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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級器件
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶體管
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iP2010/2011：IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過三星 成為消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)MEMS的最大買家
據(jù)iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國的三星，成為用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的全球最大買家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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2010中國IT領(lǐng)袖峰會將于3月底在深圳隆重舉行
記者是從近日召開的2010中國（深圳）IT領(lǐng)袖峰會新聞發(fā)布會上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務(wù)副市長許勤，數(shù)字中國聯(lián)合會主席吳鷹等出席了新聞發(fā)布會并回答了記者的提問
2010-03-09
2010 中國IT 領(lǐng)袖峰會 中國經(jīng)濟(jì)
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臺灣LG電子表示今年將搶攻15%市場
臺灣樂金電子（LG）董事長白明源近日表示，LG去年在臺灣手機(jī)市場穩(wěn)居第四名，市占率約一成，今年將進(jìn)一步挑戰(zhàn)15%市占率的目標(biāo)，推出約30多款新手機(jī)，帶給消費(fèi)者全新品牌體驗。
2010-03-09
臺灣 LG 白明源 手機(jī)
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136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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MMBD5004BRM：Diode推出四開關(guān)二極管陣列
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。
2010-03-09
MMBD5004BRM Diode 二極管 開關(guān) DAA調(diào)制解調(diào)器
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近6年美國混合動力汽車銷量簡析
雖然近5年美國新車（指輕型汽車，下同）銷量逐年下滑（見圖1），但混合動力汽車這一最早規(guī)?；a(chǎn)的“新能源汽車”的銷量在2008年之前基本是呈逐年增長態(tài)勢，2008、2009年因為美國汽車整體需求下降及由此導(dǎo)致的油價回落等因素導(dǎo)致美國混合動力汽車銷量出現(xiàn)同比下滑。
2010-03-09
美國 混合動力 汽車 銷量簡析
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