你的位置:首頁 > EMC安規(guī) > 正文

EMI逆向分析法

發(fā)布時間:2019-08-26 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴,在面對EMC問題,很多時候應(yīng)該都會覺的無從下手,或者毫無頭緒。至此,為何不反過來從測試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測分析,下面就列舉幾個常見的EMI輻射問題分析思路。
 
一 有規(guī)律的單支信號
 
有規(guī)律的單支信號,大部分都是時鐘信號。因為時鐘是一個穩(wěn)定的單一頻率信號,所以在頻率上呈現(xiàn)為一根根的單支,且DB也不會太低,大多數(shù)時鐘超標(biāo)的同時,它的倍頻也會呈現(xiàn)相應(yīng)的狀態(tài)。
因此,在分析數(shù)據(jù)的時候,只要對比每個單支之間的差數(shù),基本可以確定問題點。例如:48.15MHZ的時鐘問題!最后6號點和5號點的頻率是337.05 MHz與385.2 MHz[385.2-337.05=48.15],且第11號點為 963MHz=48.15MHz X 20。
 
EMI逆向分析法
 
在確定問題點后,再在原理圖上或者PCB圖上,找到相關(guān)時鐘信號,然后在電路板上用頻譜進(jìn)行排查和確認(rèn),可以很快確定問題電路并進(jìn)行改正。例如下圖就是利用頻譜在EUT上實測得到的頻譜圖,與上圖測試數(shù)據(jù)的點基本吻合。[143.58MHz=48.15MHz X 3]
 
EMI逆向分析法
 
對于此類問題可以采用展頻方法來進(jìn)行改善,效果也是十分明顯。
 
二 低頻大波浪信號
 
EMI逆向分析法
 
除開時鐘信號的單支問題外,常見的還有低頻大包絡(luò),如上圖所示,這類低頻大包絡(luò)一般對應(yīng)的是離散信號,也就是頻率變化范圍比較大,且頻率比較低的電路。綜合上述,一般都是低頻信號電路,例如電源電路。
 
上圖是一開關(guān)電源在整機中的EMI測試數(shù)據(jù)圖,仔細(xì)觀察可以發(fā)現(xiàn)此圖中,“低頻”段的噪聲整體偏高,對電源模塊單獨進(jìn)行測試,數(shù)據(jù)如下圖所示,兩圖的峰值線基本一直,所以可以鎖定問題點就是電源問題。
 
EMI逆向分析法
 
三 雜散無規(guī)律信號
 
EMI逆向分析法
 
此外,還有一類波形,如上圖所示,雜亂無章,且整體DB都較高,比較常見的就有有刷電機產(chǎn)生的噪聲。這類問題比較難以直接下手,需要一步一步進(jìn)行分析判斷。
 
此類現(xiàn)象主要是由于電機內(nèi)部碳刷在不斷的換向拉弧所產(chǎn)生,整改手段比較常見的就是加電容電感,但是電容與電感的搭配使用也不能有效的抑制這類整體超標(biāo)都很嚴(yán)重的波形。
 
EMI逆向分析法
 
在此基礎(chǔ)上,可以針對高頻部分再進(jìn)行二級濾波,這里使用BDL進(jìn)行二級濾波后,測試發(fā)現(xiàn)整體數(shù)據(jù)都有所下降。
 
EMI逆向分析法
 
四 整體底噪高
 
還有一類波形與電機波形很類似,數(shù)據(jù)卻沒有那么雜亂無章, 但是整體底噪都偏高。
 
EMI逆向分析法
 
在對被測設(shè)備進(jìn)行分析的時候發(fā)現(xiàn)兩個模塊僅有單點GND進(jìn)行接觸,且板子本身跨度較大,對其進(jìn)行多點接地后,測試發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)有明顯下降!
 
EMI逆向分析法
EMI逆向分析法
 
為此面對EMC問題不要過于迷茫和畏懼,試著從結(jié)果進(jìn)行逆向分析,一步一步的鎖定解決問題。在面對人生困難時,亦是如此,不要畏懼和退縮,一點一點的解決戰(zhàn)勝它。
 
 
推薦閱讀:
 
掌握MOS管選型技巧,老司機只要七步!
一款能夠?qū)崿F(xiàn)高速測量與高靈敏度的線性圖像傳感器應(yīng)該被這樣設(shè)計!
電源設(shè)計中的電容應(yīng)用
如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET?
振蕩電路的工作原理及其特性
要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉