- 占位面積僅1mm x 1mm
- 低開關(guān)損耗
- 極低的輸入電容 (典型值45pF)
- 總體柵極電荷(1nC)
- 升壓轉(zhuǎn)換器
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設(shè)計人員面臨著在總體設(shè)計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。
FDZ3N513ZT是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件，用以驅(qū)動串聯(lián)白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。
該解決方案對各種動態(tài)特性作出仔細精確的優(yōu)化，實現(xiàn)很低的開關(guān)損耗，從而使手機應(yīng)用擁有相當高的轉(zhuǎn)換效率和更長的電池壽命。
FDZ3N513ZT結(jié)合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nc)，以提高升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計的效率。
FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節(jié)省60%的板上占位空間。
飛兆半導(dǎo)體是移動技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導(dǎo)體全面的先進MOSFET系列的一部分，能夠滿足業(yè)界在充電、負載開關(guān)、DC-DC和升壓應(yīng)用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。
