產(chǎn)品特性：

• 更快的轉(zhuǎn)換速度，更低的功耗
• 可使用更緊湊的散熱設計
• TO-220封裝，引腳兼容

應用范圍：

• 空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。

這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅（Si）的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

最近，為了促進環(huán)境保護，很多客戶對高效能電源電路的需求日益增長。空調(diào)、通信基站、PC服務器和太陽能陣列等使用電源轉(zhuǎn)換電路或逆變電路的產(chǎn)品，對更高效的電源轉(zhuǎn)換有著特別強勁的需求。因此，這些電源轉(zhuǎn)換電路中所用的二極管需要提供更快的轉(zhuǎn)換速度，并可以低壓工作。于是，瑞薩開發(fā)了這款全新SiC SBD來滿足上述需求。

這款全新SiC-SBD的額定電壓（正向降壓，VF）僅1.5伏（V），低于現(xiàn)有的硅快速觸發(fā)二極管產(chǎn)品的額定電壓。此外，該SiC-SBD的溫度依賴性較小，可確保獲得穩(wěn)定的正向電壓--即使在高溫條件下。這意味著可使用更緊湊的散熱設計，以降低成本，并減小產(chǎn)品體積。

這款全新RJS6005TDPP SiC-SBD應用相當于工業(yè)標準的TO-220封裝，并可實現(xiàn)引腳兼容。這意味著RJS6005TDPP SiC SBD可輕松地用于替代現(xiàn)有印刷電路板上傳統(tǒng)的硅二極管。

瑞薩電子全新功率器件的產(chǎn)品陣容頗為強大，電流從3A至30 A不等，額定峰值電壓為600 V，這些功率器件專用于滿足空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)對高效能的需求，同時，計劃推出額定峰值電壓為1200 V的產(chǎn)品系列。瑞薩努力為客戶提供結合MCU和模擬及功率器件的整體解決方案，矢志成為領先的功率器件供應商。瑞薩計劃增強套件解決方案和復合半導體器件，以全新高壓SiC-SBD功率器件為核心，并輔以外圍電源控制IC、高性能IGBT、高壓超結MOSFET和光電耦合器。

RJS6005TDPP的主要特性：
更快的轉(zhuǎn)換速度，其損耗較之現(xiàn)有產(chǎn)品降低了40%。全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢復時間（注2）為15納秒（標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/?s），與現(xiàn)有瑞薩硅電子產(chǎn)品相比，其速度快了大約40%。這可以實現(xiàn)更快的轉(zhuǎn)換速度，與瑞薩硅基產(chǎn)品相比降低了大約40%的功耗。此外，當溫度升高時，反向恢復時間不會降低，從而在高溫環(huán)境下工作時可實現(xiàn)始終如一的低轉(zhuǎn)換損耗。