從1958年美國通用電氣（GE）公司研制出世界上第一個產(chǎn)業(yè)用普通晶閘管開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組和靜止的離子變流器進(jìn)進(jìn)由電力電子器件構(gòu)成的變流器時代，這標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。到了70年代，晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品。同時，非對稱晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管等晶閘管派生器件相繼問世，廣泛應(yīng)用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應(yīng)快等優(yōu)點，其研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。

 

 

由于普通晶閘管不能自關(guān)斷，屬于半控型器件，因而被稱作第一代電力電子器件。在實際需要的推動下，隨著理論研究和工藝水平的不斷進(jìn)步，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發(fā)展，先后出現(xiàn)了GTR、GTO、功率MOSET等自關(guān)斷、全控型器件，被稱為第二代電力電子器件。近年來，電力電子器件正朝著復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展，如IGPT、MCT、HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物。

 

 

整流管產(chǎn)生于本世紀(jì)40年代，是電力電子器件中結(jié)構(gòu)最簡單、使用最廣泛的一種器件。目前已形成普通整流管、快恢復(fù)整流管和肖特基整流管等三種主要類型。其中普通整流管的特點是：漏電流小、通態(tài)壓降較高（1 0～1 8V）、反向恢復(fù)時間較長（幾十微秒）、可獲得很高的電壓和電流定額。多用于牽引、充電、電鍍等對轉(zhuǎn)換速度要求不高的裝置中。較快的反向恢復(fù)時間（幾百納秒至幾微秒）是快恢復(fù)整流管的明顯特點，但是它的通態(tài)壓降卻很高（1 6～4 0V）。它主要用于斬波、逆變等電路中充當(dāng)旁路二極管或阻塞二極管。肖特基整流管兼有快的反向恢復(fù)時間（幾乎為零）和低的通態(tài)壓降（0.3～0.6V）的優(yōu)點，不過其漏電流較大、耐壓能力低，常用于高頻低壓儀表和開關(guān)電源。目前的研制水平為:普通整流管（8000V/5000A/400Hz）；快恢復(fù)整流管（6000V/1200A/1000Hz）；肖特基整流管（1000V/100A/200kHz）。

 

電力整流管對改善各種電力電子電路的性能、降低電路損耗和進(jìn)步電源使用效率等方面都具有非常重要的作用。隨著各種高性能電力電子器件的出現(xiàn)，開發(fā)具有良好高頻性能的電力整流管顯得非常必要。目前，人們已通過新奇結(jié)構(gòu)的設(shè)計和大規(guī)模集成電路制作工藝的運用，研制出集PIN整流管和肖特基整流管的優(yōu)點于一體的具有MPS、SPEED和SSD等結(jié)構(gòu)的新型高壓快恢復(fù)整流管。它們的通態(tài)壓降為1V左右，反向恢復(fù)時間為PIN整流管的1/2，反向恢復(fù)峰值電流為PIN整流管的1/3。

 

 

晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的改革，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。 1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)； 60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件； 1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。

 

普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻（400Hz以下）領(lǐng)域，運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟(jì)的辦法。不過，這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。

 

雙向晶閘管可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通，因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時間較長，其水平已超過2000V/500A。

 

光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓盡緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電（HVDC）、靜止無功功率補(bǔ)償（SVC）等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。

 

逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時間（10～15s）而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。

 

非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點，主要用于逆變器和整流器中。目前，國內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對稱晶閘管。

 

1964年，美國第一次試制成功了500V/10A的GTO。在此后的近10年內(nèi)，GTO的容量一直停留在較小水平，只在汽車點火裝置和電視機(jī)行掃描電路中進(jìn)行試用。自70年代中期開始，GTO的研制取得突破，相繼出世了1300V/600A、2500V/1000A、4500V/2400A的產(chǎn)品，目前已達(dá)9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平。GTO有對稱、非對稱和逆導(dǎo)三種類型。與對稱GTO相比，非對稱GTO通態(tài)壓降小、抗浪涌電流能力強(qiáng)、易于進(jìn)步耐壓能力（3000Ｖ以上）。逆導(dǎo)型GTO是在同一芯片上將GTO與整流二極管反并聯(lián)制成的集成器件，不能承受反向電壓，主要用于中等容量的牽引驅(qū)動中。

 

在當(dāng)前各種自關(guān)斷器件中，GTO容量最大、工作頻率最低（1～2kHz）。GTO是電流控制型器件，因而在關(guān)斷時需要很大的反向驅(qū)動電流； GTO通態(tài)壓降大、dV/dT及di/dt耐量低，需要龐大的吸收電路。目前，GTO固然在低于2000V的某些領(lǐng)域內(nèi)已被GTR和IGRT等所替換，但它在大功率電力牽引中有明顯上風(fēng)；今后，它也必將在高壓領(lǐng)域占有一席之地。

 

 

GTR是一種電流控制的雙極雙結(jié)電力電子器件，產(chǎn)生于本世紀(jì)70年代，其額定值已達(dá)1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具備晶體管的固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所組成的電路靈活、成熟、開關(guān)損耗小、開關(guān)時間短，在電源、電機(jī)控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應(yīng)用廣泛。GTR的缺點是驅(qū)動電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞。在開關(guān)電源和UPS內(nèi)，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。

 

 

功率MOSFET是一種電壓控制型單極晶體管，它是通過柵極電壓來控制漏極電流的，因而它的一個明顯特點是驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率?。粌H由多數(shù)載流子導(dǎo)電，無少子存儲效應(yīng)，高頻特性好，工作頻率高達(dá)100kHz以上，為所有電力電子器件中頻率之最，因而最適合應(yīng)用于開關(guān)電源、高頻感應(yīng)加熱等高頻場合；沒有二次擊穿題目，安全工作區(qū)廣，耐破壞性強(qiáng)。功率MOSFET的缺點是電流容量小、耐壓低、通態(tài)壓降大，不適宜運用于大功率裝置。目前制造水平大概是1kV/2A/2MHz和60V/200A/2MHz。

 

 

IGBT是由美國GE公司和RCA公司于1983年首先研制的，當(dāng)時容量僅500V/20A，且存在一些技術(shù)題目。經(jīng)過幾年改進(jìn)，IGBT于1986年開始正式生產(chǎn)并逐漸系列化。至90年代初，IGBT已開發(fā)完成第二代產(chǎn)品。目前，第三代智能IGBT已經(jīng)出現(xiàn)，科學(xué)家們正著手研究第四代溝槽柵結(jié)構(gòu)的IGBT。IGBT可視為雙極型大功率晶體管與功率場效應(yīng)晶體管的復(fù)合。通過施加正向門極電壓形成溝道、提供晶體管基極電流使IGBT導(dǎo)通；反之，若提供反向門極電壓則可消除溝道、使IGBT因流過反向門極電流而關(guān)斷。IGBT集GTR通態(tài)壓降小、載流密度大、耐壓高和功率MOSFET驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、輸進(jìn)阻抗高、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)點于一身，因此備受人們青睞。它的研制成功為進(jìn)步電力電子裝置的性能，特別是為逆變器的小型化、高效化、低噪化提供了有利條件。

 

比較而言，IGBT的開關(guān)速度低于功率MOSFET，卻明顯高于GTR；IGBT的通態(tài)壓降同GTR相近，但比功率MOSFET低得多；IGBT的電流、電壓等級與GTR接近，而比功率MOSFET高。目前，其研制水平已達(dá)4500V/1000A。由于IGBT具有上述特點，在中等功率容量（600V以上）的UPS、開關(guān)電源及交流電機(jī)控制用PWM逆變器中，IGBT已逐步替換GTR成為核心元件。另外，IR公司已設(shè)計出開關(guān)頻率高達(dá)150kHz的WARP系列400～600VIGBT，其開關(guān)特性與功率MOSFET接近，而導(dǎo)通損耗卻比功率MOSFET低得多。該系列IGBT有看在高頻150kHz整流器中取代功率MOSFET，并大大降低開關(guān)損耗。

 

IGBT的發(fā)展方向是進(jìn)步耐壓能力和開關(guān)頻率、降低損耗以及開發(fā)具有集成保護(hù)功能的智能產(chǎn)品。

 

7，MOS控制晶閘管（MCT）

 

MCT最早由美國GE公司研制，是由MOSFET與晶閘管復(fù)合而成的新型器件。每個MCT器件由成千上萬的MCT元組成，而每個元又是由一個PNPN晶閘管、一個控制MCT導(dǎo)通的MOSFET和一個控制MCT關(guān)斷的MOSFET組成。MCT工作于超掣住狀態(tài)，是一個真正的PNPN器件，這正是其通態(tài)電阻遠(yuǎn)低于其它場效應(yīng)器件的最主要原因。MCT既具備功率MOSFET輸進(jìn)阻抗高、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快的特性，又兼有晶閘管高電壓、大電流、低壓降的優(yōu)點。其芯片連續(xù)電流密度在各種器件中最高，通態(tài)壓降不過是IGBT或GTR的1/3，而開關(guān)速度則超過GTR。此外，由于MCT中的MOSFET元能控制MCT芯片的全面積通斷，故MCT具有很強(qiáng)的導(dǎo)通di/dt和阻斷dV/dt能力，其值高達(dá)2000A/ s 和2000V/ s。其工作結(jié)溫亦高達(dá)150～200℃。

　

已研制出阻斷電壓達(dá)4000V的MCT，75A/1000VMCT已應(yīng)用于串聯(lián)諧振變換器。隨著性能價格比的不斷優(yōu)化，MCT將逐漸走進(jìn)應(yīng)用領(lǐng)域并有可能取代高壓GTO，與IGBT的競爭亦將在中功率領(lǐng)域展開。

 

 

PIC是電力電子器件技術(shù)與微電子技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物，是機(jī)電一體化的關(guān)鍵接口元件。將功率器件及其驅(qū)動電路、保護(hù)電路、接口電路等外圍電路集成在一個或幾個芯片上，就制成了PIC。一般以為，PIC的額定功率應(yīng)大于1W。功率集成電路還可以分為高壓功率集成電路（HVIC）、智能功率集成電路（SPIC）和智能功率模塊（IPM）。

 

HVIC是多個高壓器件與低壓模擬器件或邏輯電路在單片上的集成，由于它的功率器件是橫向的、電流容量較小，而控制電路的電流密度較大，故常用于小型電機(jī)驅(qū)動、平板顯示驅(qū)動及長途電話通訊電路等高電壓、小電流場合。已有110V/13A和550V/0.5A、80V/2A/200kHz以及500V/600mA的HVIC分別用于上述裝置。

 

SPIC是由一個或幾個縱型結(jié)構(gòu)的功率器件與控制和保護(hù)電路集成而成，電流容量大而耐壓能力差，適合作為電機(jī)驅(qū)動、汽車功率開關(guān)及調(diào)壓器等。

 

IPM除了集成功率器件和驅(qū)動電路以外，還集成了過壓、過流、過熱等故障監(jiān)測電路，并可將監(jiān)測信號傳送至CPU，以保證IPM自身在任何情況下不受損壞。當(dāng)前，IPM中的功率器件一般由IGBT充當(dāng)。由于IPM體積小、可靠性高、使用方便，故深受用戶喜愛。IPM主要用于交流電機(jī)控制、家用電器等。已有400V/55kW/20kHzIPM面市。

 

自1981年美國試制出第一個PIC以來，PIC技術(shù)獲得了快速發(fā)展；今后，PIC必將朝著高壓化、智能化的方向更快發(fā)展并進(jìn)進(jìn)普遍實用階段。

 

 

以上所述各種電力電子器件一般都是由硅（Si）半導(dǎo)體材料制成的。除此之外，近年來還出現(xiàn)了很多性能優(yōu)良的新型化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、磷化銦（InP）及鍺化硅（SiGe）等。由它們作為基礎(chǔ)材料制成的電力電子器件正不斷涌現(xiàn)。

 

 

GaAs是一種很有發(fā)展遠(yuǎn)景的半導(dǎo)體材料。與Si相比，GaAs有兩個獨特的優(yōu)點：①禁帶寬度能量為1.4eV，較Si的1.1eV要高。正因如此，GaAs整流元件可在350℃的高溫下工作（Si整流元件只能達(dá)200℃），具有很好的耐高溫特性，有利于模塊小型化；②GaAs材料的電子遷移率為8000cm2/Vs，是Si材料的5倍，因而同容量的器件幾何尺寸更小，從而可減小寄生電容，進(jìn)步開關(guān)頻率（1MHz以上）。　　

 

當(dāng)然，由于GaAs材料禁帶寬度大，也帶來正向壓降比較大的不利因素，不過其電子遷移率可在一定程度上補(bǔ)償這種影響。

 

GaAs整流元件在Motorola公司的一些老用戶中間，廣泛用于制作各種輸出電壓（12V、24V、36V、48V）的DC電源，用于通訊設(shè)備和計算機(jī)中。預(yù)計，隨著200V耐壓GaAs整流器件生產(chǎn)工藝技術(shù)的改進(jìn)，器件將獲得優(yōu)化，應(yīng)用領(lǐng)域?qū)粩鄶U(kuò)大。

 

 

SiC是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，作為Si和GaAs的重要補(bǔ)充，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫（300～500℃）、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SiC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車的節(jié)能具有重要意義。　　

 

已用SiC材料制作出普通晶閘管、雙極晶體管（BJT）、IGBT、功率MOSFET（175V/2A、600V/1 8A）、SIT（600MHz/225W/200V/fmax=4GHz）、PN結(jié)二極管（300K溫度下耐壓達(dá)4 5kV）和肖特基勢壘二極管（300K溫度下耐壓達(dá)1kV），廣泛運用于火車機(jī)頭、有軌電車、產(chǎn)業(yè)發(fā)電機(jī)和高壓輸電變電裝置中。

 

 

InP是一種ⅢⅤ族化合物半導(dǎo)體材料，是繼Si和GaAs之后的新一代電子功能材料。它具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、高場下更高的電子均勻速度，且表面復(fù)合速率比GaAs低幾乎3個數(shù)目級，使得InPHBT可在低電流下工作，可作為高速、高頻微波器件的材料，頻率可達(dá)340GHz。

 

 

據(jù)報道，德國TenicTelefunkenMicroelectronic公司計劃于1998年一季度開始批量生產(chǎn)無線應(yīng)用的SiGe芯片，其截止頻率為50GHz～110GHz。這標(biāo)志著SiGe器件正式進(jìn)進(jìn)應(yīng)用領(lǐng)域。

 

電力電子器件的應(yīng)用已深進(jìn)到產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)和社會生活的各個方面，實際的需要必將極大地推動器件的不斷創(chuàng)新。微電子學(xué)中的超大規(guī)模集成電路技術(shù)將在電力電子器件的制作中得到更廣泛的應(yīng)用；具有高載流子遷移率、強(qiáng)的熱電傳導(dǎo)性以及寬帶隙的新型半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、碳化硅、人造金剛石等的運用將有助于開發(fā)新一代高結(jié)溫、高頻率、高動態(tài)參數(shù)的器件。從結(jié)構(gòu)看，器件將復(fù)合型、模塊化；從性能看，發(fā)展方向?qū)⑹沁M(jìn)步容量和工作頻率、降低通態(tài)壓降、減小驅(qū)動功率、改善動態(tài)參數(shù)和多功能化；從應(yīng)用看，MPS電力整流管、MOSFET、IGBT、MCT是最有發(fā)展遠(yuǎn)景的器件。

 

今后研制工作的重點將是進(jìn)一步改善MPS的軟反向恢復(fù)特性，進(jìn)步IGBT和MCT的開關(guān)頻率和額定容量，研制智能MOSFET和IGBT模塊，發(fā)展功率集成電路以及其它功率器件。GTO將繼續(xù)在超高壓、大功率領(lǐng)域發(fā)揮作用；功率MOSFET在高頻、低壓、小功率領(lǐng)域具有竟?fàn)幧巷L(fēng)；超高壓（8000V以上）、大電流普通晶閘管在高壓直流輸電和靜止無功功率補(bǔ)償裝置中的作用將會得到延續(xù)，而低壓普通晶閘管和GTR則將逐步被功率MOSFET（600V以下）和IGBT（600V以上）所代替； MCT最具發(fā)展前途?？梢灶A(yù)見，電力電子器件的發(fā)展將會日新月異，電力電子器件的未來將布滿生機(jī)。