如今的電子科技時(shí)代，我們已離不開生活中的智能產(chǎn)品，尤其是手機(jī)，在這個(gè)移動(dòng)支付的快節(jié)奏城市，也許你可以試試一天沒有手機(jī)的生活，恐怕會有諸多不便。而手機(jī)卻依賴它，一顆比米粒還要小的晶振，決定了整塊電路板的＂生死＂。如果它不運(yùn)作，整個(gè)系統(tǒng)就會癱瘓，在行業(yè)中被人們堪比為電路板的心臟。

 

晶振停振

晶振是各板卡的＂心跳＂發(fā)生器，選擇好的晶振，保障線路板的經(jīng)久耐用性。然而難免會碰到晶振停振的問題。晶振的作用就是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率，它是時(shí)鐘電路中最重要的部件。晶振就像個(gè)標(biāo)尺，工作頻率不穩(wěn)定會造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定，自然容易出現(xiàn)問題。在實(shí)際應(yīng)用中，遇到晶振停振，要結(jié)合實(shí)際情況和產(chǎn)品規(guī)格。

 

大量晶振不起振造成整機(jī)無電的原因

① 晶體本身原因：晶片碎裂、寄生、DLD 不良、阻抗過大、頻率不良、晶體牽引力不足或過大。

 

② 電路原因：其他元件不良、負(fù)載電容或電路設(shè)計(jì)或加工造成的雜散電容離散度大、晶體兩端電壓不足、電路靜態(tài)工作點(diǎn)有問題。在工作電路中，如果晶振損壞，會有哪些特征現(xiàn)象呢？

晶振損壞分為兩大類：

①徹底停振：如果晶振停振，對手機(jī)而言可能無法正常開機(jī)，就像心臟突然停止跳動(dòng)，以該晶振為時(shí)鐘信號的電路都會停頓罷工。

 

②具有不穩(wěn)定性：引起不穩(wěn)定性的原因有很多，可能是晶振質(zhì)量問題，更多原因則是晶振參數(shù)與電路參數(shù)不相匹配，例如系統(tǒng)要求精度 20ppm，而晶振參數(shù)只有 50ppm；再或者匹配電容要求 12PF，而實(shí)際電容只有 9PF 諸多原因。

 

解決辦法：

① 徹底損壞徹底損壞時(shí)，可將其拆下，與正常同型號集成電路對比測其每一引腳對地的正、反向電阻，總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常。

 

② 晶振不穩(wěn)定的解決辦法有許多工程師在工作中都遇到過，晶振在板上，一會兒起振，一會兒不起振，或用電吹風(fēng)吹一下又可以正常工作等問題。遇到這種不穩(wěn)定情況，不能簡單的更換器件完事，應(yīng)該從多方面分析，找出問題的真正所在。

 

以內(nèi)外因來分析晶振不穩(wěn)的原因：

1、排除外界元件不良的情況，因?yàn)橥饨缌慵o非為，讓你很容易鑒別是否為不良品。

 

2、排除晶振為不起振品的可能性，這里你不會只試了 1～2 個(gè)晶振就停止了。3、排除線路錯(cuò)誤的可能性，這樣先試著用相應(yīng)型號線路的推薦電路進(jìn)行比較。

 

4、可以改變晶體兩端的電容，沒準(zhǔn)晶振就能正常工作了，電容的大小請參考晶振的使用說明，相匹配的電容很重要。晶振本身的原因，晶片碎裂、過大、頻率不良、晶體牽引力不足過大寄生反應(yīng)?；蛟陔娐飞希?fù)載電容或電路設(shè)計(jì)或加工造成的雜散電容離散度大，晶體兩端電壓不足，這些也會導(dǎo)致晶振停振！如果遇到這種問題，首先要檢測晶振的頻率參數(shù)和晶振的電阻是不是在要求的范圍內(nèi)，如果是在要求的范圍內(nèi)；其次要檢查晶振的焊接溫度會不會高，造成晶振的第二次損壞，一般要求焊接的溫度是在 250 度左右或更低，最高不要超過 300 度。如果這些都是在要求的范圍內(nèi)，那就要考慮是不是整個(gè)電路的問題了。檢測晶振參數(shù)和調(diào)整焊接溫度可以很容易做到，如果單片機(jī)電路的問題可以找方案商來解決，再則是看晶振有沒有漏氣，晶振在潮濕的天氣情況下也會出現(xiàn)這種問題，這樣就建議更換質(zhì)量較好的晶振。

 

幾點(diǎn)晶振停振的注意事項(xiàng)

a． 由于晶振在剪腳和焊錫的時(shí)候容易産生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，而焊錫溫度過高和作用時(shí)間太長都會影響到晶體，容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài)，以至出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，甚至停振。

 

b． 在焊錫時(shí)，當(dāng)錫絲透過線路板上小孔滲過，導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏，都會造成短路，從而引起停振。

 

c． 當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。

 

d． 由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵(lì)功率過大時(shí)，會使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振。

 

e． 在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。

 

f． 在壓封時(shí)，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時(shí)，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會導(dǎo)致停振。