【導(dǎo)讀】下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。

低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作

下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。與導(dǎo)通時(shí)的事件之間的對應(yīng)關(guān)系如下：

dVDS/dt帶來的LS的VGS上升和HS的VGS負(fù)浪涌（波形示意圖T4）是事件(IV)。

波形示意圖的T4周期結(jié)束時(shí)，公式（1）所示的ICGD1消失時(shí)發(fā)生的浪涌是事件(V)。公式（1）與之前使用的公式相同。

然后，漏極電流發(fā)生變化（波形示意圖T6），并發(fā)生公式（2）所示的LSOURCE引起的電動(dòng)勢，電流如等效電路的事件(VI)中所示流動(dòng)。公式（2）也與之前使用的公式相同。

可以看出的動(dòng)作是，由于該電流以源極側(cè)為負(fù)極向MOSFET的CGS充電，因此在HS側(cè)將VGS推高，在LS側(cè)將VGS向正極側(cè)拉升，以防止VGS下降。結(jié)果就產(chǎn)生了波形示意圖所示的VGS動(dòng)作。波形示意圖中VGS的虛線表示理想的電壓波形。

外置柵極電阻的影響

下面是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的LS關(guān)斷時(shí)的雙脈沖測試結(jié)果。（a）波形圖的外置柵極電阻RG_EXT為0Ω時(shí)，（b）為10Ω。圖中的(IV)、(V)、(VI)即前面提到的事件。

如波形圖所示，可以看到事件（V）的浪涌非常明顯。

盡管由VDS的變化引起的事件（IV）的影響很小，但由于HS中事件（IV）引起的負(fù)浪涌常常會超過額定值，在這種情況下，就需要對電路采取相應(yīng)的措施。要想減少這種關(guān)斷時(shí)的HS負(fù)浪涌，需要減小HS柵極電阻RG_EXT。然而，需要注意的是，在上一篇文章介紹過的常用柵極電阻調(diào)節(jié)電路中，事件（IV）在電阻值高的RG_ON側(cè)較為突出。

關(guān)于由事件(VI)引起的VGS抬升，由于該時(shí)刻正好在關(guān)斷（Turn-off）結(jié)束之前，所以即使HS進(jìn)入導(dǎo)通（Turn-on）動(dòng)作，SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的LS也已經(jīng)被關(guān)斷，幾乎不會造成什么問題。

（來源：Rohm）

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