【導(dǎo)讀】本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計。
本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計。本設(shè)計指南也適用于 MOSFET 柵極驅(qū)動器。
IGBT/MOSFET 柵極電阻
選擇 RG 值時，重要的是要從柵極驅(qū)動器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān) MOSFET/IGBT 的角度來考慮。對于柵極驅(qū)動器 IC，我們選擇的 RG 在 IC 允許功耗額定值范圍內(nèi)，同時提供/吸收盡可能高的驅(qū)動器電流。從IGBT或MOSFET的角度來看，柵極電阻影響導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電壓變化dVCE/dt和電流變化diC/dt。
因此，當(dāng)設(shè)計人員選擇 IGBT 或 MOSFET 時，選擇合適的柵極驅(qū)動器光耦合器非常重要，因為該驅(qū)動器的電流和額定功率決定了 IGBT 或 MOSFET 導(dǎo)通或關(guān)斷的速度。
IC 允許額定功率內(nèi)的柵極驅(qū)動電源操作
柵極驅(qū)動光耦合器的功耗是 IGBT/MOSFET 的輸出側(cè)功率（紅色圓圈）和由于輸入 LED 功耗而產(chǎn)生的輸入側(cè)功率（藍(lán)色圓圈）的組合。由于驅(qū)動集電極開路晶體管的電流很小，因此可以忽略用于故障反饋的第二個 LED 的功耗。
計算步驟為：
根據(jù)峰值柵極電流計算所需的 RG
計算總功耗
將步驟 #2 中計算出的輸入和輸出功耗與 IC 的建議功耗進行比較。（如果超過了推薦水平，則可能需要提高 RG 值以降低開關(guān)功率并重復(fù)步驟 #2。
在此示例中，ACPL-332J 的總輸入和輸出功耗是根據(jù)以下條件計算的：
IG = 離子， ~ 2.5 A
VCC2 = 18V
VEE = -5 V，（注：如果應(yīng)用中不需要負(fù)電壓電源，則 VEE = 0 V）
fSWITCH = 15 kHz
環(huán)境溫度 = 70°C
步驟 I：根據(jù) IOL 峰值規(guī)格計算 RG 值
為了找到峰值充電 IOL，假設(shè)柵極初充電至穩(wěn)態(tài)值 VCC。對于 ACPL-332J，70°C 時 2.5 A 輸出的電壓降線性近似為 6.3 V（圖 2：VOL 與 IOL）。因此應(yīng)用以下關(guān)系：
步驟 II：計算柵極驅(qū)動器中的總功耗：
總功耗 (PT) 等于輸入側(cè)功耗 (PI) 和輸出側(cè)功耗 (PO) 之和：
[tex]P_{T} = P_{I} + P_{O}[/tex]
[tex]P_{I} = IF_{(ON)} ,max * V_{F},max[/tex]
在哪里，
[tex]IF_{(ON)}，值 = 12 mA[/tex]
[tex]V_{F}，值 = 1.95 V[/tex]
IF(ON) 可以在建議的工作條件下找到，VF 可以在 ACPL-332J 數(shù)據(jù)表的電氣規(guī)格表 5 中找到。
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進行處理。
推薦閱讀：
超結(jié)MOS/低壓MOS在微型逆變器上的應(yīng)用
基于光學(xué)發(fā)射光譜法監(jiān)測等離子體的光譜峰
