你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2008-11-02

中心論題:

  • IGBT集中了MOSEFT和GTR的優(yōu)點(diǎn),適合在大功率全橋變換中作為功率開關(guān)元器件
  • 闡述IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求并介紹實(shí)際IGBT驅(qū)動(dòng)模塊EXB841
  • 介紹以AT89C51為核心的直流調(diào)速系統(tǒng)

解決方案:

  • 以AT89C51 為核心所組成的閉環(huán)控制,能夠?qū)崿F(xiàn)速度預(yù)置、速度顯示,并能夠?qū)D(zhuǎn)速進(jìn)行精確的測(cè)量
  • 利用電壓比較器避免泵升電壓過高產(chǎn)生的擊穿現(xiàn)象
  • 頻率法和周期法相結(jié)合得到較高的測(cè)速精度


引言
隨著電力電子器件的發(fā)展,快速關(guān)斷器件如門極可關(guān)斷晶體管GTO、功率雙極型晶體管GTR、金屬氧化硅晶體管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT等相繼開發(fā)成功。其中IGBT是集MOSEFT和GTR優(yōu)點(diǎn)于一身。即具有少子器件GTR的通態(tài)壓降低、耐壓高、可承受大電流等優(yōu)點(diǎn)。又兼有多子器件MOSFET的開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定好、無二次擊穿、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)微功耗的長(zhǎng)處。因此倍受青睞。尤其是在電機(jī)控制、中頻和開關(guān)電源以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域發(fā)展迅速。在大功率全橋變換中,IGBT作為功率開關(guān)元器件是非常適合的。

IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求
IGBT是一壓控器件。它所需的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)功率非常小,可直接與模擬或數(shù)字功能塊相接,不需加任何附加接口電路而且轉(zhuǎn)換功率也大大提高。IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷是由柵極電壓UGE來控制的。當(dāng)UGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí)。IGBT導(dǎo)通。當(dāng)柵極和發(fā)射極間施加反向或不加信號(hào)時(shí)。使得IGBT關(guān)斷。

IGBT的驅(qū)動(dòng)
用IGBT作大功率全橋變換的功率元件時(shí),由于工作在高速大功率開關(guān)狀態(tài)。要使它安全可靠地工作,設(shè)計(jì)好驅(qū)動(dòng)電路是重要環(huán)節(jié)。一個(gè)理想的IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有以下基本要求。

(1) 能提供適當(dāng)?shù)恼?、反向門極電壓
為使IGBT穩(wěn)定工作,一般要求雙電源供電,所以驅(qū)動(dòng)電路要求采用正反偏壓的兩電源形式。IGBT 導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)艠O電壓有關(guān)。當(dāng)UGE增大時(shí), IGBT 承受短路或過電流時(shí)間減小,對(duì)IGBT安全不利。一般選UGE要綜合考慮,選取+12V -20V 為好。在IGBT關(guān)斷期間,由于電路中其他部分的工作會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使逆變電路處于短路直通狀態(tài),因此恰好給應(yīng)處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓。一般選取-5V — +15V ,使IGBT 在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。

(2) 信號(hào)應(yīng)有足夠的功率
驅(qū)動(dòng)電路輸入的信號(hào)作用于IGBT 的柵極和射極之間。當(dāng)UGE很小或?yàn)榱銜r(shí),IGBT的C 和E 之間加很大的電壓時(shí)IGBT才能導(dǎo)通。這種硬開通會(huì)導(dǎo)致IGBT 較大的開關(guān)損耗,影響IGBT的開關(guān)功率與輸出能力,因此,為使合格元件能正常工作,驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以大于柵極規(guī)定的電壓、電流,并留有一定的余量。

(3) 信號(hào)具有一定的前沿陡度和寬度
IGBT的門源特性呈電容性,與開關(guān)速度有關(guān),因此驅(qū)動(dòng)器須具有足夠的瞬時(shí)電流的吞吐能力,才能使IGBT 柵、射電壓建立或消失的足夠快,從而使開關(guān)損耗降較低的水平。

(4) 驅(qū)動(dòng)電路必須與主電路隔離
在許多電路(如橋式逆變器) 中的IGBT 的工作電位差別很大,不允許控制電路與其直接耦合,為了保證驅(qū)動(dòng)電路和主電路之間信號(hào)傳的暢通無阻,常采用光電耦合和變壓器耦合。

(5) 輸出與輸入必須有很好的跟隨性輸入、輸出信號(hào)傳輸無延時(shí),一方面減小系統(tǒng)的響應(yīng)滯后,另一方面能提高系統(tǒng)保護(hù)的快速性。

(6) 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、成本低。

(7) 驅(qū)動(dòng)電路自身應(yīng)有一定的保護(hù)功能。
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)用電路最好自身對(duì)IGBT 具有保護(hù)功能,并有較強(qiáng)的抗干擾能力。在出現(xiàn)短路、過流的情況下,能迅速發(fā)出過流保護(hù)信號(hào)供控制電路進(jìn)行處理。

(8) 防止同一橋臂上的IGBT誤導(dǎo)通

IGBT驅(qū)動(dòng)電路——EXB841
IGBT常用的驅(qū)動(dòng)模塊有許多種,其中EXB 系列應(yīng)用最廣。

圖1  EXB841 外接電路圖

EXB84 系列為日本富士公司推出的IGBT專用芯片,能驅(qū)動(dòng)高達(dá)300A/1200V 的IGBT。它具有隔離強(qiáng)度高、反應(yīng)速度快、參數(shù)一致性好、具有防擎住效應(yīng)的緩關(guān)斷電路等優(yōu)點(diǎn),并可以對(duì)IGBT實(shí)施過流保護(hù)。模塊內(nèi)功能較全,用+20V 直流電源供電,能產(chǎn)生+15V 開柵電壓和-5V 關(guān)柵電壓,內(nèi)裝TLP550 高速光耦信號(hào)隔離電路。如圖1。電路的內(nèi)部還集成有過流檢測(cè)電路和慢速過流切斷電路,其過流檢測(cè)電路按驅(qū)動(dòng)與集電極電壓之間的關(guān)系檢測(cè)過流。當(dāng)流過IGBT的電流超過內(nèi)部設(shè)定值時(shí),慢速切換電路以不使IGBT 損壞的較慢速度關(guān)斷IGBT。其中,為了防止IGBT集電極產(chǎn)生大的電壓尖脈沖,在柵極串聯(lián)電阻RG、47 F 電解電容器吸收由于電流源接線電阻引起的供電電壓變化,而不是電源濾波器的電容器。

系統(tǒng)的組成
本系統(tǒng)采用的是以AT89C51 為核心所組成的閉環(huán)控制,能夠?qū)崿F(xiàn)速度預(yù)置、速度顯示,并能夠?qū)D(zhuǎn)速進(jìn)行精確的測(cè)量。測(cè)速是將固定在主軸上的光電碼盤產(chǎn)生的脈沖送外部中斷,通過計(jì)數(shù)器進(jìn)行計(jì)數(shù),從而算出轉(zhuǎn)速,將這種轉(zhuǎn)速與預(yù)置轉(zhuǎn)速進(jìn)行比較,得出差值。

圖2  調(diào)速系統(tǒng)功率主電路原理圖

以功率晶體管為開關(guān)器件組成的PWM直流調(diào)速系統(tǒng)如圖2。該系統(tǒng)功率主電路為三相整流橋,H 橋功率變換電路、緩沖電路和泵升電壓限制電路組成。功率器件采用電力電子器件IGBT,以提高輸出容量和獲得直流電動(dòng)機(jī)四象限運(yùn)行特性。LEM為霍爾電流傳感器模塊,用于電樞電流的動(dòng)態(tài)檢測(cè)和過流保護(hù)置于電樞回路和直流側(cè)母線。LEM的測(cè)量精度優(yōu)于1 % ,響應(yīng)速度小于1μS ,滿足系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)測(cè)試要求。四個(gè)橋臂和四個(gè)續(xù)流二極管構(gòu)成H 橋。T1、T4 和T2、T3 在PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)作用下交替導(dǎo)通和關(guān)斷,輸出寬度調(diào)制的正負(fù)脈沖電壓以調(diào)節(jié)速度變化。其中R、C、D 構(gòu)成過壓保護(hù)電路。為了改善驅(qū)動(dòng)信號(hào)前沿的陡度和防止振蕩,減小IGBT 集電極大的電壓尖脈沖,需要在柵極串聯(lián)電阻RG。根據(jù)電流容量和電壓額定及開關(guān)頻率的不同,選擇合適的RG,一般RG為十幾歐至幾十歐。在橋式變換過程中,由于IGBT是壓控器件,當(dāng)集射間加高壓時(shí),很容易受外界干擾使柵射間電壓超過一定閥值,引起上下橋臂通側(cè)同時(shí)導(dǎo)通造成短路。為了防止這種現(xiàn)象的發(fā)生,在柵射間并接兩只反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管,對(duì)驅(qū)動(dòng)電路出現(xiàn)的高壓尖脈沖起一定抑制作用。這是從器件上采取的保護(hù)措施。同時(shí)在電路上從硬件、軟件上也采取雙重保護(hù)措施。硬件上采用74LS125 實(shí)現(xiàn)對(duì)兩組脈沖的互鎖,確保一組IGBT 的驅(qū)動(dòng)電壓為高電平時(shí),另一組為低電平。軟件上采用延時(shí)輸出高電平,即在一組IGBT關(guān)斷和另一組IGBT導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)脈沖之間設(shè)置邏輯延時(shí),其目的是保證關(guān)斷IGBT徹底關(guān)斷后開通另一組IGBT,從而防止上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通。

功率轉(zhuǎn)換電路輸出是幅值為Ud 的正負(fù)脈沖電壓,其周期T= 1/f ,f 為PWM控制信號(hào)頻率。當(dāng)平均電流恒大于零,電動(dòng)機(jī)工作在正轉(zhuǎn)電動(dòng)運(yùn)行狀態(tài)。

泵升電壓檢測(cè)電路
電機(jī)停車或減速時(shí)工作在制動(dòng)狀態(tài),儲(chǔ)存在電機(jī)和負(fù)載運(yùn)動(dòng)部分的動(dòng)能將變成電能,并通過PWM 變換器回饋給直流電源。系統(tǒng)有不可控的整流器供電,不能向電網(wǎng)回饋電能,只好對(duì)電容器C 充電而使泵升電壓升高,過高的泵升電壓有可能擊穿變換元件。泵升電壓檢測(cè)電路如圖3。

圖3  泵升電壓檢測(cè)電路

設(shè)UDC為電力電容C1 兩端的電壓,電壓比較電路直接檢測(cè)該電壓,與被測(cè)值超過設(shè)定允許值時(shí),電壓比較器反轉(zhuǎn), 觸發(fā)制動(dòng)單元VB 導(dǎo)通,電力電容上的電荷經(jīng)R 釋放,使電壓降低,反之,當(dāng)該電壓低于設(shè)定允許值時(shí),電壓比較器翻轉(zhuǎn)回原先狀態(tài),輸出端為高電壓,經(jīng)邏輯轉(zhuǎn)換后關(guān)斷UB 。由于比較器為OC 門輸出,該端電壓近乎電源電壓UC。

測(cè)速電路
固定在直流電機(jī)主軸上的光電編碼盤產(chǎn)生周期脈沖,經(jīng)過脈沖整流電路后輸入89C51 的外部中斷INT1 和INT0。為了在高速和低速時(shí)都能得到較高的測(cè)速精度,選用頻率法和周期法綜合,它結(jié)合了兩種測(cè)量方法的長(zhǎng)處,使相對(duì)誤差變的很小。

結(jié)論
本系統(tǒng)采用快速開關(guān)器件IGBT構(gòu)成了主電路,AT89C51 單片機(jī)實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的控制。通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果表明該系統(tǒng)使電樞電流脈動(dòng)小,運(yùn)行平滑、調(diào)速范圍寬、低速性能好、硬件電路簡(jiǎn)單、可靠性高。在不增加硬件的情況下可方便實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行。同時(shí)增加管子直通故障軟件、硬件保護(hù)、驅(qū)動(dòng)及泵升電壓電路保護(hù)等措施。為整個(gè)系統(tǒng)的多功能智能化提供了必要的條件。



 

要采購(gòu)開關(guān)么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉