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WSTS:2010~2013年全球半導體市場年均增長率為6.1%

發(fā)布時間:2011-06-13 來源:日經(jīng)BP社

半導體市場的機遇與挑戰(zhàn):
  • WSTS對2011年春季半導體市場預測進行了上調(diào)
半導體市場的市場數(shù)據(jù):
  • 預計2011年全球半導體市場規(guī)模為比上年增加5.4%
  • 2010~2013年全球半導體市場年均增長率為6.1%

WSTS(全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織)日本協(xié)會在東京舉行了新聞發(fā)布會,發(fā)布了WSTS的 2011年春季半導體市場預測。與2010年11月發(fā)布的秋季預測相比,整體進行了上調(diào)。其中,只有日本市場進行了下調(diào)。下調(diào)的原因是,日本在短期內(nèi)會受到東日本大震災造成的影響,從中長期來看日本市場的主力——消費產(chǎn)品用半導體將陷入低迷,無法推動半導體市場的發(fā)展。

發(fā)布資料顯示,預計2011年全球半導體市場規(guī)模為比上年增加5.4%的3144億1000萬美元,比秋季預測的3138億3700萬美元上調(diào)了 3億7300萬美元。WSTS預測認為,之后仍將繼續(xù)穩(wěn)步增長,2012年為比上年增加7.8%的3383億7500萬美元、2013年為比上年增加 5.4%的3566億1300萬美元。最終,2010~2013年的年均增長率將達到6.1%/年。除日本外,其他所有地區(qū)都呈現(xiàn)出這種趨勢。美國為 7.5%/年、歐洲為8.1%/年、亞太地區(qū)為6.2%/年。均超過全球年均增長率。

只有日本市場低于全球水平。其年均增長率為2.5%/年。雖然這個數(shù)值較低,但也呈現(xiàn)出了增長態(tài)勢。不過,其中包含了2011年日元不斷升值帶來的效應(yīng),如果按日元換算的話,僅為0.3%/年,幾乎沒有增長。具體情況是,預計2011年日元和美元的匯率將從2010年的87.7日元/美元升至 82.3日元/美元。因此,2011年日本市場按日元換算,將比上年大幅下滑12.0%,按美元換算將比上年下滑6.2%。換算成日元來看,日本市場進入 2013年后的規(guī)模也只有4萬億1255億日元,僅為歷史最高水平——2007年5萬億7497億日元的70%左右。另外,預計2012年和2013年的匯率均將保持82.3日元/美元。

從不同產(chǎn)品來看,2010~2013年年均增長率較高的是傳感器和MOS Micro,均超過了10%/年。年均增長率較低的是MOS存儲器,僅為0.9%。此外均在5~7%/年的范圍內(nèi)。MOS存儲器增長率較低的原因是,2011年為比上年減少2.7%的負增長。預計NAND閃存將比上年增加15.6%,繼續(xù)穩(wěn)步增長,但DRAM由于價格下滑等影響,將比上年減少 11.5%。


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