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羅姆開(kāi)發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管！
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社近日面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備，開(kāi)發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。
2012-05-09
快速恢復(fù) 二極管 智能手機(jī) 數(shù)碼相機(jī)
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更低功耗、更高隔離電壓 Avago推出新型5MBd數(shù)字光電耦合器
通信、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零部件的領(lǐng)先級(jí)供應(yīng)商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出ACPL-M21L/021L/024L/W21L/K24L光電耦合器產(chǎn)品系列。相較于市場(chǎng)上其他相近的5MBd產(chǎn)品，這些光電耦合器的功耗更低。ACPL-x2xL光電耦合器面向滿足使用者對(duì)于低功耗、更高隔離電壓、更好共模抑制(...
2012-05-09
Avago 5MBd 數(shù)字光電耦合器
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飛兆半導(dǎo)體新型柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)高絕緣電壓和高抗噪性能
太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等大功率工業(yè)應(yīng)用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，爬電距離和間隙距離至少要達(dá)到10mm。同樣地，惡劣環(huán)境逆變器(Harsh Environment Inverter, HEI)等應(yīng)用在690VAC電網(wǎng)條件下甚至要求更大...
2012-05-09
飛兆半導(dǎo)體 柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
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我國(guó)關(guān)鍵電子元器件發(fā)展亟待突破“瓶頸”
制造LED芯片所使用的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備主要由德國(guó)和美國(guó)兩家公司供貨，生產(chǎn)觸摸屏所用的玻璃基板主要由美國(guó)和日本的幾大廠商控制，有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光材料專利主要掌握在日本與韓國(guó)廠商的手中。
2012-05-09
關(guān)鍵 電子 元器件
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開(kāi)關(guān)電源降低功耗及提高其待機(jī)效率的方法
隨著能源效率的日益重要，人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源待機(jī)效率期望越來(lái)越高，客戶要求電源制造商的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。而大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí)，電源效率急劇下降,待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計(jì)工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
2012-05-09
開(kāi)關(guān)電源 功耗 待機(jī)效率
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一種大功率LED照明電源解決方案
介紹采用PFC控制器CM6807和諧振半橋控制器CM6900的350W高效（>90%）高功率因數(shù)（>0.95）LED照明電源解決方案。該方案適用于直至1kW的電源供應(yīng)器，可用于LED照明、LED路燈、大型LED看板和大功率體育場(chǎng)館照明等。
2012-05-09
CM6900 恒壓 恒流 晶體管
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智能型LED太陽(yáng)能路燈系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
提出一種新型的智能化控制的LED 路燈系統(tǒng)，將太陽(yáng)能電池板的輸出電壓經(jīng)過(guò)DC/DC 升壓電路，并引入了基于CVT 法的MPPT 控制策略。利用模擬開(kāi)關(guān)4051 及PIC 實(shí)現(xiàn)了對(duì)路燈系統(tǒng)工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與控制。并簡(jiǎn)要介紹了Zigbee通訊組件在系統(tǒng)中的相關(guān)應(yīng)用。
2012-05-09
智能型 LED 太陽(yáng)能 路燈
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存在串?dāng)_時(shí)的一種創(chuàng)新抖動(dòng)分離方法
串行數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)迅猛發(fā)展，大幅度改善了PC和服務(wù)器系統(tǒng)的性能。測(cè)試這些更高速的標(biāo)準(zhǔn)、找到抖動(dòng)證據(jù)，對(duì)長(zhǎng)期穩(wěn)定性及在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的誤碼率（BER）目標(biāo)至關(guān)重要。為高效進(jìn)行分析，首先要選擇適當(dāng)?shù)膬x器，很好地了解儀器噪聲、上升時(shí)間及三階諧波性能、四階諧波性能、五階諧波性能等因素。
2012-05-09
串?dāng)_ 抖動(dòng) 分離
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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀(jì)錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計(jì)，而沒(méi)有明顯增加?xùn)艠O電荷，在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay
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