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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術的中壓功率MOSFET

發(fā)布時間:2010-07-08 來源:技術在線

產(chǎn)品特性:
  • 采用IR最新硅技術來實現(xiàn)基準性能
  • 滿足40V到250V的寬泛電壓
  • 尺寸僅為0.9mm
應用服務:
  • 網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源等



國際整流器(IR) 7月2日宣布,將拓展HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,其中采用了5x6mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能,適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“由于新器件的尺寸僅為0.9mm,并具有標準引腳,可提供高額定電流和低導通電阻,因此與需要多個并行元件的解決方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常適合電路板空間狹小的開關應用。”

所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 標準,所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質(zhì)管制指令(RoHS)。
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