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低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分

發(fā)布時(shí)間:2024-12-20 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在本期文章中,對(duì)傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析,然后解釋了如何使用開(kāi)關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。


在本期文章中,對(duì)傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析,然后解釋了如何使用開(kāi)關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。

 低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分圖 1


圖 1 中沒(méi)有誤差源的帶隙電壓由以下公式描述。


低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分


下面添加了錯(cuò)誤源,并假設(shè)所有不匹配  錯(cuò)誤


低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分


條件、誤差級(jí)別和選擇的設(shè)計(jì)參數(shù):


低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分


使用上述參數(shù)進(jìn)行誤差計(jì)算:

從上面可以看出,輸入失調(diào)電壓是主要的誤差源,因此消除這個(gè)誤差將大大有助于實(shí)現(xiàn)的帶隙電壓。因此,讓我們繼續(xù)討論 switched capacitor 實(shí)現(xiàn),看看如何處理這個(gè)錯(cuò)誤,以及其他錯(cuò)誤如何比較。

在圖 2 中,顯示了開(kāi)關(guān)電容帶隙電路,并添加了一個(gè)簡(jiǎn)單的附加物(標(biāo)記為“新”)以執(zhí)行偏移電壓消除。該圖是對(duì)本系列部分的初始采樣狀態(tài) 圖 1 的修改。在這種狀態(tài)下,反饋電容 C” 現(xiàn)在都連接到共模輸出電壓 (vcm),另一側(cè)連接到 OTA 的輸入端,電路中的其余電容也是如此。因此,在此階段的所有 caps 上對(duì) input offset voltage 進(jìn)行采樣。


低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分圖 2


帶偏移校正的初始采樣

在下一個(gè)狀態(tài)下,φ1 開(kāi)關(guān)打開(kāi),φ2 閉合,之前連接到 vcm 的兩個(gè) C” 反饋電容器的端子連接到輸出。兩者保持相同的端電壓,因此 OTA 偏移電壓已從差分輸出中消除。

 低功率開(kāi)關(guān)電容器帶隙,第 2 部分


傳統(tǒng)帶隙電路中的第二大誤差貢獻(xiàn)因素是 R0和 R1.這些電阻器用于增益 (R0/ R1) PTAT 電壓。如本系列部分所述,PTAT 電壓在開(kāi)關(guān)電容電路中使用電容器比率 (2C’/C”) 而不是電阻器比率來(lái)增加。這是有益的,因?yàn)殡娙萜鞯氖洌繂挝幻娣e)遠(yuǎn)小于多晶硅電阻器的失配,在我目前正在工作的過(guò)程中相差 ?5 倍。這將第二大誤差從 6.3mV 降低到 1.3mV。

這種開(kāi)關(guān)電容架構(gòu)的一個(gè)好處是電路的差分特性帶來(lái)的卓越電源抑制 (PSR) 性能。差分 OTA 的對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)為電源上的信號(hào)提供一階抵消。

總之,使用開(kāi)關(guān)電容器技術(shù)產(chǎn)生基于帶隙的電壓有很多好處。其中包括易于減少甚至消除許多傳統(tǒng)帶隙電路常見(jiàn)的誤差。使用簡(jiǎn)單的偏移消除技術(shù)消除了偏移電壓誤差,使用電容器而不是電阻器減少了關(guān)鍵元件的失配誤差,并且通過(guò)電路的差分特性獲得了更好的 PSR 性能。


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