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[技術(shù)淺談 TechTalk] TVS簡介

發(fā)布時間:2022-10-31 來源:Littelfuse 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】PN結(jié)二極管具有正向?qū)?,反向關(guān)斷的特性,通過不同的材料、摻雜、外延以及工藝的改進(jìn)使其廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)功率變換與電路保護(hù),TVS二極管具有響應(yīng)速度快、漏電流小、鉗位電壓穩(wěn)以及無壽命衰減的特性,從小到信號線靜電防護(hù),大到電力系統(tǒng)抗雷擊浪涌,TVS都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本章對TVS工作機(jī)理與核心參數(shù)展開分析,供產(chǎn)品選型參考。


TVS二極管工作原理


TVS二極管,既瞬態(tài)抑制二極管,又叫雪崩擊穿二極管,采用半導(dǎo)體工藝制成的單個PN結(jié)或多個PN結(jié)集成的器件。TVS二極管有單向與雙向之分,單向TVS二極管一般應(yīng)用于直流供電電路,雙向TVS二極管應(yīng)用于電壓交變的 電路。當(dāng)應(yīng)用于直流電路時,單向TVS二極管反向并聯(lián)于電路中,當(dāng)電路正常工作時,TVS二極管處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻態(tài)),不影響電路正常工作。當(dāng)電路出現(xiàn)異常過電壓并達(dá)到TVS(雪崩)擊穿電壓時,TVS 迅速由高電阻狀態(tài)突變?yōu)榈碗娮锠顟B(tài),泄放由異常過電壓導(dǎo)致的瞬時過電流,同時把異常過電壓鉗制在較低的水平,從而保護(hù)后級電路免遭異常過電壓的損壞。當(dāng)異常過電壓消失后,TVS 阻值又恢復(fù)為高阻態(tài)。


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TVS二極管在結(jié)構(gòu)上改進(jìn)增大PN結(jié)面積,使其瞬態(tài)通流能力大大提高,其摻雜濃度與耐壓成反比與浪涌電流成正比,低摻雜使得節(jié)點獲得更高耐壓,相應(yīng)的通流能力變?nèi)?,通過擴(kuò)大晶圓尺寸的方式來能解決高壓與大通流不可兼容的問題,同樣的也會帶來成本的增加。


在實際應(yīng)用中如果無需單向TVS二極管正向?qū)▉韺崿F(xiàn)一定程度的續(xù)流,那么采用雙向TVS二極管可以達(dá)到同樣保護(hù)效果,同時還具有防止直流電壓反接而引起的TVS短路燒毀現(xiàn)象。


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齊納擊穿與雪崩擊穿


TVS二極管與Zener二極管同樣作為過壓保護(hù), TVS著重浪涌電壓的鉗位保護(hù),具有抗大電流沖擊的能力;Zener管著重于穩(wěn)壓效果,具有浪涌電流小,保護(hù)電壓穩(wěn)的特點,兩者在原理與保護(hù)特性有所區(qū)別,同時在個別應(yīng)用領(lǐng)域又能一定程度的互換。


齊納擊穿


當(dāng)反向電壓增大到一定值時,勢壘區(qū)內(nèi)就能建立起很強(qiáng)的電場,它能夠直接將束縛在共價鍵中的價電子拉出來,使勢壘區(qū)產(chǎn)生大量的電子一空穴對,形成較大的反向電流,產(chǎn)生擊穿,把這種在強(qiáng)電場作用下,使勢壘區(qū)中原子直接激發(fā)的擊穿現(xiàn)象稱為齊納擊穿。


齊納擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較高的PN結(jié)中。這是因為摻雜濃度較高的PN結(jié),空間電荷區(qū)的電荷密度很大,寬度較窄,只要加不大的反向電壓,就能建立起很強(qiáng)的電場,發(fā)生齊納擊穿。


雪崩擊穿


隨著反向電壓的提高,空間電荷區(qū)內(nèi)電場增強(qiáng),通過勢壘區(qū)的載流子獲得的能量也隨之增加。當(dāng)反向電壓接近擊穿電壓Vbr時,這些有較高能量的載流子與空間電荷區(qū)內(nèi)的中性原子相遇發(fā)生碰撞電離,產(chǎn)生新的電子一空穴對。這些新產(chǎn)生的電子和空穴又會在電場的作用下,重新獲得能量,碰撞其它的中性原子使之電離,再產(chǎn)生更多的電子一空穴對。這種連鎖反應(yīng)繼續(xù)下去,使空間電荷區(qū)內(nèi)的載流子數(shù)量劇增,就像雪崩一樣,使反向電流急劇增大,產(chǎn)生擊穿。所以把這種擊穿稱為雪崩擊穿。


雪崩擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較低、外加電壓又較高的PN結(jié)中。這是因為摻雜濃度較低的PN結(jié),空間電荷區(qū)寬度較寬,發(fā)生碰撞電離的機(jī)會較多。


TVS二極管主要參數(shù):


TVS作為浪涌保護(hù)器件,熟練掌握其關(guān)鍵參數(shù)能幫助產(chǎn)品選型與設(shè)計。這里以SMC(DO-214AB)封裝大功率8kW產(chǎn)品8.0SMDJ系列為例展開介紹。


耗散功率,正向峰值電流,正向?qū)▔航?,工作溫度以及熱阻等參?shù)可以在應(yīng)用中作為參考,正向?qū)ㄌ匦詢H限于單向TVS,在一定程度上可以作為小電流泄放回路。


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峰值脈沖功率Pppm


TVS二極管通常是10/1000us波形下達(dá)到的瞬態(tài)峰值功率,是最大脈沖電流峰值與最大鉗位電壓的乘積,鑒于實際應(yīng)用會碰到各種不同脈沖寬度的浪涌沖擊,規(guī)格書同步給出了峰值脈沖功率與脈沖寬度曲線作為設(shè)計參考,從曲線可以看出,隨著脈沖時間縮短,瞬時功率得到提升,一只典型的TVS在脈沖8/20us下的脈沖功率是10/1000us波形下的5~10倍。


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TVS二極管雪崩效應(yīng)具有正溫度系數(shù)特性,即溫度越高其漏電流與鉗位電壓越高,同時因為結(jié)點溫度的限制,使得TVS二極管脈沖峰值功率在高溫下需要考慮降額。


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截止電壓Vr


TVS 的截止電壓,可連續(xù)施加而不引起 TVS損壞的最高工作峰值電壓。TVS符合二極管的反向耐壓特性,電壓越高漏電流越大,因此截止電壓通常是定義在uA級電流下,此電流幅值并聯(lián)于電路當(dāng)中不會對信號產(chǎn)生衰減,同時長時間工作狀態(tài)下不會因為漏電流過大導(dǎo)致過熱而失效。因此在產(chǎn)品選型時,電路的最高工作電壓必須小于Vr,否則將會引起TVS動作導(dǎo)致電路異常。


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漏電流Ir


漏電流,也稱待機(jī)電流。在規(guī)定溫度和最高工作電壓條件下,流過 TVS 反向的最大電流。TVS 的漏電流一般是在截止電壓下測量,對于一些信號端口,漏電流會為控制或通訊線路的電壓信號提供泄放通道,所以TVS的漏電流越小越好。


擊穿電壓Vbr/測試漏電流It


擊穿電壓是TVS二極管反向截止與雪崩擊穿工作分界線,測試方式為在TVS兩端施加電壓,直到對應(yīng)的測試漏電流It為1mA或者10mA,此時測出的電壓為擊穿電壓。TVS二極管在生產(chǎn)時存在一致性偏差,通常選定誤差范圍為±5%,在誤差范圍以外的產(chǎn)品在產(chǎn)品出廠前會被判定為不良品而篩除。


鉗位電壓Vc/峰值脈沖電流Ipp


最大鉗位電壓與峰值脈沖電流構(gòu)成了TVS二極管浪涌保護(hù)能力,即前面講到的峰值脈沖功率Pppm。TVS 一般選用給定 10/1000μs 峰值脈沖電流波形時, TVS 兩端測得的峰值電壓。對于相同規(guī)格TVS,在相同 峰值脈沖電流下的鉗位電壓越小,說明 TVS 的鉗位保護(hù)特性越好。


結(jié)電容Cj


TVS二極管的結(jié)電容與擊穿電壓成反比,擊穿電壓越高,結(jié)電容越小。相比于單向TVS,雙向TVS因自身等效雙二極管反向串聯(lián)的工藝擁有更低的結(jié)電容。


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眾所周知電容具有隔直通交的效果,通過RC構(gòu)成時間常數(shù),因此對于高頻信號就需要通過減小等效電阻以及結(jié)電容來減少信號衰減。TVS結(jié)電容較大通常用于頻率較低的浪涌保護(hù),通過減小芯片尺寸以及串聯(lián)的方式可以減小TVS結(jié)電容,但是也帶來了浪涌能力減弱的情況。如下SP3401-02UTG通過整流二極管的搭配與TVS構(gòu)成串聯(lián)回路,實現(xiàn)了不犧牲浪涌能力Ipp 10A下的低結(jié)電容Cj 0.35pF。


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結(jié)電容固然對于信號有所影響,但是好的設(shè)計會適當(dāng)選擇,而不是一味追求低容值,如下來自Littelfuse結(jié)電容推薦供參考。


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浪涌沖擊保護(hù)器件從材料可以分為半導(dǎo)體與非半導(dǎo)體,其中TVS與固體放電管為半導(dǎo)體,壓敏與氣體放電管為非半導(dǎo)體,非半導(dǎo)體通過物理變化起到的保護(hù)作用都存在壽命衰減的概念;從保護(hù)機(jī)理可以分為鉗位型與導(dǎo)通型,鉗位型具有殘壓高、吸收能量大的特點,導(dǎo)通型具有殘壓低、轉(zhuǎn)移能量大的特點,壓敏與TVS為鉗位型,氣體放電管與固體放電管為導(dǎo)通型,導(dǎo)通型只有在電壓過零時才會關(guān)斷,因此適用于交流回路,如果用在直流電上,需要與鉗位型器件搭配,或者有個切斷開關(guān)。


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通常產(chǎn)品類別的電氣特性有所區(qū)別,因此在產(chǎn)品選型時要根據(jù)實際保護(hù)機(jī)制、可靠性以及成本綜合考慮。在信號端口靜電防護(hù)里面也會涉及到不同材料,TVS與聚合物ESD是比較常用的,聚合物與氣體放電管相似,采用尖端放電原理,導(dǎo)電材料換為聚合物,聚合物ESD具有極低結(jié)電容的特點,尤其適用于高頻信號端口防護(hù),當(dāng)然現(xiàn)在的TVS通過工藝改進(jìn)結(jié)電容也越做越低。


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來源:Littelfuse

作者:Rambo Liu



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