CMOS晶體管的新聞事件：

• 2013年將由平面晶體管向三維溝道的晶體管過渡

CMOS晶體管的事件影響：

• 對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)帶來影響
• 元件材料及曝光技術(shù)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折

邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國(guó)英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)帶來影響。

元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折

“估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過渡”（英特爾）。“在20nm以后的工藝中，立體晶體管不可或缺”（臺(tái)積電）。各公司此前從未對(duì)現(xiàn)行晶體管技術(shù)的界限作出過這樣的斷言。這是因?yàn)楦髌髽I(yè)認(rèn)識(shí)到現(xiàn)行技術(shù)無法解決漏電流増大等問題。另外，各公司目前瞄準(zhǔn)11nm以后的工藝，正在開發(fā)使用Ge及Ⅲ-V族半導(dǎo)體的高遷移率溝道技術(shù)。估計(jì)此前主要以硅為對(duì)象的材料技術(shù)早晚也會(huì)迎來重大轉(zhuǎn)變。

關(guān)于對(duì)微細(xì)化起到關(guān)鍵作用的光刻技術(shù)，EUV曝光及EB曝光等新技術(shù)正不斷走向?qū)嵱没?。目前已相繼出現(xiàn)為生產(chǎn)線引進(jìn)曝光裝置并形成15nm以后微細(xì)圖案的事例。