【導(dǎo)讀】IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅度提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻闹饕獞?yīng)用的性能指標(biāo)（FOM）提升10倍。
國(guó)際整流器公司(IR)近日宣布，已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品，預(yù)示著電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來臨。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司所生產(chǎn)。
IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示：“IR開始商業(yè)裝運(yùn)采用其尖端的氮化鎵技術(shù)平臺(tái)及IP產(chǎn)品組合的器件，成功保持了我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體器件市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)預(yù)示著電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來臨，這正與公司幫助客戶節(jié)省能源的核心宗旨相契合。我們完全可以預(yù)期，氮化鎵技術(shù)對(duì)電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的潛在影響能夠至少不遜色于我們30年前推出的功率HEXFET。”
圖示：國(guó)際整流器公司推出的GaN
GaN技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
這一成就彰顯了IR在功率管理市場(chǎng)的戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)，即能夠提供一個(gè)帶來高資本效益的制造模式。相比最先進(jìn)的硅技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻闹饕獞?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。這一新的里程碑表明IR一直致力于為客戶提供頂尖的功率管理技術(shù)。
Khaykin總結(jié)稱：“長(zhǎng)期來看，氮化鎵技術(shù)適用于IR所有業(yè)務(wù)單元和產(chǎn)品線。我們欣然見證該技術(shù)成為公司長(zhǎng)期收入增長(zhǎng)和市場(chǎng)占有率擴(kuò)大的主要推動(dòng)力。我謹(jǐn)向所有相關(guān)人士致以衷心的謝意，并且祝賀他們?nèi)〉萌绱朔欠驳某删汀?rdquo;
這款開創(chuàng)先河的氮化鎵功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR歷經(jīng)10年，基于其專有的硅基氮化鎵磊晶技術(shù)進(jìn)行研發(fā)的成果。其高產(chǎn)量、150mm的硅基氮化鎵磊晶以及相關(guān)的器件制造工藝，能夠與IR現(xiàn)有的具備成本效益的硅制造設(shè)施完全匹配，為客戶提供商業(yè)可行的世界級(jí)氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。
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