安森美半導(dǎo)體深知終端產(chǎn)品性能越來越強(qiáng)調(diào)高能效，故優(yōu)化了新功率MOSFET的設(shè)計(jì)、材料及封裝，以降低損耗。0.7毫歐(mΩ)的一流導(dǎo)通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低輸入電容確保導(dǎo)電、開關(guān)及驅(qū)動(dòng)器等損耗降至最低。安森美半導(dǎo)體還深思熟慮，確保這些MOSFET提供較現(xiàn)有器件更優(yōu)的熱性能和低封裝阻抗及感抗。

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“將導(dǎo)電及開關(guān)損耗降至最低以優(yōu)化總能效，是越來越多終端市場設(shè)計(jì)人員極希望可實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術(shù)，成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平，幫助我們客戶達(dá)到他們嚴(yán)格的設(shè)計(jì)性能目標(biāo)。”

封裝及價(jià)格

NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價(jià)分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無鉛µ8-FL封裝，每1,500片批量的單價(jià)分別為0.86和0.67美元。