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在低側(cè)電流檢測(cè)中使用單端放大器:誤差源和布局技巧

發(fā)布時(shí)間:2023-05-08 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】低側(cè)檢測(cè)的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用相對(duì)簡(jiǎn)單的配置來放大分流電阻器兩端的電壓。例如,通用運(yùn)算放大器的非反相配置可以成為需要能夠在消費(fèi)市場(chǎng)空間競(jìng)爭(zhēng)的成本敏感型電機(jī)控制應(yīng)用的有效選擇。


在低側(cè)電流檢測(cè)中使用單端放大器

低側(cè)檢測(cè)的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用相對(duì)簡(jiǎn)單的配置來放大分流電阻器兩端的電壓。例如,通用運(yùn)算放大器的非反相配置可以成為需要能夠在消費(fèi)市場(chǎng)空間競(jìng)爭(zhēng)的成本敏感型電機(jī)控制應(yīng)用的有效選擇。

基于同相配置的電路圖如圖1所示。


在低側(cè)電流檢測(cè)中使用單端放大器:誤差源和布局技巧
圖1。


然而,這種低成本解決方案可能會(huì)受到多種不同錯(cuò)誤的影響。為了準(zhǔn)確測(cè)量電流,我們需要考慮任何可能影響電路易受影響節(jié)點(diǎn)(例如放大器輸入)的非理想效應(yīng)。我們將在下面更詳細(xì)地討論這個(gè)問題。

微量電阻

一個(gè)重要的錯(cuò)誤是與 R shunt串聯(lián)的 PCB 跡線的寄生電阻。由于 R shunt在毫歐范圍內(nèi)具有很小的值,因此與 R shunt串聯(lián)的任何寄生電阻都可能導(dǎo)致顯著誤差。通過 R雜散對(duì)該寄生電阻建模,我們得到圖 2中的原理圖。


在低側(cè)電流檢測(cè)中使用單端放大器:誤差源和布局技巧
圖 2。


根據(jù)應(yīng)用,I負(fù)載可高達(dá)數(shù)百安培。因此,即使是較小的 R stray值也會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的誤差電壓 V error。該誤差電壓將被放大器的增益放大并出現(xiàn)在輸出端。

由于銅電阻的溫度系數(shù)相當(dāng)高(約 0.4%/°C),R 的值會(huì)發(fā)生雜散,因此誤差電壓會(huì)隨溫度變化很大。因此,雜散電阻會(huì)在承受較大溫度變化的系統(tǒng)中產(chǎn)生與溫度相關(guān)的誤差。為降低誤差電壓 V error,我們應(yīng)避免走線過長(zhǎng),以限度地減少 R雜散。

值得一提的是,消除 R雜散誤差的更有效解決方案是使用不同的放大器而不是同相配置。從圖 2中可以看出,同相配置具有單端輸入。它檢測(cè)節(jié)點(diǎn) A 處相對(duì)于地的電壓。然而,差分放大器具有差分輸入并感測(cè) R shunt兩端的電壓。這如圖 3所示。


在低側(cè)電流檢測(cè)中使用單端放大器:誤差源和布局技巧
圖 3。


差分放大器的傳遞函數(shù)由下式給出:

[v_{out}=frac{R_{2}}{R_{1}}left(v_{A}-v_{B} ight)=frac{R_{2}}{R_{1} }V_{分流器}]

由于放大器的差分輸入檢測(cè)分流電阻兩端的電壓,PCB 走線的電阻不會(huì)產(chǎn)生誤差。我們將在以后的文章中更詳細(xì)地研究差分放大器配置。

阻焊性

另一個(gè)誤差源是與檢測(cè)電阻串聯(lián)的焊錫電阻。這在圖 4中進(jìn)行了說明。


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圖 4。


在此圖中,負(fù)載電流沿紅色箭頭方向從左向右流動(dòng)。垂直跡線將分流電阻器連接到放大器輸入端(In+ 和 In-)。因此,放大器會(huì)感測(cè) A 點(diǎn)和 B 點(diǎn)之間的電壓差。感測(cè)電阻器的實(shí)際值為 R shunt +2R solder。焊接電阻可以在幾百微歐姆的范圍內(nèi)。

誤差變得顯著,尤其是當(dāng)使用小分流電阻器時(shí)。例如,對(duì)于 0.5 mΩ 的分流電阻器和 I負(fù)載= 20 A,焊接電阻的誤差可能高達(dá) 22%。為解決這個(gè)問題,放大器輸入應(yīng)直接連接到分流電阻器而不是載流跡線。圖 5顯示了一個(gè)示例布局,可以提供更準(zhǔn)確的結(jié)果。


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圖 5。


在這種情況下,有兩對(duì) PCB 焊盤:一對(duì)用于將 R shunt連接到負(fù)載,另一對(duì)用于將 R shunt連接到放大器輸入。在大電流應(yīng)用中,放大器汲取的電流 (I amp ) 遠(yuǎn)小于 I load。這就是為什么上述布局可以減少阻焊誤差的原因。

為了更好地理解這項(xiàng)技術(shù),讓我們比較兩種情況下的檢測(cè)電壓。使用圖 4所示的布局,檢測(cè)到的電壓為:

[v_{A}-v_{B}=left(R_{shunt}+2R_{solder1} ight) imes left(I_{load}+I_{amp} ight)]

由于 I amp比 I load小得多,我們有:

[v_{A}-v_{B}approxleft(R_{shunt}+2R_{solder1} ight) imes I_{load}=R_{shunt}I_{load}+2R_{solder1}I_{加載}]

等式 1。

這給出了 2R solder1 I load的誤差電壓。圖 5中的布局如何?這種布局的電路圖如下所示:


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圖 6。


請(qǐng)注意,電流 I load不經(jīng)過 R solder2返回其源。測(cè)得的電壓為:

[v_{C}-v_{D}=R_{shunt} imesleft(I_{load}+I_{amp} ight)+2R_{solder2}I_{amp}approx R_{shunt}I_{ load}+R_{solder2}I_{amp}]

在這種情況下,誤差為 2R solder2 I amp,它遠(yuǎn)小于公式 1的誤差,因?yàn)?I amp遠(yuǎn)小于 I load。這種技術(shù)通常被稱為開爾文傳感,并在許多應(yīng)用領(lǐng)域得到使用。它使我們能夠準(zhǔn)確測(cè)量阻抗。圖 7顯示了一些采用開爾文傳感技術(shù)的其他 PCB 布局。


在低側(cè)電流檢測(cè)中使用單端放大器:誤差源和布局技巧
圖 7.圖片(改編)由TI提供。


您可以在 Analog Devices 的“通過改進(jìn)低值分流電阻器的焊盤布局來優(yōu)化高電流檢測(cè)精度”中找到更復(fù)雜的開爾文連接布局示例。

您可能想知道圖 5 和圖 7中描繪的三種布局中的哪一種可以導(dǎo)致更準(zhǔn)確的測(cè)量?應(yīng)該注意的是,很難回答這個(gè)問題,因?yàn)榻Y(jié)果取決于您在設(shè)計(jì)中使用的電阻器。不同的電阻器制造商在電阻器的標(biāo)稱值時(shí)可能會(huì)使用不同的測(cè)量位置。

例如,如果電阻制造商測(cè)量了焊盤內(nèi)部的電阻,那么圖 7(a)中的布局可以為我們提供更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。

嘈雜的地面

圖 8顯示了另一個(gè)誤差源:噪聲接地。


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圖 8。


我們討論過,由于同相配置具有單端輸入,它測(cè)量節(jié)點(diǎn) A 相對(duì)于地的電壓。假設(shè)我們的電路板有一個(gè)專用的地平面。我們可以在非??拷?R分流器的地方放置一個(gè)過孔,以將 B 點(diǎn)保持在系統(tǒng)接地電位,并限度地減少 PCB 走線電阻的誤差。另一個(gè)敏感節(jié)點(diǎn)是節(jié)點(diǎn) C。任何耦合到節(jié)點(diǎn) C 的信號(hào)都會(huì)被放大并出現(xiàn)在輸出端。因此,我們也需要將節(jié)點(diǎn) C 保持在地電位。

然而,假設(shè)地面有噪聲并且一些電流流過接地層,如圖8所示。這將導(dǎo)致節(jié)點(diǎn) B 和 C 之間存在電位差,而我們理想情況下希望它們具有相同的電位。

假設(shè)節(jié)點(diǎn) B 保持在地電位,與地電流的電壓差將出現(xiàn)在節(jié)點(diǎn) C 并在輸出端引入誤差。為避免此錯(cuò)誤,建議使用使節(jié)點(diǎn) B 和 C 彼此非??拷?PCB 布局。

把它們放在一起

圖 9顯示了一個(gè)考慮了上述注意事項(xiàng)的示例布局。此示例布局基于采用 SOT 23封裝的運(yùn)算放大器。


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圖 9。


請(qǐng)注意,開爾文連接用于檢測(cè)分流電阻器兩端的電壓。另請(qǐng)注意,R 1和 R分流器的接地側(cè)彼此非常靠近。請(qǐng)記住,開爾文連接有幾種不同的焊盤布局。您可能需要咨詢電阻器制造商或進(jìn)行一些實(shí)驗(yàn)以確定適合您設(shè)計(jì)的布局。


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