面積減少了50%以上
3) 通過內(nèi)置所有的保護功能,實現(xiàn)安全設(shè)計
內(nèi)置了車載逆變器電路所要求的全部保護功能:米勒鉗位功能、故障輸出功能、低電壓時誤動作防止功能、熱保護功能、短路保護功能、短路保護時軟關(guān)斷功能。
4)還支持SiC的高速開關(guān)
業(yè)界唯一支持SiC元件電路的產(chǎn)品。羅姆生產(chǎn)的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態(tài)下確保穩(wěn)定驅(qū)動。

<主要規(guī)格>





 

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