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分享電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn):RC吸收電路

發(fā)布時(shí)間:2018-12-21 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,我們常常使用到一個(gè)電阻串聯(lián)一個(gè)電容構(gòu)成的RC電路, RC電路性能會(huì)直接影響到產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。本文將為大家介紹一種既能降低開(kāi)關(guān)管損耗,且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路。


開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,我們常常使用到一個(gè)電阻串聯(lián)一個(gè)電容構(gòu)成的RC電路, RC電路性能會(huì)直接影響到產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。本文將為大家介紹一種既能降低開(kāi)關(guān)管損耗,且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路。


高頻開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),電壓和電流的重疊引起的損耗是開(kāi)關(guān)電源損耗的主要部分,同時(shí),由于電路中存在寄生電感和寄生電容,在功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),電路中也會(huì)出現(xiàn)過(guò)電壓并且產(chǎn)生振蕩。如果尖峰電壓過(guò)高,就會(huì)損壞開(kāi)關(guān)管。同時(shí),振蕩的存在也會(huì)使輸出紋波增大。為了降低關(guān)斷損耗和尖峰電壓,需要在開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)RC緩沖電路以改善電路的性能。


分享電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn):RC吸收電路

圖1


圖1所示的是一個(gè)簡(jiǎn)單的反激式開(kāi)關(guān)電源電路,從圖中可以看出RC電路在圖中的出現(xiàn)過(guò)6次從RaCa—RfCf,每個(gè)RC電路的位置不同,作用也不一樣。本文介紹的是圖1中RbCb,RcCc構(gòu)成的RC吸收電路。這兩個(gè)RC電路在圖中主要作用是:

減少導(dǎo)通或關(guān)斷損耗;

降低電壓或電流尖峰;

可以間接的改善EMI特性。 


在設(shè)計(jì)RC吸收電路時(shí),我們必須了解整個(gè)電源網(wǎng)絡(luò)的幾個(gè)重要參數(shù),比如輸入電壓、輸入電流、尖峰電壓、尖峰電流等。在圖1所示當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí),源極電壓開(kāi)始上升到2Vdc,而電容Cb限制了源極(D)電壓的上升速度,同時(shí)減小了上升電壓和下降電流的重疊,從而減低了開(kāi)關(guān)管Q1的損耗。而在下次開(kāi)關(guān)關(guān)斷之前,Cb必須將已經(jīng)充滿的電壓放完,放電路徑為Cb、Rb、Q1。


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圖2 開(kāi)關(guān)管源極(D)的Vds電壓波形



圖2-A表示的是開(kāi)關(guān)管Q1沒(méi)有加RC吸收電路的Vds電壓波形,圖中明顯的看出,當(dāng)開(kāi)關(guān)管Q1斷開(kāi)時(shí),Vds電壓迅速上升至最高點(diǎn),而后伴隨這震蕩下跌,震蕩頻率為20MHZ。


圖2-B表示的是開(kāi)關(guān)管上加了RC吸收電路的Vds電壓波形,相對(duì)與圖2-A,在加了RC吸收電路后,開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)瞬間,Vds電壓上升比較平緩,且在上升到最高電壓跌落時(shí)不會(huì)產(chǎn)生高頻震蕩,EMI特性也會(huì)偏好。


在感性負(fù)載中,開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷的瞬間,如果此時(shí)感性負(fù)載的磁通不為零,根據(jù)愣次定律便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)自感電動(dòng)勢(shì),對(duì)外界辭放磁場(chǎng)儲(chǔ)能,為簡(jiǎn)單起見(jiàn),一般都采用RC吸收回路,將這部份能量以熱能的方式消耗掉。


設(shè)計(jì)RC吸收回路參數(shù),需要先確定磁場(chǎng)儲(chǔ)能的大小,在反激變壓器中,磁場(chǎng)儲(chǔ)能由兩部份辭放,其中大部份是通過(guò)互感向二次側(cè)提供能量,只有漏感部份要通過(guò)RC回路處理,需要測(cè)量勵(lì)磁電感,互感及漏感值,再求得RC回路的初始電流值。

R的取值,以開(kāi)關(guān)所能承受的瞬時(shí)反壓,比初始電流值;此值過(guò)小則動(dòng)態(tài)功耗過(guò)大,引值過(guò)大則達(dá)不到保護(hù)開(kāi)關(guān)的作用;

C的取值,則需要滿足在鉗位電平下能夠儲(chǔ)存磁能的一半,且滿足一定的dV/dt,C關(guān)斷緩沖,R開(kāi)通限流,電阻的阻值基本可以按照:

R=(sqrt(Llk/Cj))/n 這個(gè)公式計(jì)算,功率根據(jù)實(shí)際情況選擇,C一般都在102——103之間選擇,選C時(shí)在考慮吸收效果的同時(shí)還需考慮EMI的相位和后面輸出電容的紋波電流應(yīng)力,則有:

C=(Ip*Tf)/(2*2*Vdc)

Ip:峰值電流

Tf:集電極電流從初始值下降到零的時(shí)間

Vdc:輸入的直流電壓


R=Ton(min)/(3C)

Ton(min):開(kāi)關(guān)管最小的導(dǎo)通時(shí)間


總結(jié)

 

根據(jù)以上給出的公式,可以很方便地選擇出合適的RC吸收電路。但在設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)該根據(jù)整個(gè)電源設(shè)計(jì)的性能指標(biāo),通過(guò)實(shí)際調(diào)試才能得到真正合適的參數(shù)。有時(shí)候,為了達(dá)到系統(tǒng)的性能指標(biāo),犧牲一定的效率也是必要的??傊?,在設(shè)計(jì)RC吸收電路參數(shù)時(shí),必須綜合考慮性能和效率,最終選擇合適的RC參數(shù)。


 

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