※電阻器的分類：①線繞電阻器?、诒∧る娮杵鳎禾寄る娮杵?、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器　③實心電阻器?、苊舾须娮杵鳎簤好綦娮杵?、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。

 

※電阻器阻值標示方法：

 

1、直標法：用數(shù)字和單位符號在電阻器表面標出阻值，其允許誤差直接用百分數(shù)表示，若電阻上未注偏差，則均為±20%。

2、文字符號法：用阿拉伯數(shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，其允許偏差也用文字符號表示。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。表示允許誤差的文字符號文字符號：DFGJKM允許偏差分別為：±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%

3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標稱值的標志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數(shù)，即零的個數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。

4、色標法：用不同顏色的帶或點在電阻器表面標出標稱阻值和允許偏差。國外電阻大部分采用色標法。

黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、銀-±10%、無色-±20%

當電阻為四環(huán)時，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字，第三位為乘方數(shù)，第四位為偏差。

當電阻為五環(huán)時，最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數(shù)字，第四位為乘方數(shù)，第五位為偏差。

 

 

貼片電阻的阻值識別：（在通常的貼片電阻電阻表面都標識數(shù)字，或用字母來表示，阻值數(shù)法如下。

 

1．第一、二位數(shù)代表的是電阻的實數(shù)。

2．第三位開始的數(shù)字如是0就代表幾十歐（10~99歐之間）列：100就為10歐的電阻、990為99歐的電阻

3．第三位開始的數(shù)字如是1就代表幾百歐（100~999歐之間）例：101為100歐、151為150歐、951為950歐

4．第三位開始的數(shù)字如是2就代表幾千歐（1000~9999歐之間）例：102為1K、152為1.5K、992為9.9K

5．第三位開始的數(shù)字如是3就代表幾十K（10K~99K之間）例：103為10K、223為22K、993為99K

6．第三位開始的數(shù)字如是4就代表幾百K（100K~999K之間）例：104為100K、204為200K、854為850K

7．第三位開始的數(shù)字如是5就代表幾M（1M~9.9之間）例：105為1M、155為1.5M955為9.5M

8．第三位開始的數(shù)字如是6就代表十M（100K~999K之間）例：106為10M566為56M

9．對于四個數(shù)字的標法就是前三位為實數(shù),第四位為倍數(shù).1001為1K、1002為10K、1005為10M

 

 

※電容：是表征電容器容納電荷的本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容的符號是C。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10*6uF=10*12pF

1法拉（F）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000納法（nF）=1000000皮法（pF）

 

※電容器的型號命名方法：國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號。

 

※電解電容器的極性判別方法：用萬用表測量就可以了，先把電解電容放電，然后將表筆接到兩端，擺動大的那次就對了，但要注意：指針表的正極對的是電容的負極，數(shù)字表相反，而且，兩次測量之間，電容必須放電。（2）用引腳長短來區(qū)別正負極長腳為正，短腳為負；電容上面有標志的黑塊為負極。在PCB上電容位置上有兩個半圓，涂顏色的半圓對應的引腳為負極。

 

※電容器的分類：

 

按照其極性分為二大類：有極性電容器（如電解電容）和無極性電容器。

按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。

按電解質(zhì)分類有：有機介質(zhì)電容器、無機介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。

按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。

 

※電容器容量標示：

 

1、直標法：用數(shù)字和單位符號直接標出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點，如R56表示0.56微法。

2、文字符號法：用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.

3、色標法：用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標法與電阻相同。

電容器偏差標志符號：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

 

※常用電容器：鋁電解電容器、鉭電解電容器、薄膜電容器、瓷介電容器、獨石電容器、紙質(zhì)電容器、微調(diào)電容器、陶瓷電容器、玻璃釉電容器、云母和聚苯乙烯介質(zhì)電容器。

 

 

※電感器：電感線圈是由導線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。在電子制作中雖然使用得不是很多，但它們在電路中同樣重要。電感器和電容器一樣，也是一種儲能元件，它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌瞿?，并在磁場中儲存能量。電感器用符號L表示，它的基本單位是亨利（H），常用毫亨（mH）為單位。

 

※電感器的分類：

 

按電感形式分類：固定電感、可變電感。

按繞線結(jié)構(gòu)分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。

按導磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。

按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。

 

※電感器作用特性：它經(jīng)常和電容器一起工作，構(gòu)成LC濾波器、LC振蕩器等。另外，人們還利用電感的特性，制造了阻流圈、變壓器、繼電器等；電感器的特性恰恰與電容的特性相反，它具有阻止交流電通過而讓直流電通過的特性。

 

收音機上就有不少電感線圈，幾乎都是用漆包線繞成的空心線圈或在骨架磁芯、鐵芯上繞制而成的。有天線線圈（它是用漆包線在磁棒上繞制而成的）、中頻變壓器（俗稱中周）、輸入輸出變壓器等等。

 

※常用電感器：單層線圈、蜂房式線圈、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈、銅芯線圈、色碼電感器、阻流圈（扼流圈）、偏轉(zhuǎn)線圈

 

※變壓器：是由鐵芯和繞在絕緣骨架上的銅線圈線構(gòu)成的。絕緣銅線繞在塑料骨架上，每個骨架需繞制輸入和輸出兩組線圈。線圈中間用絕緣紙隔離。繞好后將許多鐵芯薄片插在塑料骨架的中間。這樣就能夠使線圈的電感量顯著增大。變壓器利用電磁感應原理從它的一個繞組向另兒個繞組傳輸電能量。變壓器在電路中具有重要的功能：耦合交流信號而阻隔直流信號，并可以改變輸入輸出的電壓比；利用變壓器使電路兩端的阻抗得到良好匹配，以獲得最大限度的傳送信號功率。

 

※繼電器：就是電子機械開關(guān)，它是用漆包銅線在一個圓鐵芯上繞幾百圈至幾千圈，當線圈中流過電流時，圓鐵芯產(chǎn)生了磁場，把圓鐵芯上邊的帶有接觸片的鐵板吸住，使之斷開第一個觸點而接通第二個開關(guān)觸點。當線圈斷電時，鐵芯失去磁性，由于接觸銅片的彈性作用，使鐵板離開鐵芯，恢復與第一個觸點的接通。因此，可以用很小的電流去控制其他電路的開關(guān)。整個繼電器由塑料或有機玻璃防塵罩保護著，有的還是全密封的，以防觸電氧化。

 

 

※半導體：是一種具有特殊性質(zhì)的物質(zhì)，它不像導體一樣能夠完全導電，又不像絕緣體那樣不能導電，它介于兩者之間，所以稱為半導體。半導體最重要的兩種元素是硅（讀“gui”）和鍺（讀“zhe”）。

 

※半導體分類：半導體主要分為二極管、三極管、可控硅、集成電路。

 

※二極管分類：用于穩(wěn)壓的穩(wěn)壓二極管，用于數(shù)字電路的開關(guān)二極管，用于調(diào)諧的變?nèi)荻O管，以及光電二極管等，最?？匆姷氖前l(fā)光二極管、整流二極管……二極管在電路中用“D”表示；發(fā)光二極管用“LED”表示；穩(wěn)壓二極管用“Z”表示。

 

※二極管極性判別：

 

（1）普通二極管：一般把極性標示在二極管的外殼上。大多數(shù)用一個不同顏色的環(huán)來表示負極，有的直接標上“-”號。

（2）發(fā)光二極管的極性判別可以從管腳和管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)來判別，如果管腳不是被剪過的，目前普遍認為發(fā)光二極管的長管腳是正極，短管腳是負極，和立式電解電容的極性辨別是一致的。從管芯內(nèi)部結(jié)構(gòu)來看，管芯是由大小瓣兩部分組成，大瓣上有一圓錐坑以便聚光提高亮度，中間通過一細金屬線將兩瓣連在一起，與管芯小瓣部分相接的是長腳正極，與管芯大瓣部分相接是短腳負極。（3）萬用表歐姆檔來判斷,當正向?qū)〞r電阻值小，用黑表筆連接的就是二極管的正極。順口溜叫“黑小正、紅大負”。

 

※普通二極管的檢測：二極管的極性通常在管殼上注有標記，如無標記，可用萬用表電阻檔測量其正反向電阻來判斷（一般用R×100或×1K檔）

 

※普通發(fā)光二極管的檢測：

 

（1）利用具有×10kΩ擋的指針式萬用表可以大致判斷發(fā)光二極管的好壞。正常時，二極管正向電阻阻值為幾十至200kΩ,反向電阻的值為∝。如果正向電阻值為0或為∞，反向電阻值很小或為0，則易損壞。這種檢測方法，不能實地看到發(fā)光管的發(fā)光情況，因為×10kΩ擋不能向LED提供較大正向電流。

（2）用3V穩(wěn)壓源或兩節(jié)串聯(lián)的干電池及萬用表（指針式或數(shù)字式皆可）可以較準確測量發(fā)光二極管的光、電特性。為此可按圖10所示連接電路即可。如果測得VF在1.4～3V之間，且發(fā)光亮度正常，可以說明發(fā)光正常。如果測得VF=0或VF≈3V，且不發(fā)光，說明發(fā)光管已壞。

 

※紅外發(fā)光二極管的檢測：由于紅外發(fā)光二極管，它發(fā)射1～3μm的紅外光，人眼看不到。通常單只紅外發(fā)光二極管發(fā)射功率只有數(shù)mW，不同型號的紅外LED發(fā)光強度角分布也不相同。紅外LED的正向壓降一般為1.3～2.5V。正是由于其發(fā)射的紅外光人眼看不見，所以利用上述可見光LED的檢測法只能判定其PN結(jié)正、反向電學特性是否正常，而無法判定其發(fā)光情況正常否。為此，最好準備一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光電池）作接收器。用萬用表測光電池兩端電壓的變化情況。來判斷紅外LED加上適當正向電流后是否發(fā)射紅外光。其測量電路如圖所示。

 

 

※三極管：三極管就是由二個PN結(jié)構(gòu)成三個極的電子元件，基極（B）集電極（C）、發(fā)射極（E）。

 

※三極管作用：三極管在電路中主要起電流放大和開關(guān)作用；也起隔離作用。

 

※三極管命名：中國半導體器件型號命名方法

 

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。

第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U- 

光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、 

Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

 

 

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

 

※三極管分類

 

1)按材料和極性分有硅/鍺材料的NPN與PNP三極管?！?)按功率分有小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管。

3)按用途分有高、中頻放大管、低頻放大管、低噪聲放大管、光電管、開關(guān)管、高反壓管、達林頓管、帶阻尼的三極管等。

4)按工作頻率分有低頻三極管、高頻三極管和超高頻三極管。5)按制作工藝分有平面型三極管、合金型三極管、擴散型三極管。

6)按外形封裝的不同可分為金屬封裝三極管、玻璃封裝三極管、陶瓷封裝三極管、塑料封裝三極管等。

 

※三極管引腳極性：插件引腳圖示（1），貼件引腳圖示（2）下圖為9014。般中小功率的三極管都是遵守左向右依次為ebc（條件是中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為ebc）

 

 

※場效應管：MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。

金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵G電壓VG增大時，p型半導體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導電溝道。當VDS≠0時，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當VGS>VT并取不同數(shù)值時，反型層的導電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS,實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控制。

 

※場效應分類：場效應管主要有結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。絕緣柵型場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極（b）、集電極（c）、發(fā)射極（e）。場效應管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結(jié)型場效應管的區(qū)別在于它們的導電機構(gòu)和電流控制原理根本不同，結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。它們性質(zhì)的差異使結(jié)型場效應管往往運用在功放輸入級（前級），絕緣柵型場效應管則用在功放末級（輸出級）。場效應管的工作原理和三極管其本一樣，只是他們一個是壓控型元件，一個是電流控制元件，場效應管只有一個PN結(jié)，如圖所示1-1

 

 

※場效應分類使用注意事項及檢測方法：MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。

 

在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施。測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了。對于其它相關(guān)認識，我不做細說，只要大家能認識就行了。

 

※集成電路：集成電路是一種采用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文為縮寫為IC，也俗稱芯片。在電路中用“U”表示。

 

※集成電路分類：集成電路根據(jù)不同的功能用途分為模擬和數(shù)字兩大派別，而具體功能更是數(shù)不勝數(shù)，其應用遍及人類生活的方方面面。集成電路根據(jù)內(nèi)部的集成度分為大規(guī)模中規(guī)模小規(guī)模三類。其封裝又有許多形式。“雙列直插”和“單列直插”的最為常見。消費類電子產(chǎn)品中用軟封裝的IC，精密產(chǎn)品中用貼片封裝的IC等。

 

※集成電路使用注意事項：大部份IC采用CMOS元件為核心集成；對于CMOS型IC，特別要注意防止靜電擊穿IC，最好也不要用未接地的電烙鐵焊接。使用IC也要注意其參數(shù)，如工作電壓，散熱等。數(shù)字IC多用＋5V的工作電壓，模擬IC工作電壓各異。

 

※集成電路型號：集成電路有各種型號，其命名也有一定規(guī)律。一般是由前綴、數(shù)字編號、后綴組成。前綴表示集成電路的生產(chǎn)廠家及類別，后綴一般用來表示集成電路的封裝形式、版本代號等。常用的集成電路如小功率音頻放大器LM386就因為后綴不同而有許多種。LM386N是美國國家半導體公司的產(chǎn)品，LM代表線性電路，N代表塑料雙列直插。具體封裝這不多作解說，我們只要能認識就OK。其它筒單集成電路：穩(wěn)壓IC、音樂IC、語音IC……