新聞事件：

• Vishay功率MOSFET榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)

事件影響：

• 功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻
• 低FOM減少開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗
• 器件的高效率使設(shè)計(jì)者提高系統(tǒng)的功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 榮獲專業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)。

在采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及60V器件中最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對(duì)于設(shè)計(jì)者，更低的MOSFET導(dǎo)通電阻使得傳導(dǎo)損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負(fù)載條件下。低FOM減少了高頻和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高效率使設(shè)計(jì)者能夠提高系統(tǒng)的功率密度，或同時(shí)在更綠色的設(shè)計(jì)方案中實(shí)現(xiàn)更低的能源損耗。

在兩個(gè)月的時(shí)間內(nèi)，用戶通過(guò)在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)?wù)摺?18款提名產(chǎn)品中有31款獲獎(jiǎng)，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎(jiǎng)項(xiàng)。