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同步整流的簡化與發(fā)展趨勢

發(fā)布時間:2008-10-04 來源:安森美半導體

中心論題:

  • 同步整流的發(fā)展趨勢
  • 兩端整流器件的介紹
  • 穩(wěn)壓器模塊由一個電流源和比較器組成
  • 采用這類器件需要理解的幾方面的設(shè)計考慮

解決方案:

  • 通過前級減小的輸出電源紋波等方法節(jié)約功率和成本
  • 快速對電容充電為MOSFET提供最大的柵極驅(qū)動
  • 幾十納秒中提供快速方波柵極驅(qū)動克服諧振轉(zhuǎn)換器中波形的dv/dt相對較小問題
 
同步整流的優(yōu)點眾所周知。功率FET的正向壓降一般明顯低于硅整流器的正向壓降,甚至低于肖特基二極管的正向壓降。
  
對設(shè)計過同步整流器電路或正考慮這樣做的人來說,問題也是顯而易見的。除了定時問題以外,另一問題是柵極驅(qū)動電壓隨著輸入及更加復雜的變壓器設(shè)計而變化,更不消提知識產(chǎn)權(quán)問題,因為許多同步整流器設(shè)計已取得專利。
  
本文討論一種新穎的解決方案,采用一個自供電兩端同步整流器器件。
  
同步整流的趨勢

隨著效率重要性的增加,采用同步整流器也越來越普遍。這是因為總線電壓趨向接近1伏,而電流要求以反比增長。一個典型的硅整流器在其正向偏置模式中的壓降約為1伏。同樣地,一個肖特基二極管在其正向偏置模式中的壓降約為0.5伏。同步整流器的正向壓降取決于MOSFET的導通電阻和器件中的正向電流?;谕秸髌鞯碾娫崔D(zhuǎn)換器的正向壓降范圍普遍為50 mV到200 mV。
  
對于3.3伏的輸出電壓,如果采用肖特基二極管,變壓器的輸出電壓須為3.8伏,而如果采用正向壓降為100 mV的同步整流器,則變壓器的輸出電壓須為3.4伏。肖特基型整流器的效率為3.3 V/3.8 V,或86%,而同步整流器的效率為3.3 V /3.4 V,或97%。僅輸出段的效率就提高了11%。通過前級減小的輸出電源紋波,及減小其他元組件上的應力,包括變壓器、電源開關(guān)和輸入濾波器,以節(jié)約功率和成本。
  
同步整流更加重要,因為各種經(jīng)濟體均采用環(huán)保政策,如美國能源之星(Energy Star)提議的新要求。能源之星計劃為基于銘牌功率水平的電源提出特定最低能效要求。比如,任何額定值為51瓦或以上的電源效率必須至少為85%。對于較低的功率水平,可以用公式計算能源之星額定值的最小允許效率。
  
許多設(shè)計人員,因其設(shè)計復雜或知識產(chǎn)權(quán)問題而不愿采用同步整流器。減輕設(shè)計工作后,同步整流可以與兩端二極管一樣簡單。過去二十年在同步整流器電路方面作了許多工作,因此在各類實踐應用中出現(xiàn)了許多專利。這對于電路設(shè)計人員是一個挑戰(zhàn),要么繞過現(xiàn)有的知識產(chǎn)權(quán),要么就只能支付專利費。
  
兩端器件
實現(xiàn)與兩端整流器功能相當?shù)钠骷仨毎ㄒ粋€MOSFET,一個控制該器件以及內(nèi)部偏置電源的非??焖偾曳浅C舾械碾娐贰_@樣的電路如圖1所示。
  
與同步整流器一樣,功率MOSFET工作在第三象限。比較器檢測MOSFET上的電壓,當體二極管正向偏置時,比較器導通MOSFET。這部分電路面對的挑戰(zhàn)是讓比較器隨著小的過載信號快速開關(guān),并且以大驅(qū)動電流快速開關(guān)MOSFET。
圖1  自供電同步整流器的簡化電路圖
  
穩(wěn)壓器模塊由一個電流源和比較器組成,根據(jù)內(nèi)部電容上的電壓啟動或關(guān)閉電流源。必須快速對電容充電,以便在窄占空比工作模式中,如在電流限制或啟動時,將電容充電至5伏,為MOSFET提供最大的柵極驅(qū)動。
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比較器輸入端有一個具穩(wěn)定作用的小偏置電壓。如果偏置電壓要改變極性,在輕載工作模式,此時比較器將看到體二極管的正向壓降,同時導電開始并且導通MOSFET。在輕載工作模式中,正向電流將足夠低,以使FET電阻上的正向壓降低于偏置電壓。在這種情況下,器件將回退并再次檢測體二極管上的壓降。這樣會產(chǎn)生振蕩。
  
這種方案的優(yōu)點在于使電路設(shè)計人員輕松實現(xiàn)同步整流器。另一個優(yōu)點在于開關(guān)速度一致,因為柵極驅(qū)動電壓恒定。在分立同步整流器設(shè)計中,柵極一般由變壓器線圈驅(qū)動。因此,柵極上的電壓隨輸入電壓而變化。柵極電壓越高,關(guān)斷時的延遲時間越久,因為柵極電容必須比低線時在更大的電壓范圍內(nèi)放電。
  
例如,如果MOSFET的柵極導通電壓為2.5伏,柵極驅(qū)動為5伏,那么驅(qū)動器必須放電柵極2.5伏才能開始其關(guān)斷過程。在高線時,柵極電壓可以高達20伏,要求驅(qū)動器在關(guān)斷過程開始之前必須放電柵極12.5伏。所以開始關(guān)斷MOSFET所需的放電就是五倍,產(chǎn)生的定時差別就是幾十納秒。
  
內(nèi)部穩(wěn)壓電源的另一個優(yōu)點在于它用在諧振轉(zhuǎn)換器時。因為諧振轉(zhuǎn)換器中波形的dv/dt相對較小,所以直接用變壓器線圈驅(qū)動MOSFET是不可行的。通過在幾十納秒中提供快速方波柵極驅(qū)動讓此電路克服了這個問題,而與轉(zhuǎn)換器的電壓波形無關(guān),因此解決了諧振轉(zhuǎn)換器的一個主要問題。
  
適用于此設(shè)計的兩種應用是之前討論過的諧振轉(zhuǎn)換器和非連續(xù)反激轉(zhuǎn)換器。采用這種器件已經(jīng)建造了幾種非連續(xù)反激轉(zhuǎn)換器,而且與肖特基型整流器相比,效率提高了2%到10%。效率提高的優(yōu)勢體現(xiàn)在幾個方面。散熱器減小了,成本降低了,空間和重量減小了。不僅是整流器,還有電源開關(guān)和變壓器的內(nèi)部溫度也降低了,從而提高了系統(tǒng)的可靠性。
  
用非連續(xù)模式反激轉(zhuǎn)換器對這一器件進行測試。它設(shè)計工作在36到72 Vdc的標準電信輸入范圍內(nèi)。根據(jù)此器件的初始測試,測量到效率明顯地提高。以肖特基二極管(MBRB4030),然后以BERS(NIS6111)同步整流器進行效率測試。功率FET的溫度也明顯降低,因為電路中同步整流器產(chǎn)生的功率也下降了。圖2所示  5安培負載條件下,F(xiàn)ET溫度下降了20℃到40℃。從而能節(jié)約散熱器并提高可靠性。
  
設(shè)計考慮
采用這類器件需要理解幾方面的設(shè)計考慮。最重要的考慮之一是需要足夠的反向電壓保持控制電路工作。如圖1所示,穩(wěn)壓輸入使芯片的偏置電源對內(nèi)部電容充電。此輸入工作在完全柵極驅(qū)動的反向電壓要求為6.5到28伏。電容充電時間大約為200 ns,所以不需要長脈沖。在許多情況下,穩(wěn)壓輸入引腳可以與陰極引腳直接連接,以得到真正的兩端工作。如果陰極沒有足夠的電壓,此引腳可以連接到變壓器上的一個插頭。輸出電壓非常低時會發(fā)生此類情況,此時電壓范圍在3伏以下,實例如圖2所示。

 圖2  肖特基與BERS的電源轉(zhuǎn)換器效率比較

 圖3.  低輸出電壓轉(zhuǎn)換器原理圖中的升壓線圈
  
器件在下降柵極驅(qū)動工作,穩(wěn)壓輸入電壓為5.2伏。在電容上保持足夠的電壓,使FET導電,是非常重要,這樣主電流就不會流過體二極管,因為這將顯著提高器件的功耗。必須對所有情況下的電路進行分析,包括輸出電容上無電壓的啟動和短路時。在這些情況下,穩(wěn)壓輸入引腳上的電壓完全來自變壓器線圈,因此匝數(shù)比必須作相應設(shè)計。例如,如果低線輸入電壓為36伏,最大匝數(shù)比應為36/5.2或6.9:1。雖然稍小的匝數(shù)比在這些時段將提高柵極驅(qū)動,但這能確保器件在導通情況下工作。
 
如前所述,比較器上有一個小偏置電壓,以確保器件在輕載時的穩(wěn)定性。因為偏置的極性,關(guān)斷整流器需要一些反向電流。FET電阻最大值為5毫歐,最大偏置電壓為5 mV,所以所需的最大反向電流為5 mV/5mW,或1安培。這是器件的限制,限制其在一些電路中使用,如正向轉(zhuǎn)換器中的上部整流器。在“二極管”反向偏置的情況下,如果變壓器重置而且在許多應用中可能沒有1安培電流,造成芯核重置問題。
  
再參考圖1,芯片的各個引腳上都有功率FET的柵極、漏極和源極。這樣就使它可以連接外部FET,以降低損耗。其他FET在減小等效“二極管”導通阻抗的同時,也可以稍微增加開關(guān)時間,也提高了關(guān)閉器件所需的反向電流。反向電流是偏置電壓與等效導通電阻的商,所以額外的并聯(lián)FET將所需的反向電流提高一倍。和其他電子器件一樣,最大額定值必須符合器件的熱工作。
  
結(jié)語
因為微處理器總線電源的趨勢是電壓越來越低,電流越來越大,所以同步整流器在電源轉(zhuǎn)換中越來越重要。因為柵極驅(qū)動電平的變化,以及諧振轉(zhuǎn)換器特有的問題,所以電流驅(qū)動電路存在一定的限制。帶穩(wěn)壓內(nèi)部電源電壓的自驅(qū)動FET可以解決這些問題,并且簡化了電源工程師的設(shè)計工作。

 

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