【導讀】TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發(fā)成果。通過使用采用近場光的熱輔助記錄方式的磁頭技術(shù),實現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度,誤碼率為10-2。
TDK以前曾利用該技術(shù)實現(xiàn)了1Tbit/inch2的面記錄密度、10-2的BER,此次數(shù)值超過了上次,達到了“業(yè)內(nèi)最高”(TDK)。TDK表示,“希望能在2014年內(nèi)將該成果轉(zhuǎn)化為量產(chǎn)產(chǎn)品”。
據(jù)TDK介紹,1.5Tbit/(英寸)2的面記錄密度相當于現(xiàn)行量產(chǎn)產(chǎn)品的約2倍。換算成2.5英寸硬盤的話,相當于每張碟片1TB,換算為3.5英寸硬盤的話則為2TB。
此次的測試環(huán)境跟上次(1Tbit/inch2)基本相同,采用自旋支架進行了評測。“與上次不同的只有磁頭和硬盤介質(zhì)”(TDK)。最終,確認了在線記錄密度為1350kBPI、磁道密度為1113kTPI的條件下,誤碼率為10-2。實現(xiàn)1Tbit/ inch2的記錄密度時,線記錄密度為1100kBPI,磁道密度為為915kTPI。
TDK此次未公布技術(shù)詳情,只表示是通過改進磁頭和硬盤介質(zhì)等實現(xiàn)的。介質(zhì)方面獲得了昭和電工的技術(shù)支持。
TDK在“CEATEC JAPAN 2012”上公布了此次驗證成果,并在會場進行了能夠體驗近場光熱輔助記錄的演示 。
圖1:熱輔助記錄用磁頭
圖2:面記錄密度的發(fā)展