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Future 榮獲Fox 頒發(fā)亞太地區(qū)分銷商年度大獎
Fox Electronics Asia Ltd 和 Fox Electronics EMEA副總裁兼董事總經理Herb Chaney 表示：“Future Electronics 在2011年再次取得突出的業(yè)績。雖然亞太地區(qū)仍然保持著激烈競爭的態(tài)勢，但我們有信心保持著業(yè)界領先的交付時間，而且Future Electronics一直以來的卓越表現顯示出它是非常有價值的合作伙...
2012-03-30
Future Electronics Fox Electronics 分銷商
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2657A：吉時利發(fā)布為測試優(yōu)化的高電壓數字源表
近日，先進電氣測試儀器與系統(tǒng)的世界級領導者吉時利儀器公司今日發(fā)布2657A高功率數字源表。2657A為吉時利2600A系列高速、精密源測量單元數字源表系列產品增加了高電壓功能。此系列儀器能幫助吉時利客戶分析范圍更寬的功率半導體器件和材料。
2012-03-29
高功率 半導體 吉時利 模數轉換器
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慣性感測器“左右逢源”增長率將達18.6%
隨著消費市場對智慧型手機產品需求大幅提升，慣性感測器出貨量在2011~2016年的年復合成長率(CAGR)將達18.6%，但產品價格卻會持續(xù)下降，因此同期間的市場產值CAGR將達16.6%，約28億美元。愈來愈多業(yè)者開始朝整合矽感測器的功能發(fā)展，市場生態(tài)逐步改變。
2012-03-29
慣性 感測器 加速度計
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇要點
同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構?？刂破魃a商會在數據資料中給出參數齊全的應用電路，但用戶的使用條件經常與典型應用電路不同，要根據實際情況改變功率MOSFET的參數。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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校園路燈的PLC控制系統(tǒng)設計方案
基于PLC 控制的學校路燈控制系統(tǒng)在燈具節(jié)能上把握了節(jié)能的新方向，采用分時分段控制，克服了隔燈點亮的光照不均勻、燈具壽命縮短、不能點亮燈和電能的浪費等問題。該系統(tǒng)可通過PLC 編程來改變控制方案，適用于有不同時差的地區(qū)，是路燈節(jié)能的發(fā)展趨勢。
2012-03-29
F940GOT 觸摸屏 傳感器 檢驗電路
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只使用少量高壓元件的主驅動零交越檢測器
本設計中的電路可生成一個交流電源的零交越脈沖，并提供電氣絕緣。輸出脈沖的下降沿出現在零交越點前約200μs.使用這個電路可以安全地停止一個可控硅柵極的觸發(fā)，使之有時間正常地關斷。只有當主電壓約為0V時，電路才產生短脈沖，因此在230V、50Hz輸入下只耗電200mW.
2012-03-29
高壓元件 檢測器 LED電流 電源驅動
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650V:飛兆半導體IGBT提高功率轉換應用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品，幫助設計人員應對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
2012-03-29
650V 飛兆半導體 IGBT
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MIC28510：麥瑞半導體推出高功效寬輸入開關穩(wěn)壓器集成電路
模擬、高帶寬通信及以太網集成電路(IC)解決方案領域的行業(yè)領導者麥瑞半導體 (Micrel Inc.)（納斯達克股票代碼：MCRL）日前發(fā)布了MIC28510寬輸入同步開關穩(wěn)壓器積成電路，該集成電路可以提供峰值轉換效率超過94%的降壓轉換，最大輸入電壓為75V，最大輸出電流為4A。該解決方案使電源應用無需采用高成...
2012-03-29
MIC28510 麥瑞半導體 開關穩(wěn)壓器 集成電路
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