新聞事件：

• 飛兆半導(dǎo)體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級MOSFET H-PSOF封裝工藝許可協(xié)議

事件影響：

• 協(xié)議確保設(shè)計人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術(shù)供應(yīng)渠道
• 這種封裝相對于現(xiàn)有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%
• TO-Leadless MOSFET封裝解決方案將應(yīng)用于汽車行業(yè)

 
英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF（帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝）——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝（MO-299）——的許可協(xié)議。

這種封裝適用于大電流汽車應(yīng)用，包括混合動力汽車的電池管理、電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）、主動式發(fā)電機和其他重載電氣系統(tǒng)。TO-Leadless封裝是首個實現(xiàn)300安培電流能力的封裝。這種封裝相對于現(xiàn)有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%，從而大幅節(jié)省空間。

開發(fā)全新的啟停系統(tǒng)、電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電池管理和主動式發(fā)電機，以滿足更苛刻的能效和排放要求的汽車電子公司，正在尋求各種創(chuàng)新解決方案，但他們還必須最大程度規(guī)避僅從一家供應(yīng)商采購器件的風險。為確?？煽康钠骷?yīng)，飛兆半導(dǎo)體與英飛凌簽署該許可協(xié)議，旨在將領(lǐng)先業(yè)界的TO-Leadless MOSFET封裝解決方案應(yīng)用于汽車行業(yè)，同時最大程度降低從一家供應(yīng)商采購器件的風險。

飛兆半導(dǎo)體公司計劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應(yīng)用于其最新的MOSFET技術(shù)。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品，預(yù)計將于2012年下半年開始提供，批量生產(chǎn)有望于2013年中期開始。

飛兆半導(dǎo)體汽車業(yè)務(wù)部副總裁Marion Limmer指出：“憑借多年來在汽車行業(yè)積累的豐富經(jīng)驗，飛兆半導(dǎo)體在滿足當前各大汽車廠商的功率半導(dǎo)體需求方面，遙遙領(lǐng)先。通過采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝，飛兆半導(dǎo)體幫助設(shè)計人員充分利用最新的低阻MOSFET技術(shù)，從而進一步提高我們在汽車市場的份額。”

英飛凌科技股份公司汽車電子業(yè)務(wù)部總裁Jochen Hanebeck表示：“擁有這個協(xié)議，汽車行業(yè)將受益于從其他可靠供應(yīng)商訂購空間、能效及性能方面具備優(yōu)勢的大電流功率器件。作為汽車功率應(yīng)用技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌利用其技術(shù)專長為汽車系統(tǒng)供應(yīng)商提供可提高能效和性能的MOSFET，同時還可最大程度降低從一家供應(yīng)商采購的風險。”

飛兆半導(dǎo)體與世界領(lǐng)先的汽車制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商合作，開發(fā)出廣泛支持汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體解決方案，包括優(yōu)化現(xiàn)代汽車的電源管理架構(gòu)、降低燃耗和環(huán)境污染等等。