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選擇合適的 ESD 器件

發(fā)布時(shí)間:2023-10-27 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】如今,電路板設(shè)計(jì)人員面臨著多種 ESD 保護(hù)選擇。設(shè)計(jì)人員通常會(huì)受到某些限制的限制,例如他/她的應(yīng)用可以承受的寄生電容量或電路板必須通過的所需 ESD 級別。通常,這些限制不會(huì)將可用的 ESD 設(shè)備數(shù)量縮小到可管理的列表。本白皮書將為設(shè)計(jì)人員提供指導(dǎo),幫助他/她選擇 ESD 器件,從而地實(shí)現(xiàn)成功的設(shè)計(jì)。


如今,電路板設(shè)計(jì)人員面臨著多種 ESD 保護(hù)選擇。設(shè)計(jì)人員通常會(huì)受到某些限制的限制,例如他/她的應(yīng)用可以承受的寄生電容量或電路板必須通過的所需 ESD 級別。通常,這些限制不會(huì)將可用的 ESD 設(shè)備數(shù)量縮小到可管理的列表。本白皮書將為設(shè)計(jì)人員提供指導(dǎo),幫助他/她選擇 ESD 器件,從而地實(shí)現(xiàn)成功的設(shè)計(jì)。


選擇合適的 ESD 器件


選擇合適的 ESD 器件

如今,電路板設(shè)計(jì)人員面臨著多種 ESD 保護(hù)選擇。設(shè)計(jì)人員通常會(huì)受到某些限制的限制,例如他/她的應(yīng)用可以承受的寄生電容量或電路板必須通過的所需 ESD 級別。通常,這些限制不會(huì)將可用的 ESD 設(shè)備數(shù)量縮小到可管理的列表。本白皮書將為設(shè)計(jì)人員提供指導(dǎo),幫助他/她選擇 ESD 器件,從而地實(shí)現(xiàn)成功的設(shè)計(jì)。

在討論選擇標(biāo)準(zhǔn)之前,讓我們回顧一下一些基本的 ESD 拓?fù)浼捌涞湫偷摹伴_啟”特性。(注:本文中引用的 ESD 威脅/脈沖是由 IEC61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)定義的,如圖 1 所示。)

 選擇合適的 ESD 器件


背景

目前市場上有多種類型的 ESD 抑制器件。示例包括 MLV(多層壓敏電阻)、聚合物 ESD 抑制器以及硅二極管或陣列。為簡單起見,本文將僅關(guān)注硅器件,因?yàn)樗鼈兊男阅茉?ESD 鉗位能力方面往往更為優(yōu)越。盡管如此,下文討論的要點(diǎn)可以普遍適用于任何 ESD 設(shè)備,無論其技術(shù)如何。

兩種常見的硅保護(hù)器件是 TVS/齊納二極管(圖 2)和二極管/??軌夾(圖 3),它們均旨在在 ESD 事件期間提供通向 GND 的低電阻分流路徑。(兩者之間的主要區(qū)別在于每個(gè)結(jié)構(gòu)將添加到受保護(hù)的 I/O 上的寄生電容量。)

每種結(jié)構(gòu)均旨在引導(dǎo)正負(fù) ESD 脈沖遠(yuǎn)離受保護(hù)的 IC。對于正瞬變,圖 2 中的 TVS/齊納二極管將在達(dá)到電壓 VZ(通常為 6-8V)后“開啟”,并向 GND 提供電阻分流。同樣,當(dāng)達(dá)到電壓 VF +VZ(通常為 6-8V)時(shí),圖 3 中的二極管陣列將引導(dǎo)正電流通過“上部”二極管并進(jìn)入內(nèi)部 TVS 器件。對于負(fù) ESD 脈沖,兩種結(jié)構(gòu)的行為相同,即當(dāng)超出 -VF(通常為 0.6-0.8V)或受保護(hù)總線的二極管壓降低于 GND 時(shí),它們都會(huì)導(dǎo)通。牢記這一基本理解,讓我們檢查 ESD 供應(yīng)商在其器件數(shù)據(jù)表中通常給出的電氣特性。


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