新聞事件：

• 爾必達(dá)于2012年2月27日申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)

事件影響：

• 勢(shì)必會(huì)對(duì)全球DRAM市場(chǎng)版圖變化造成相當(dāng)程度的改變
• 將對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商帶來(lái)相當(dāng)程度影響

DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，受DRAM價(jià)格自2011年第1季持續(xù)性下滑影響，加上日?qǐng)A匯率亦持續(xù)升值加重成本負(fù)擔(dān)，全球第3大DRAM供貨商爾必達(dá)(Elpida)在歷經(jīng)連續(xù)5季虧損后，終于無(wú)法支撐，于2012年2月27日無(wú)預(yù)警申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，并將進(jìn)行重整。

事實(shí)上，爾必達(dá)于2012年主流制程已由45奈米制程升級(jí)至38奈米制程，且20奈米制程也已近研發(fā)完成階段，原預(yù)計(jì)于2012年下半導(dǎo)入量產(chǎn)，對(duì)于如TSV 3D IC等次世代DRAM技術(shù)研發(fā)亦不遺余力，制程技術(shù)水準(zhǔn)更直逼三星電子(Samsung Electronics)。

柴煥欣分析，2011年?duì)柋剡_(dá)于全球DRAM市場(chǎng)市場(chǎng)率達(dá)13%，Mobile DRAM全球市占率亦達(dá)17%，皆為全球第3，若此次爾必達(dá)經(jīng)過重整仍無(wú)法渡過難關(guān)而退出，勢(shì)必會(huì)對(duì)全球DRAM市場(chǎng)版圖變化造成相當(dāng)程度的改變。

爾必達(dá)生產(chǎn)鏈遍布日本與臺(tái)灣兩地，其中，包括力晶、瑞晶皆為爾必達(dá)位于臺(tái)灣前段制程合作伙伴，而力成與華東科技則為爾必達(dá)后段封裝測(cè)試的合作伙伴。另外，晶圓代工大廠聯(lián)電亦與爾必達(dá)、力成策略聯(lián)盟，共同于TSV 3D IC技術(shù)進(jìn)行研發(fā)。因此，爾必達(dá)若重整失敗，亦將對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商帶來(lái)相當(dāng)程度影響。

申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)一舉雖為爾必達(dá)防止資金鏈立即斷裂的緩兵之計(jì)，然而，無(wú)論爾必達(dá)能否重整成功，此舉將會(huì)對(duì)爾必達(dá)未來(lái)銷售與市占率造成不利影響，亦會(huì)對(duì)全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖造成變化。柴煥欣認(rèn)為，最顯著影響即為2012年三星于全球DRAM市場(chǎng)市占率將有可能因此超過50%，不僅會(huì)讓三星對(duì)全球DRAM市場(chǎng)價(jià)格變化影響力提升，讓其它DRAM業(yè)者面臨苦戰(zhàn)外，同時(shí)亦會(huì)讓如華碩、宏碁等系統(tǒng)業(yè)者于DRAM成本受制于三星。