- 100ppm 的總頻率誤差
- 支持標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝
- 獨(dú)特的模擬核設(shè)計(jì)
- 具有 200nA的低功耗待機(jī)模式
- 100μs的快速啟動(dòng)時(shí)間
- 適合服務(wù)器和企業(yè)設(shè)計(jì)
- 適合采用以太網(wǎng)端口的數(shù)據(jù)通信設(shè)備
致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個(gè)溫度、電壓和其他因數(shù)方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù)，可以用一個(gè) 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器，并采用非常薄的外形，而無需使用任何機(jī)械頻率源或鎖相環(huán)（PLL）。該產(chǎn)品專門用于下一代存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)通信和連接接口，如千兆以太網(wǎng)、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產(chǎn)品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動(dòng)替代方案，因此非常適合服務(wù)器和企業(yè)設(shè)計(jì)，以及采用以太網(wǎng)端口的數(shù)據(jù)通信設(shè)備。
IDT 通信事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Fred Zust 表示：“憑借其 100ppm 的總頻率誤差，IDT3C02不愧為計(jì)時(shí)行業(yè)的一個(gè)重大突破。作為一個(gè)晶振替代品的理想選擇，它擴(kuò)展了今年早些時(shí)候發(fā)布的晶圓形式全硅 CMOS 振蕩器，擴(kuò)展了 IDT 在計(jì)時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
IDT3C02 振蕩器可產(chǎn)生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機(jī)械諧振器。該器件支持標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)成可用的 CMOS 工藝，采用了可編程架構(gòu)，支持各種配置選項(xiàng)，以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用范圍。也許這些選項(xiàng)中最為關(guān)鍵的是工廠可編程的工作頻率，與傳統(tǒng)的石英解決方案相比，有助于縮短交貨時(shí)間，包括特殊或罕見的頻率。
此外，IDT3C02 振蕩器采用一個(gè)獨(dú)特的模擬核設(shè)計(jì)，其功耗低于 2.5mA（空載典型值），從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時(shí)在 1MHz 載波偏移條件下實(shí)現(xiàn)了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝，無需陶瓷密封的封裝。
IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機(jī)模式，以及 100μs（典型值）的快速啟動(dòng)時(shí)間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設(shè)計(jì)，允許頻繁的開關(guān)電源以進(jìn)一步節(jié)省功耗。由于該器件不包含任何運(yùn)動(dòng)元件，且不使用機(jī)械或壓電電子諧振來產(chǎn)生電子頻率，全硅的單片方案實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的耐沖擊和振動(dòng)能力。
供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。
