你的位置:首頁(yè) > EMC安規(guī) > 正文

屏蔽效能分析

發(fā)布時(shí)間:2019-08-06 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
 
一、屏蔽效能的計(jì)算:
 
屏蔽有兩個(gè)目的: 一是限制屏蔽體內(nèi)部的電磁騷擾越出某一區(qū)域; 二是防止外來(lái)的電磁干擾(騷擾)進(jìn)入屏蔽體內(nèi)的某一區(qū)域。屏蔽體一般有實(shí)芯型、 非實(shí)芯型(例如, 金屬網(wǎng))和金屬編織帶等幾種類型, 后者主要用作電纜的屏蔽。各種屏蔽體的屏蔽效果均用該屏蔽體的屏蔽效能來(lái)表示。
 
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
 
屏蔽效能分析
 
對(duì)于屏蔽作用的評(píng)價(jià)可以用屏蔽效能來(lái)表示:
 
屏蔽效能分析
 
屏蔽效能SE越大,表示屏蔽效果越好。
 
另外, 還可以用傳輸系數(shù)(或透射系數(shù))TE表示屏蔽效果, TE是指存在屏蔽體時(shí)某處的電場(chǎng)強(qiáng)度ES與不存在屏蔽體時(shí)同一處的電場(chǎng)強(qiáng)度E0之比; 或者是指存在屏蔽體時(shí)某處的磁場(chǎng)強(qiáng)度HS與不存在屏蔽體時(shí)同一處的磁場(chǎng)強(qiáng)度H0之比, 即:
 
屏蔽效能分析
 
傳輸系數(shù)(或透射系數(shù))與屏蔽效能互為倒數(shù)關(guān)系, 即
 
屏蔽效能分析
 
二、完整屏蔽體的屏蔽效能:
 
完整屏蔽體是指一個(gè)完全封閉的屏蔽結(jié)構(gòu),電磁場(chǎng)只有穿過(guò)屏蔽體壁才能出入該封閉結(jié)構(gòu)。 
 
屏蔽效能分析
 
1.電磁波的反射損耗
 
電磁波傳播到不同介質(zhì)分界面發(fā)生反射與透射
 
電磁波穿過(guò)屏蔽體時(shí)的反射與透射:
 
屏蔽效能分析
屏蔽效能分析
屏蔽效能分析
 
2.電磁波的吸收損耗
 
電磁波到達(dá)屏蔽體的穿出面時(shí)
 
屏蔽效能分析
 
從上式可以看出, 在頻率f 較高時(shí), 吸收損耗是相當(dāng)大的,表2-1 給出幾種常用金屬材料在吸收損耗分別為A=8.68 dB、20 dB、40 dB時(shí)所需的屏蔽平板厚度t。
 
表2-1  幾種金屬的電導(dǎo)率σ、 磁導(dǎo)率μ及所需屏蔽厚度t。
屏蔽效能分析
 
由表2-1可以看出:
 
① 當(dāng)f ≥1 MHz時(shí), 用0.5 mm厚的任何一種金屬板制成的屏蔽體, 能將場(chǎng)強(qiáng)減弱為原場(chǎng)強(qiáng)的1/100左右。因此, 在選擇材料與厚度時(shí), 應(yīng)著重考慮材料的機(jī)械強(qiáng)度、剛度、工藝性及防潮、防腐等因素。
 
② 當(dāng)f ≥10 MHz時(shí), 用0.1 mm厚的銅皮制成的屏蔽體能將場(chǎng)強(qiáng)減弱為原場(chǎng)強(qiáng)的1/100甚至更低。因此, 這時(shí)的屏蔽體可用表面貼有銅箔的絕緣材料制成。·
 
③當(dāng)f ≥100 MHz時(shí), 可在塑料殼體上鍍或噴以銅層或銀層制成屏蔽體。
 
表2-2列出了常用金屬材料對(duì)銅的相對(duì)電導(dǎo)率和相對(duì)磁導(dǎo)率。根據(jù)要求的吸收衰減量可求出屏蔽體的厚度, 由式
 
屏蔽效能分析
 
表2-2常用金屬材料對(duì)銅的相對(duì)電導(dǎo)率和相對(duì)磁導(dǎo)率
屏蔽效能分析
 
3.電磁波的多次反射損耗
 
電磁波穿出屏蔽體時(shí),在穿出面發(fā)生反射,該反射波返回進(jìn)入面時(shí)再次被反射,如此反復(fù),直到其能量被吸收至可以忽略為止。
 
屏蔽效能分析
 
三、屏蔽體不完整對(duì)屏蔽效果的影響:
 
屏蔽體上總會(huì)有門、蓋、儀表、開(kāi)關(guān)等各種孔縫隙,以及連線穿透,這些都不同程度地破壞了屏蔽的完整性。
 
屏蔽效能分析
 
影響因素:開(kāi)孔的最大線性尺寸(并非面積)、波阻抗、電磁波的頻率等。
 
屏蔽效能分析
 
實(shí)際的縫隙泄漏不僅與縫寬、板厚有關(guān),而且與其直線尺寸、縫隙數(shù)量、頻率等都有關(guān)。
 
應(yīng)當(dāng)盡量減少屏蔽體上縫隙的存在,并且縫隙的長(zhǎng)度盡量控制在電磁波波長(zhǎng)的1/20以下。
 
2.開(kāi)孔的影響
 
為安裝開(kāi)關(guān)、按鈕、電位器等,往往需要在屏蔽面板上開(kāi)設(shè)圓形、方形或矩形的孔洞。
 
屏蔽效能分析
 
4.金屬絲網(wǎng)的影響
 
應(yīng)用于需要自然通風(fēng)或向內(nèi)窺視的屏蔽體。
 
屏蔽效能分析
 
一般,在1~100MHz內(nèi),金屬屏蔽網(wǎng)SE=60~100dB,玻璃夾層金屬屏蔽網(wǎng)SE=50~90dB。
 
用金屬絲網(wǎng)作窺視窗時(shí)其透明度較差。
 
5.薄膜及導(dǎo)電玻璃的影響
 
在玻璃或有機(jī)介質(zhì)薄膜上真空蒸發(fā)或噴涂一層導(dǎo)電薄膜作為電磁屏蔽體,可用來(lái)代替玻璃夾層的金屬絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)。
 
透光性好,對(duì)電磁場(chǎng)中電場(chǎng)分量的屏蔽有效,而對(duì)磁場(chǎng)分量的屏蔽則比較微弱。
 
6.屏蔽電纜的影響
 
屏蔽線和屏蔽電纜是電子設(shè)備中用于連接兩個(gè)屏蔽體時(shí)最常用的導(dǎo)線。為保證柔軟、易于彎曲,其外層屏蔽體常用多股金屬絲編織而成。
 
屏蔽效能與編織屏蔽體的材料、密度等直接相關(guān),一般單層編織屏蔽的屏蔽效能大約在50~60dB之間,雙層編織屏蔽則可達(dá)80~90dB。
 
 
推薦閱讀:
 
耦合與退耦,上拉與下拉!
電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇
MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
負(fù)壓是怎么產(chǎn)生的?附電路詳細(xì)分析
TVS二極管失效分析
要采購(gòu)開(kāi)關(guān)么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉